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Transistoren (3825)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
FQB7N80TM	- - -	RFQ	6350	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	188		N-Kanal		800 V	6.6a (TC)	10V	1,5OHM @ 3,3A, 10 V.	5 V @ 250 ähm	52 NC @ 10 V	± 30 v	1850 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 167W (TC)
BC547TF	0,0200	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				500 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	15.000																45 V	100 ma					15NA (ICBO)			Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
FDB8444	1.1400	RFQ	167	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	264		N-Kanal		40 v	70a (TC)	10V	5,5 MOHM @ 70A, 10V	4v @ 250 ähm	128 NC @ 10 V	± 20 V	8035 PF @ 25 V.	- - -	167W (TC)
ISL9N306AD3ST	0,3400	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	50a (TC)	4,5 V, 10 V.	6mohm @ 50a, 10V	3v @ 250 ähm	90 nc @ 10 v	± 20 V	3400 PF @ 15 V	- - -	125W (TA)
FJX3906TF	0,0500	RFQ	268	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323				350 MW		SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																40 v	200 ma					50na			PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	250 MHz
FDI047AN08A0	2.4900	RFQ	787	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		75 V	80A (TC)	6 V, 10V	4.7mohm @ 80a, 10V	4v @ 250 ähm	138 NC @ 10 V	± 20 V	6600 PF @ 25 V.	- - -	310W (TC)
BC856alt1g	- - -	RFQ	3244	Fairchild Semiconductor	BC856AL	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				225 MW		SOT-23-3 (to-236)	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BC856alt1G-600039			1																65 V	100 ma					15NA (ICBO)			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	125 @ 2MA, 5V	100 MHz
HUFA75333G3	0,9800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)			To-247	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 v	66a (TC)	10V	16mohm @ 66a, 10V	4v @ 250 ähm	85 NC @ 20 V	± 20 V	1300 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
KSC5042TU	- - -	RFQ	3172	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	KSC5042					To-220-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	2.000																						10 µA (ICBO)			Npn	5v @ 4ma, 20 mA	30 @ 10ma, 5v	- - -
KSC2073TU	0,3100	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				25 w		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	969																150 v	1,5 a					10 µA (ICBO)			Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	40 @ 500 mA, 10 V.	4MHz
SSU1N50BTU	0,3500	RFQ	55	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	SSU1N50		MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1		N-Kanal		520 v	1.3a (TC)	10V	5.3OHM @ 650 mA, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	340 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 26W (TC)
KSA928AYTA	0,1400	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)				1 w		To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	2,153																30 v	2 a					100NA (ICBO)			PNP	2v @ 30 mA, 1,5a	160 @ 500 mA, 2V	120 MHz
FMG1G75US60H	39.0100	RFQ	80	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr-Ga				310 w	Standard	19 Uhr-Ga	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	15	Einzel														- - -	600 V	75 a		2,8 V @ 15V, 75a			250 µA	NEIN	7.056 NF @ 30 V
FDU2572	1.0000	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800		N-Kanal		150 v	4a (ta), 29a (TC)	6 V, 10V	54mohm @ 9a, 10V	4v @ 250 ähm	34 NC @ 10 V.	± 20 V	1770 PF @ 25 V.	- - -	135W (TC)
KSC2316OTA	1.0000	RFQ	9768	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)				900 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																120 v	800 mA					100NA (ICBO)			Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	80 @ 100ma, 5V	120 MHz
FQI50N06TU	0,7300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		60 v	50a (TC)	10V	22mohm @ 25a, 10V	4v @ 250 ähm	41 nc @ 10 v	± 25 V	1540 PF @ 25 V.	- - -	3,75W (TA), 120W (TC)
FDC6302p	0,2800	RFQ	151	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	FDC6302		MOSFET (Metalloxid)	700 MW		Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8541.21.0095	1	2 p-kanal (dual)			25 v	120 Ma		10OHM @ 200 Ma, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	0,31nc @ 4,5 V		11pf @ 10v	Logikpegel -tor
NDP4060	0,4800	RFQ	134	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		60 v	15a (TC)	10V	100mohm @ 7,5a, 10 V	4v @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 20 V	450 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
SFW9Z34TM	0,6400	RFQ	36	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		P-Kanal		60 v	18a (TC)	10V	140MOHM @ 9A, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 30 v	1155 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 82W (TC)
MPS6521D26Z	0,0500	RFQ	14	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	MPS6521			625 MW		To-92-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	2.000																25 v	100 ma					50na (ICBO)			Npn	500mv @ 5ma, 50 mA	300 @ 2MA, 10V	- - -
FDH210N08	- - -	RFQ	5855	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)			To-247	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	- - -	10V	- - -	- - -		± 20 V		- - -	462W (TC)
RFD14N05SM	- - -	RFQ	3408	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	75		N-Kanal		50 v	14a (TC)	10V	100mohm @ 14a, 10V	4v @ 250 ähm	40 NC @ 20 V	± 20 V	570 PF @ 25 V.	- - -	48W (TC)
FQI17P10TU	0,5500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal		100 v	16,5a (TC)	10V	190MOHM @ 8.25A, 10V	4v @ 250 ähm	39 NC @ 10 V.	± 30 v	1100 PF @ 25 V.	- - -	3,75 W (TA), 100 W (TC)
FDPF10N60ZUT	1.2200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	246		N-Kanal		600 V	9a (TC)	10V	800 MOHM @ 4,5A, 10 V.	5 V @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 30 v	1980 PF @ 25 V.	- - -	42W (TC)
BD14016stu	- - -	RFQ	5478	Fairchild Semiconductor	BD140	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3				1,25 w		To-126-3	- - -				2156-BD14016stu			1																80 v	1,5 a					100NA (ICBO)			PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 2V	- - -
HUFA76413D3ST	0,2800	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		60 v	20A (TC)	4,5 V, 10 V.	49mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 16 v	645 PF @ 25 V.	- - -	60 W (TC)
SFU9024TU	- - -	RFQ	7397	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal		60 v	7.8a (TC)	10V	280 MOHM @ 3,9a, 10V	4v @ 250 ähm	19 NC @ 10 V	± 30 v	600 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 32W (TC)
SGH15N120RUFDtu	3.1200	RFQ	626	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	SGH15	Standard		180 w		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1			600 V, 15a, 20ohm, 15 V.											100 ns	- - -	1200 V	24 a	45 a	3v @ 15V, 15a	108 NC	20ns/60ns
FQP6N50	1.0000	RFQ	5118	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		500 V	5.5a (TC)	10V	1,3OHM @ 2,8a, 10V	5 V @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 30 v	790 PF @ 25 V.	- - -	98W (TC)
Fqu8p10TU	0,4000	RFQ	16	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	745		P-Kanal		100 v	6.6a (TC)	10V	530mohm @ 3,3a, 10V	4v @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 30 v	470 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 44W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3825)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²