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Transistoren (3825)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
KSA1013YTA	- - -	RFQ	6121	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)				900 MW	To-92-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-kSA1013YTA-600039			1																160 v	1 a						1 µA (ICBO)	PNP	1,5 V @ 50 Ma, 500 mA	60 @ 200 Ma, 5V	50 MHz
Fdd6670a_nl	0,8700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			30 v	15a (ta), 66a (TC)	4,5 V, 10 V.	8mohm @ 15a, 10V	3v @ 250 ähm	22 NC @ 5 V	± 20 V	1755 PF @ 15 V	- - -	1,3W (TA), 63W (TC)
MMBF170	- - -	RFQ	4869	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			60 v	500 mA (TA)	10V	5ohm @ 200 mA, 10V	3V @ 1ma		± 20 V	40 PF @ 10 V	- - -	300 MW (TA)
FDMS3610S	- - -	RFQ	3566	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	FDMS3610		MOSFET (Metalloxid)	1W	Power56	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch				25 v	17.5a, 30a		5mohm @ 17.5a, 10V	2v @ 250 ähm	26nc @ 10v		1570pf @ 13v	Logikpegel -tor
FDD6030L	0,8900	RFQ	637	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	339		N-Kanal			30 v	12A (TA), 50A (TC)	4,5 V, 10 V.	14,5 MOHM @ 12A, 10V	3v @ 250 ähm	28 NC @ 5 V	± 20 V	1230 PF @ 15 V	- - -	3,2 W (TA), 56 W (TC)
SI6463DQ	0,4600	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	2.500		P-Kanal			20 v	8.8a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	12,5 MOHM @ 8,8a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	66 NC @ 4,5 V.	± 12 V	5045 PF @ 10 V	- - -	600 MW (TA)
FDS8936a	1.3500	RFQ	75	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS89		MOSFET (Metalloxid)	900 MW (TA)	8-soic	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	1	2 n-kanal (dual)				30V	6a (ta)		28mohm @ 6a, 10V	3v @ 250 ähm	27nc @ 10v		650pf @ 15V	- - -
FCH47N60	- - -	RFQ	4826	Fairchild Semiconductor	Superfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal			600 V	47a (TC)	10V	70 MOHM @ 23.5A, 10V	5 V @ 250 ähm	270 nc @ 10 v	± 30 v	8000 PF @ 25 V.	- - -	417W (TC)
FDP5N60NZ	1.0000	RFQ	7880	Fairchild Semiconductor	UNIFET-II ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			600 V	4,5a (TC)	10V	2OHM @ 2,25A, 10 V	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 25 V	600 PF @ 25 V.	- - -	100 W (TC)
NDT3055	- - -	RFQ	1770	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223-4	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			60 v	4a (ta)	10V	100mohm @ 4a, 10V	4v @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 20 V	250 PF @ 30 V	- - -	1.1W (TA)
IRLR130ATF	0,6200	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Reichweiite Betroffen	2156-IRLR130ATF-600039			1
Fdd8880_nl	0,4400	RFQ	777	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	777		N-Kanal			30 v	13a (ta), 58a (TC)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 35a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	31 NC @ 10 V	± 20 V	1260 PF @ 15 V	- - -	55W (TC)
KSP10TA	0,0400	RFQ	29	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				350 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	7.036				- - -												25 v	- - -							Npn		60 @ 4ma, 10V	650 MHz	- - -
HP4936dy	0,4600	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	HP4936		MOSFET (Metalloxid)	2W (TA)	8-soic	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1	2 n-kanal (dual)				30V	5.8a (ta)		37mohm @ 5.8a, 10V	1V @ 250 ähm	25nc @ 10v		625PF @ 25v	Logikpegel -tor
KST10MTF	- - -	RFQ	3534	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1				- - -												25 v	- - -							Npn		60 @ 4ma, 10V	650 MHz	- - -
SI6953DQ	0,3000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)	SI6953		MOSFET (Metalloxid)	600 MW (TA)	8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	2.500	2 p-kanal (dual)				20V	1,9a (ta)		170 MOHM @ 1,9a, 10V	3v @ 250 ähm	10nc @ 10v		218PF @ 10V	- - -
BC546CTA	- - -	RFQ	4144	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				500 MW	To-92-3	Herunterladen		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	2156-BC546CTA-600039			1																65 V	100 ma						15NA (ICBO)	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
FDD6692	0,5500	RFQ	66	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal			30 v	54a (ta)	4,5 V, 10 V.	12mohm @ 14a, 10V	3v @ 250 ähm	25 NC @ 5 V	± 16 v	2164 PF @ 15 V	- - -	1.6W (TA)
FCD620N60ZF	- - -	RFQ	4587	Fairchild Semiconductor	Hiperfet ™, polar ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen						0000.00.0000	1		N-Kanal			600 V	7.3a (TC)	10V	620mohm @ 3,6a, 10 V	5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 20 V	1135 PF @ 25 V.	- - -	89W (TC)
SFU9014TU	0,2600	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-SFU9014TU-600039			1
FDB2572	1.0000	RFQ	5398	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			150 v	4a (ta), 29a (TC)	6 V, 10V	54mohm @ 9a, 10V	4v @ 250 ähm	34 NC @ 10 V.	± 20 V	1770 PF @ 25 V.	- - -	135W (TC)
MPSA12	0,0500	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	5.000																20 v							100NA (ICBO)	NPN - Darlington	1 V @ 10 µA, 10 mA	20000 @ 10ma, 5V	- - -
FQP6N50C	0,7500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal			500 V	5.5a (TC)	10V	1,2OHM @ 2,8a, 10 V.	4v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 30 v	700 PF @ 25 V.	- - -	98W (TC)
Ndt451an	- - -	RFQ	4547	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223-4	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			30 v	7.2a (ta)	4,5 V, 10 V.	35mohm @ 7.2a, 10V	3v @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 20 V	720 PF @ 15 V	- - -	3W (TA)
SFW2955TM	0,4000	RFQ	5792	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	540		P-Kanal			60 v	9,4a (TC)	10V	300mohm @ 4.7a, 10V	4v @ 250 ähm	19 NC @ 10 V	± 20 V	600 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 49W (TC)
FDS7066ASN3	1.1900	RFQ	623	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal			30 v	19a (ta)	4,5 V, 10 V.	4,8 MOHM @ 19A, 10V	3V @ 1ma	62 NC @ 10 V	± 20 V	2460 PF @ 15 V	- - -	3W (TA)
MPSW3725	0,1000	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				1 w	To-226-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	1.500																40 v	1.2 a						100NA (ICBO)	Npn	950 mv @ 100 mA, 1a	60 @ 100 mA, 1V	250 MHz
HGTG30N60B3_NL	6.0400	RFQ	51	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		208 w	To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	51			480 V, 60A, 3OHM, 15 V.												Npt	600 V	60 a	220 a	1,9 V @ 15V, 30a	550 µJ (EIN), 680 µJ (AUS)	250 NC	36ns/137ns
FDP8442-F085	1.2700	RFQ	750	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-FDP8442-F085-600039			1		N-Kanal			40 v	23a (TA), 80A (TC)	10V	3.1MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	235 NC @ 10 V	± 20 V	12200 PF @ 25 V.	- - -	254W (TC)
2N3904CTA	- - -	RFQ	2570	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																40 v	200 ma						- - -	Npn	300mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	300 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3825)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²