SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
RFP8P05 Fairchild Semiconductor RFP8P05 1.0000
RFQ
ECAD 1742 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 50 v 8a (TC) 300mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm 80 nc @ 20 V - - -
FQB85N06TM Fairchild Semiconductor FQB85N06TM 1.4200
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 85a (TC) 10V 10MOHM @ 42.5A, 10V 4v @ 250 ähm 112 NC @ 10 V ± 25 V 4120 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 160 W (TC)
KSB1116GTA Fairchild Semiconductor KSB1116GTA 0,0400
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 750 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1,855 50 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300 mV @ 50 Ma, 1a 200 @ 100 Ma, 2V 120 MHz
FQB17N08TM Fairchild Semiconductor FQB17N08TM 0,2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 80 v 16,5a (TC) 10V 115mohm @ 8.25a, ​​10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 25 V 450 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 65W (TC)
FCPF20N60ST Fairchild Semiconductor FCPF20N60ST - - -
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet ™ Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-220-3 Full Pack FCPF20 MOSFET (Metalloxid) To-220f - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 20A (TC) - - - - - - - - - - - -
FQB10N20CTM Fairchild Semiconductor FQB10N20CTM - - -
RFQ
ECAD 1549 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 200 v 9,5a (TC) 10V 360MOHM @ 4.75a, 10V 4v @ 250 ähm 26 NC @ 10 V ± 30 v 510 PF @ 25 V. - - - 72W (TC)
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Metalloxid) To-251 (ipak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 204 N-Kanal 30 v 67a (ta) 4,5 V, 10 V. 8.5Mohm @ 16a, 10V 3v @ 250 ähm 35 NC @ 5 V. ± 16 v 3087 PF @ 15 V - - - 1.6W (TA)
IRFW520ATM Fairchild Semiconductor Irfw520atm 0,4000
RFQ
ECAD 774 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 774 N-Kanal 100 v 9.2a (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4v @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 480 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 45W (TC)
FQB9N08TM Fairchild Semiconductor FQB9N08TM 0,3100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 80 v 9,3a (TC) 10V 210mohm @ 4.65a, 10V 4v @ 250 ähm 7,7 NC @ 10 V ± 25 V 250 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 40W (TC)
NDS9959 Fairchild Semiconductor NDS9959 0,4700
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) NDS995 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 50V 2a 300 MOHM @ 1,5A, 10V 4v @ 250 ähm 15nc @ 10v 250pf @ 25v - - -
FDS6689S Fairchild Semiconductor FDS6689s 1.0100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 16a (ta) 4,5 V, 10 V. 5.4mohm @ 16a, 10V 3V @ 1ma 78 NC @ 10 V ± 20 V 3290 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
FQD2P40TF Fairchild Semiconductor FQD2P40TF 0,4400
RFQ
ECAD 9757 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 195 P-Kanal 400 V 1,56a (TC) 10V 6,5 Ohm @ 780 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 38W (TC)
FQAF90N08 Fairchild Semiconductor FQAF90N08 2.3700
RFQ
ECAD 340 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 80 v 56a (TC) 10V 16mohm @ 28a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 25 V 3250 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
FQD3N60CTM Fairchild Semiconductor FQD3N60CTM - - -
RFQ
ECAD 2545 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 2.4a (TC) 10V 3,4OHM @ 1,2a, 10 V. 4v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 30 v 565 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
FCPF650N80Z Fairchild Semiconductor FCPF650N80Z - - -
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FCPF650 MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 800 V 8a (TC) 10V 650Mohm @ 4a, 10V 4,5 v Bei 800 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 1565 PF @ 100 V - - - 30,5 W (TC)
FDB6670AL Fairchild Semiconductor FDB6670AL 1.0000
RFQ
ECAD 91 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 80A (TA) 4,5 V, 10 V. 6,5 MOHM @ 40A, 10V 3v @ 250 ähm 33 NC @ 5 V. ± 20 V 2440 PF @ 15 V - - - 68W (TC)
FQU2N60TU Fairchild Semiconductor Fqu2N60TU 0,6700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5.040 N-Kanal 600 V 2a (TC) 10V 4.7ohm @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 45W (TC)
HUFA76633S3S Fairchild Semiconductor HUFA76633S3S - - -
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 383 N-Kanal 100 v 39a (TC) 4,5 V, 10 V. 35mohm @ 39a, 10V 3v @ 250 ähm 67 NC @ 10 V ± 16 v 1820 PF @ 25 V. - - - 145W (TC)
FDMS3606AS Fairchild Semiconductor FDMS3606As 1.0900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS3606 MOSFET (Metalloxid) 1W 8-PQFN (5x6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10V 2,7 V @ 250 ähm 29nc @ 10v 1695PF @ 15V Logikpegel -tor
BD435STU Fairchild Semiconductor BD435stu - - -
RFQ
ECAD 3434 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 36 w To-126-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 32 v 4 a 100 µA Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 50 @ 2a, 1V 3MHz
FDN304P Fairchild Semiconductor FDN304p - - -
RFQ
ECAD 6522 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 P-Kanal 20 v 2.4a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 52mohm @ 2,4a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 20 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1312 PF @ 10 V - - - 500 MW (TA)
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0,6600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 50a (ta) 4,5 V, 10 V. 7.5Mohm @ 25a, 10V 2v @ 250 mA 51 NC @ 4,5 V. ± 12 V 2418 PF @ 15 V - - - 83W (TA)
FDMS038ZS Fairchild Semiconductor FDMS038ZS 0,2700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 3.000
FQI10N20CTU Fairchild Semiconductor Fqi10n20ctu 0,4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 9,5a (TC) 10V 360MOHM @ 4.75a, 10V 4v @ 250 ähm 26 NC @ 10 V ± 30 v 510 PF @ 25 V. - - - 72W (TC)
KSH117TF Fairchild Semiconductor KSH117TF - - -
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,75 w To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 2.000 100 v 2 a 20 µA PNP - Darlington 3v @ 40 mA, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 MHz
BC556CBU Fairchild Semiconductor BC556CBU - - -
RFQ
ECAD 6600 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 11.478 65 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 150 MHz
FDW2501NZ Fairchild Semiconductor FDW2501NZ - - -
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) FDW25 MOSFET (Metalloxid) 600 MW 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3 2 n-kanal (dual) 20V 5.5a 18mohm @ 5,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 17nc @ 4,5V 1286PF @ 10V Logikpegel -tor
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0,0600
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FCP099N60E Fairchild Semiconductor FCP099N60E - - -
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 37a (TC) 10V 99mohm @ 18.5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 114 NC @ 10 V ± 20 V 3465 PF @ 380 V - - - 357W (TC)
KSC2328AOTA Fairchild Semiconductor KSC2328AOTA 0,0800
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Nicht für Designs 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) 1 w To-92-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 574 30 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 2v @ 30 mA, 1,5a 100 @ 500 mA, 2V 120 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus