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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
Fqpf9n30	0,7500	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal	300 V	6a (TC)	10V	450Mohm @ 3a, 10V	5 V @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 30 v	740 PF @ 25 V.	- - -	42W (TC)
FCPF380N60E	1.0000	RFQ	3434	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	FCPF380	MOSFET (Metalloxid)		To-220f	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	600 V	10.2a (TC)	10V	380Mohm @ 5a, 10V	3,5 V @ 250 ähm	45 nc @ 10 v	± 20 V	1770 PF @ 25 V.	- - -	31W (TC)
Fdb13an06a0	- - -	RFQ	8081	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen						0000.00.0000	1		N-Kanal	60 v	10.9a (TA), 62A (TC)	6 V, 10V	13,5 MOHM @ 62A, 10V	4v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	1350 PF @ 25 V.	- - -	115W (TC)
FQAF12P20	0,7700	RFQ	2377	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	124		P-Kanal	200 v	8.6a (TC)	10V	470MOHM @ 4.3a, 10V	5 V @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 30 v	1200 PF @ 25 V.	- - -	70W (TC)
FQI16N25CTU	0,7200	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal	250 V	15,6a (TC)	10V	270 MOHM @ 7.8a, 10V	4v @ 250 ähm	53,5 NC @ 10 V.	± 30 v	1080 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 139W (TC)
BD681Stu	- - -	RFQ	9620	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3	BD681		40 w	To-126-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1													100 v	4 a	500 ähm	NPN - Darlington	2,5 V @ 30 Ma, 1,5a	750 @ 1,5a, 3V	- - -
HUF75637P3	0,5200	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal	100 v	44a (TC)	10V	30mohm @ 44a, 10V	4v @ 250 ähm	108 NC @ 20 V	± 20 V	1700 PF @ 25 V.	- - -	155W (TC)
FDS7766	0,9400	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	30 v	17a (ta)	4,5 V, 10 V.	5mohm @ 17a, 10V	3v @ 250 ähm	69 NC @ 5 V.	± 16 v	4973 PF @ 15 V	- - -	1W (TA)
FDP8441	1.6100	RFQ	14	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	187		N-Kanal	40 v	23a (TA), 80A (TC)	10V	2,7 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	280 nc @ 10 v	± 20 V	15000 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
BC638BU	1.0000	RFQ	4505	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			1 w	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	1.000													60 v	1 a	100NA (ICBO)	PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 150 mA, 2V	100 MHz
2n5401ra	1.0000	RFQ	7966	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	2N5401		625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	2.000													150 v	600 mA	50 µA (ICBO)	PNP	500mv @ 5ma, 50 mA	60 @ 10ma, 5V	400 MHz
FCPF380N65FL1	- - -	RFQ	6833	Fairchild Semiconductor	FRFET®, Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	650 V	10.2a (TC)	10V	380MOHM @ 5.1a, 10V	5v @ 1ma	43 NC @ 10 V	± 20 V	1680 PF @ 100 V	- - -	33W (TC)
KSD1417TU	- - -	RFQ	3788	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	- - -	K. Loch	To-220-3 Full Pack			2 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50													60 v	7 a	100 µA (ICBO)	NPN - Darlington	2v @ 14ma, 7a	2000 @ 3a, 3v	- - -
FQP6N50C	0,7500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal	500 V	5.5a (TC)	10V	1,2OHM @ 2,8a, 10 V.	4v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 30 v	700 PF @ 25 V.	- - -	98W (TC)
FDMS8050ET30	- - -	RFQ	3133	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn		MOSFET (Metalloxid)		Power56	- - -				2156-FDMS8050ET30			1		N-Kanal	30 v	55A (TA), 423A (TC)	4,5 V, 10 V.	0,65 MOHM @ 55A, 10 V.	3v @ 750 ähm	285 NC @ 10 V	± 20 V	22610 PF @ 15 V	- - -	3,3 W (TA), 180 W (TC)
FDMC7200S	1.0000	RFQ	3898	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn	FDMC72	MOSFET (Metalloxid)	700 MW, 1W	8-Power33 (3x3)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)		30V	7a, 13a		22mohm @ 6a, 10V	3v @ 250 ähm	10nc @ 10v		660PF @ 15V	Logikpegel -tor
FDMA910PZ	1.0000	RFQ	7442	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-WDFN Exponierte Pad		MOSFET (Metalloxid)		6-microfet (2x2)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal	20 v	9,4a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	20mohm @ 9.4a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	29 NC @ 4,5 V.	± 8 v	2805 PF @ 10 V	- - -	2.4W (TA)
FDG312p	0,1800	RFQ	125	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		MOSFET (Metalloxid)		SC-88 (SC-70-6)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal	20 v	1.2a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	180 MOHM @ 1,2A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	5 NC @ 4,5 V.	± 8 v	330 PF @ 10 V.	- - -	750 MW (TA)
FCH085N80-F155	- - -	RFQ	7391	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	800 V	46a (TC)	10V	85mohm @ 23a, 10V	4,5 V @ 4,6 mA	255 NC @ 10 V	± 20 V	10825 PF @ 100 V	- - -	446W (TC)
FDD2570	1.4600	RFQ	84	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	150 v	4.7a (TA)	6 V, 10V	80MOHM @ 4.7a, 10V	4v @ 250 ähm	62 NC @ 10 V	± 20 V	1907 PF @ 75 V	- - -	3,2 W (TA), 70 W (TC)
FDS3682_NL	0,8300	RFQ	704	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	100 v	6a (ta)	6 V, 10V	35mohm @ 6a, 10V	4v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 20 V	1300 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA)
BC550ABU	0,0200	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.000													45 V	100 ma	15NA (ICBO)	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
SSU1N50BTU	0,3500	RFQ	55	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	SSU1N50	MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1		N-Kanal	520 v	1.3a (TC)	10V	5.3OHM @ 650 mA, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	340 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 26W (TC)
SFP9614	0,3000	RFQ	2635	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	726		P-Kanal	250 V	1,6a (TC)	10V	4OHM @ 800 mA, 10V	4v @ 250 ähm		± 30 v	295 PF @ 25 V.	- - -	20W (TC)
NZT6727	1.0000	RFQ	2702	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-3			1 w	SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500													40 v	1,5 a	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 100 mA, 1a	50 @ 1a, 1V	- - -
Fjv4113rmtf	- - -	RFQ	4762	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	FJV411		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000													50 v	100 ma	100NA (ICBO)	PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	200 MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
Fgp10n60undf	0,9900	RFQ	800	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv								Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	305
Fqpf6n60c	0,6600	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal	600 V	5.5a (TC)	10V	2OHM @ 2,75A, 10V	4v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	810 PF @ 25 V.	- - -	40W (TC)
SI3445DV	0,1200	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		Supersot ™ -6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	1		P-Kanal	20 v	5.5a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	33mohm @ 5,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	30 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1926 PF @ 10 V.	- - -	800 MW (TA)
ISL9N312AS3ST	0,8700	RFQ	40	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-263ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal	30 v	58a (TC)	4,5 V, 10 V.	12mohm @ 58a, 10V	3v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 20 V	1450 PF @ 15 V	- - -	75W (TA)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²