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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
IRLM120ATF Fairchild Semiconductor IRLM120ATF - - -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-4 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156 -irlm120ATF -600039 1 N-Kanal 100 v 2.3a (TC) 5v 220MOHM @ 1,15A, 5V 2v @ 250 ähm 15 NC @ 5 V ± 20 V 440 PF @ 25 V. - - - 2.7W (TC)
MMBT6515 Fairchild Semiconductor MMBT6515 - - -
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-MMBT6515-600039 1 25 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 50 mA 250 @ 2MA, 10V - - -
FQPF9N25C Fairchild Semiconductor Fqpf9n25c - - -
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 8.8a (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 30 v 710 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
2N4125BU Fairchild Semiconductor 2N4125BU - - -
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 1.000 30 v 200 ma 50na (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 2MA, 1V - - -
ISL9N306AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N306AP3 0,7500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 90 nc @ 10 v ± 20 V 3400 PF @ 15 V - - - 125W (TA)
FQD20N06TF Fairchild Semiconductor FQD20N06TF 0,4000
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 525 N-Kanal 60 v 16,8a (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 25 V 590 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 38W (TC)
FDS3570 Fairchild Semiconductor FDS3570 2.3700
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 80 v 9a (ta) 6 V, 10V 20mohm @ 9a, 10V 4v @ 250 ähm 76 NC @ 10 V ± 20 V 2750 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
FDMD8280 Fairchild Semiconductor FDMD8280 - - -
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 12-Powerwdfn FDMD82 MOSFET (Metalloxid) 1W 12-Power3.3x5 Herunterladen 0000.00.0000 1 2 n-kanal (dual) 80V 11a 8.2mohm @ 11a, 10V 4v @ 250 ähm 44nc @ 10v 3050pf @ 40V - - -
FCPF190N60E-F152 Fairchild Semiconductor FCPF190N60E-F152 - - -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-FCPF190N60E-F152 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 20,6a (TJ) 10V 190mohm @ 10a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 82 NC @ 10 V ± 20 V 3175 PF @ 25 V. - - - 39W (TC)
FDMS3610S Fairchild Semiconductor FDMS3610S - - -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS3610 MOSFET (Metalloxid) 1W Power56 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 25 v 17.5a, 30a 5mohm @ 17.5a, 10V 2v @ 250 ähm 26nc @ 10v 1570pf @ 13v Logikpegel -tor
FDP20AN06A0 Fairchild Semiconductor FDP20AN06A0 - - -
RFQ
 ECAD 9589 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 60 v 9A (TA), 45A (TC) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 950 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
RF1K49092 Fairchild Semiconductor RF1K49092 0,5200
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 Fairchild Semiconductor Littlefet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) RF1K4 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA) 8-soic Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 3 N und p-kanal 12V 3,5a (TA), 2,5a (TA) 50 MOHM @ 3,5A, 5 V, 130 MOHM @ 2,5A, 5V 2v @ 250 ähm 25nc @ 10v, 24nc @ 10v 750pf @ 10v, 775PF @ 10v - - -
SSS10N60B Fairchild Semiconductor SSS10N60B 0,7100
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 470 N-Kanal 600 V 9a (TJ) 10V 800 MOHM @ 4,5A, 10 V. 4v @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 30 v 2700 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
HUF75339S3ST Fairchild Semiconductor HUF75339S3ST 0,8800
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 130 NC @ 20 V ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
73389_Q Fairchild Semiconductor 73389_Q 0,6300
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 216
2N3415 Fairchild Semiconductor 2N3415 - - -
RFQ
 ECAD 8717 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 25 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 3ma, 50 mA 180 @ 2MA, 4,5 V. - - -
FOD817X_5700W Fairchild Semiconductor FOD817X_5700W - - -
RFQ
 ECAD 1319 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1
FDS6692 Fairchild Semiconductor FDS6692 0,6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 12a (ta) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 25 NC @ 5 V ± 16 v 2164 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
HUFA76504DK8T Fairchild Semiconductor HUFA76504DK8T 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) HUFA76504 MOSFET (Metalloxid) 2.5W 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 80V - - - 200mohm @ 2,5a, 10V 3v @ 250 ähm 10nc @ 10v 270pf @ 25v Logikpegel -tor
FDG311N Fairchild Semiconductor FDG311N 0,1900
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Metalloxid) SC-88 (SC-70-6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 20 v 1,9a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 115mohm @ 1,9a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 4,5 NC @ 4,5 V. ± 8 v 270 PF @ 10 V. - - - 750 MW (TA)
HUFA76407D3 Fairchild Semiconductor HUFA76407D3 0,2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 60 v 12a (TC) 4,5 V, 10 V. 92mohm @ 13a, 10V 3v @ 250 ähm 11.3 NC @ 10 V ± 16 v 350 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
KSC900LTA Fairchild Semiconductor KSC900LTA 0,0200
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 250 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.925 25 v 50 ma 50na (ICBO) Npn 200mv @ 2ma, 20 mA 350 @ 500 um, 3V 100 MHz
TIP31C Fairchild Semiconductor TIP31C 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-220-3 40 w To-220 - - - Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-tip31c-600039 873 100 v 3 a 200 µA Npn 1,2 V @ 375 Ma, 3a 10 @ 3a, 4V 3MHz
FDB8443 Fairchild Semiconductor FDB8443 - - -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 40 v 25a (TA), 120a (TC) 10V 3mohm @ 80a, 10V 4v @ 250 ähm 185 NC @ 10 V. ± 20 V 9310 PF @ 25 V. - - - 188W (TC)
FDZ451PZ Fairchild Semiconductor FDZ451PZ 0,0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (Metalloxid) 4-WLCSP (0,8x0,8) Herunterladen Ear99 8542.29.0095 1 P-Kanal 20 v 2.6a (TA) 1,5 V, 4,5 V. 140MOHM @ 2a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 8,8 NC @ 4,5 V. ± 8 v 555 PF @ 10 V - - - 400 MW (TA)
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor Fqu2N90TU 0,4800
RFQ
 ECAD 332 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5.040 N-Kanal 900 V 1.7a (TC) 10V 7.2OHM @ 850 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 500 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
TIS74 Fairchild Semiconductor Tis74 - - -
RFQ
 ECAD 6012 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 350 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 18PF @ 10V (VGS) 30 v 20 mA @ 15 V 2 V @ 4 na 40 Ohm
FQPF9N30 Fairchild Semiconductor Fqpf9n30 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 300 V 6a (TC) 10V 450Mohm @ 3a, 10V 5 V @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 30 v 740 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor Fdb13an06a0 - - -
RFQ
 ECAD 8081 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 60 v 10.9a (TA), 62A (TC) 6 V, 10V 13,5 MOHM @ 62A, 10V 4v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 1350 PF @ 25 V. - - - 115W (TC)
FQAF12P20 Fairchild Semiconductor FQAF12P20 0,7700
RFQ
 ECAD 2377 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 124 P-Kanal 200 v 8.6a (TC) 10V 470MOHM @ 4.3a, 10V 5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 30 v 1200 PF @ 25 V. - - - 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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