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Transistoren (3825)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
2N7052 Fairchild Semiconductor 2N7052 0,0600
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 12 100 v 1,5 a 200na NPN - Darlington 1,5 V @ 100 µA, 100 mA 1000 @ 1a, 5v 200 MHz
SI4431DY Fairchild Semiconductor Si4431dy 0,2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 5.000 P-Kanal 30 v 6.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 32mohm @ 7a, 10V 3v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 930 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
FDC658P Fairchild Semiconductor FDC658p - - -
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) Supersot ™ -6 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 30 v 4a (ta) 10V 50mohm @ 4a, 10V 3v @ 250 ähm 12 NC @ 5 V ± 20 V 750 PF @ 15 V - - - 1.6W (TA)
MMBTH10RG Fairchild Semiconductor MMBTH10RG 0,0700
RFQ
 ECAD 378 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 40V 50 ma Npn 50 @ 1ma, 6v 450 MHz - - -
FDMQ8403 Fairchild Semiconductor FDMQ8403 - - -
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 Fairchild Semiconductor Greenbridge ™ Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 12-WDFN Exponierte Pad FDMQ84 MOSFET (Metalloxid) 1,9W 12-MLP (5x4,5) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 100V 3.1a 110MOHM @ 3a, 10V 4v @ 250 ähm 5nc @ 10v 215PF @ 15V - - -
SI9933BDY Fairchild Semiconductor SI9933BDY - - -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) SI9933 - - - 900 MW (TA) 8-soic Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 2 p-kanal (dual) 20V 3.4a (TA) 75mohm @ 3,2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 20nc @ 4,5 V 825PF @ 10V - - -
RFP8P10 Fairchild Semiconductor RFP8P10 0,2700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 8a (TC) 10V 400mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 1500 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
FQNL1N50BTA Fairchild Semiconductor FQNL1N50BTA - - -
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 944 N-Kanal 500 V 270 Ma (TC) 10V 9ohm @ 135 mA, 10V 3,7 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 30 v 150 PF @ 25 V. - - - 1,5 W (TC)
HUF76107D3ST Fairchild Semiconductor HUF76107D3ST 0,3300
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 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 52mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 10.3 NC @ 10 V ± 20 V 315 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
BCW89 Fairchild Semiconductor BCW89 - - -
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCW89 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP 300 mV @ 500 µA, 10 mA 120 @ 2MA, 5V - - -
FDPF12N35 Fairchild Semiconductor FDPF12N35 0,5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 350 V 12a (TC) 10V 380Mohm @ 6a, 10V 5 V @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 30 v 1110 PF @ 25 V - - - 31.3W (TC)
FQA34N25 Fairchild Semiconductor FQA34N25 2.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 450 N-Kanal 250 V 34a (TC) 10V 85mohm @ 17a, 10V 5 V @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 30 v 2750 PF @ 25 V. - - - 245W (TC)
FDPC8014AS Fairchild Semiconductor FDPC8014As 1.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn FDPC8014 MOSFET (Metalloxid) 2.1W, 2.3W Power Clip 56 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 25 v 20a, 40a 3,8 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 35nc @ 10v 2375PF @ 13V - - -
FDME1034CZT Fairchild Semiconductor Fdme1034czt 1.0000
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFDFN exponiert Pad FDME1034 MOSFET (Metalloxid) 600 MW 6-microfet (1,6x1,6) Herunterladen 0000.00.0000 1 N und p-kanal 20V 3,8a, 2,6a 66mohm @ 3,4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 4.2nc @ 4.5V 300PF @ 10V Logikpegel -tor
FP7G75US60 Fairchild Semiconductor FP7G75US60 29.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Power-SPM ™ Rohr Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg EPM7 310 w Standard EPM7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5 Halbbrücke - - - 600 V 75 a 2,8 V @ 15V, 75a 250 µA NEIN 4.515 NF @ 30 V
ZTX749 Fairchild Semiconductor ZTX749 1.0000
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 1 w To-226 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 1 25 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 1a, 2v 100 MHz
BD434STU Fairchild Semiconductor BD434stu 0,3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 36 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 60 22 v 4 a 100 µA PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 40 @ 10ma, 5V 3MHz
KSB1116AGTA Fairchild Semiconductor KSB1116AGTA - - -
RFQ
 ECAD 1565 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 750 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.141 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300 mV @ 50 Ma, 1a 200 @ 100 Ma, 2V 120 MHz
FDMC8678S Fairchild Semiconductor FDMC8678S 0,7000
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) Power33 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 15a (ta), 18a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.2mohm @ 15a, 10V 3V @ 1ma 34 NC @ 10 V. ± 20 V 2075 PF @ 15 V - - - 2,3 W (TA), 41W (TC)
FQPF34N20L Fairchild Semiconductor Fqpf34n20l 1.1400
RFQ
 ECAD 764 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 17,5a (TC) 5v, 10V 75mohm @ 8.75a, 10V 2v @ 250 ähm 72 NC @ 5 V. ± 20 V 3900 PF @ 25 V. - - - 55W (TC)
FGPF30N45TTU Fairchild Semiconductor FGPF30N45TTU 1.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Standard 50,4 w To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 - - - Graben 450 V 120 a 1,6 V @ 15V, 20a - - - 73 NC - - -
FDN361AN Fairchild Semiconductor Fdn361an - - -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 1,8a (ta) 4,5 V, 10 V. 100MOHM @ 1,8a, 10 V. 3v @ 250 ähm 4 NC @ 5 V. ± 20 V 220 PF @ 15 V - - - 500 MW (TA)
FCP104N60 Fairchild Semiconductor FCP104N60 3.2300
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 93 N-Kanal 600 V 37a (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 82 NC @ 10 V ± 20 V 4165 PF @ 380 V - - - 357W (TC)
KSC2688YSTU Fairchild Semiconductor KSC2688YSTU 0,1900
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1,25 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 60 300 V 200 ma 100 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 mA, 10 V. 80MHz
FDMC8015L Fairchild Semiconductor FDMC8015L 0,4100
RFQ
 ECAD 1325 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn MOSFET (Metalloxid) 8-MLP (3,3x3,3) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 40 v 7a (ta), 18a (TC) 4,5 V, 10 V. 26mohm @ 7a, 10V 3v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 945 PF @ 20 V - - - 2,3 W (TA), 24 W (TC)
KSE13009TU Fairchild Semiconductor KSE13009TU - - -
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 KSE13009 To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - Npn 3v @ 3a, 12a 8 @ 5a, 5V 4MHz
2SA2210-EPN-1EX Fairchild Semiconductor 2SA2210-epn-1ex 1.0000
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-220-3 Full Pack 2SA2210 2 w To-220F-3SG - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1 50 v 20 a 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 350 mA, 7a 150 @ 1a, 2v 140 MHz
IRFR120 Fairchild Semiconductor IRFR120 0,4200
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-IRFR120-600039 1 N-Kanal 100 v 7.7a (TC) 10V 270 MOHM @ 4,6a, 10V 4v @ 250 ähm 16 NC @ 10 V ± 20 V 360 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 42 W (TC)
FDP6676 Fairchild Semiconductor FDP6676 0,9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 84a (ta) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 42a, 10V 3v @ 250 ähm 60 NC @ 5 V ± 16 v 5324 PF @ 15 V - - - 93W (TC)
BC369 Fairchild Semiconductor BC369 1.0000
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 20 v 1 a 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 85 @ 500 mA, 1V 65 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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