RFQ
Bom
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Transistoren (3825)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
MJD45H11TM	- - -	RFQ	3505	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	MJD45		1,75 w	To-252-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	Ear99	0000.00.0000	1,158													80 v	8 a	10 µA	PNP	1v @ 400 mA, 8a	40 @ 4a, 1V	40 MHz
Fqh18n50v2	3.0300	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	450		N-Kanal	500 V	20A (TC)	10V	265mohm @ 10a, 10V	5 V @ 250 ähm	55 NC @ 10 V	± 30 v	3290 PF @ 25 V.	- - -	277W (TC)
FDD6670AL	1.0100	RFQ	48	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	30 v	84a (ta)	4,5 V, 10 V.	5mohm @ 18a, 10V	3v @ 250 ähm	56 NC @ 5 V.	± 20 V	3845 PF @ 15 V	- - -	83W (TA)
KSC5047TU	0,5700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3			100 w	To-3pn	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	450													50 v	15 a	100 µA (ICBO)	Npn	500mv @ 120 mA, 5a	40 @ 5a, 5V	- - -
Fqa34n20l	1.3900	RFQ	669	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal	200 v	34a (TC)	5v, 10V	75mohm @ 17a, 10V	2v @ 250 ähm	72 NC @ 5 V.	± 20 V	3900 PF @ 25 V.	- - -	210W (TC)
BC80716MTF	0,0300	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BC807		310 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	3.000													45 V	800 mA	100na	PNP	700 mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 100 mA, 1V	100 MHz
HUF76445S3S	0,8400	RFQ	513	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal	60 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	6,5 MOHM @ 75A, 10V	3v @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.	± 16 v	4965 PF @ 25 V.	- - -	310W (TC)
MJE172stu	- - -	RFQ	8305	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3	MJE172		1,5 w	To-126-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	1													80 v	3 a	100NA (ICBO)	PNP	1,7 V @ 600 Ma, 3a	50 @ 100 mA, 1V	50 MHz
FDMD82100	- - -	RFQ	7058	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	12-Powerwdfn	FDMD82	MOSFET (Metalloxid)	1W	12-Power3.3x5	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)		100V	7a		19Mohm @ 7a, 10V	4v @ 250 ähm	17nc @ 10v		1070PF @ 50V	- - -
FGB3245G2	- - -	RFQ	7607	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert			800
KSB772YSTU	0,1900	RFQ	814	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3			1 w	To-126-3	Herunterladen				Ear99	8541.29.0095	1,576													30 v	3 a	1 µA (ICBO)	PNP	500mv @ 200 Ma, 2a	160 @ 1a, 2v	80MHz
HUFA76439P3	0,5700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal	60 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	12mohm @ 75a, 10V	3v @ 250 ähm	84 NC @ 10 V	± 16 v	2745 PF @ 25 V.	- - -	155W (TC)
FDG410NZ	- - -	RFQ	3863	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		MOSFET (Metalloxid)		SC-88 (SC-70-6)	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1.787		N-Kanal	20 v	2.2a (TA)	1,5 V, 4,5 V.	70 MOHM @ 2,2A, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	7,2 NC @ 4,5 V.	± 8 v	535 PF @ 10 V.	- - -	420 MW (TA)
MPS6515	0,0400	RFQ	39	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	2.000													25 v	200 ma	50na (ICBO)	Npn	500mv @ 5ma, 50 mA	250 @ 2MA, 10V	- - -
FDP7N50	- - -	RFQ	9668	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	500 V	7a (TC)	10V	900mohm @ 3,5a, 10 V	5 V @ 250 ähm	16.6 NC @ 10 V.	± 30 v	940 PF @ 25 V.	- - -	89W (TC)
FDW2515NZ	0,3400	RFQ	165	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)	FDW25	MOSFET (Metalloxid)	1.1W (TA)	8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss		20V	5.8a (ta)		28mohm @ 5,8a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	12nc @ 5v		745PF @ 10V	- - -
Mje350stu-fs	- - -	RFQ	6894	Fairchild Semiconductor	MJE350	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			20 w	SOT-223	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	1													300 V	500 mA	100 µA (ICBO)	PNP	- - -	30 @ 50 Ma, 10 V	- - -
FDMC7570S	1.4600	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn		MOSFET (Metalloxid)		Power33	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	25 v	27a (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10 V.	2mohm @ 27a, 10V	3V @ 1ma	68 NC @ 10 V.	± 20 V	4410 PF @ 13 V	- - -	2,3 W (TA), 59W (TC)
TN5415a	0,0500	RFQ	1778	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			1 w	To-226-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	1.456													200 v	100 ma	50 µA	PNP	2,5 V @ 5 mA, 50 mA	30 @ 50 Ma, 10 V	- - -
KSB744AYSTU	0,1600	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3			1 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0075	60													60 v	3 a	1 µA (ICBO)	PNP	2v @ 150 mA, 1,5a	160 @ 500 mA, 5V	45 MHz
PN2907ATF	0,0400	RFQ	54	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			625 MW	To-92-3	Herunterladen				Ear99	8541.21.0075	7.036													60 v	800 mA	20na (ICBO)	PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
Fqi8n60ctu	1.1800	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	Fqi8n60	MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	600 V	7.5a (TC)	10V	1,2OHM @ 3,75A, 10 V.	4v @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1255 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 147W (TC)
FQB25N33TM-F085	1.8900	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	330 V	25a (TC)	10V	230mohm @ 12.5a, 10V	5 V @ 250 ähm	75 NC @ 15 V	± 30 v	2010 PF @ 25 V	- - -	3.1W (TA), 250 W (TC)
KSC2330ota	0,0700	RFQ	105	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)	KSC2330		1 w	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	1													300 V	100 ma	100NA (ICBO)	Npn	500mv @ 1ma, 10 mA	70 @ 20 mA, 10V	50 MHz
FDA18N50	1.7800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3pn	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	169		N-Kanal	500 V	19A (TC)	10V	265mohm @ 9.5a, 10V	5 V @ 250 ähm	60 nc @ 10 v	± 30 v	2860 PF @ 25 V.	- - -	239W (TC)
FDZ202p	0,2700	RFQ	152	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	12-WFBGA		MOSFET (Metalloxid)		12-bga (2x2,5)	Herunterladen	Rohs Nick Konform			Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	20 v	5.5a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	45mohm @ 5,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	13 NC @ 4,5 V.	± 12 V	884 PF @ 10 V.	- - -	2W (TA)
SFS9630YDtuas001	0,2700	RFQ	9574	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				SFS9630	- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.29.0095	800											- - -
FQD30N06TF	- - -	RFQ	2403	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	21		N-Kanal	60 v	22.7a (TC)	10V	45mohm @ 11.4a, 10V	4v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 25 V	945 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 44W (TC)
NDS9407	- - -	RFQ	3348	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal	60 v	3a (ta)	4,5 V, 10 V.	150 MOHM @ 3A, 10V	3v @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 20 V	732 PF @ 30 V	- - -	1W (TA)
FDP75N08	1.0400	RFQ	365	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal	75 V	75a (TC)	10V	11mohm @ 37,5a, 10V	4v @ 250 ähm	104 NC @ 10 V	± 20 V	4468 PF @ 25 V.	- - -	131W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3825)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²