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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
Fqpf12p20xdtu	- - -	RFQ	1429	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	Fqpf1		MOSFET (Metalloxid)		To-220f	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal		200 v	7.3a (TC)	10V	470MOHM @ 3.65A, 10V	5 V @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 30 v	1200 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
BCX59-9	- - -	RFQ	7759	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0095	1															45 V	100 ma						- - -	Npn	- - -	250 @ 2MA, 5V	125 MHz
Fqpf4n20	0,2700	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		200 v	2.8a (TC)	10V	1,4OHM @ 1,4a, 10 V.	5 V @ 250 ähm	6,5 NC @ 10 V.	± 30 v	220 PF @ 25 V.	- - -	27W (TC)
FGR15N40A	0,3200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm Breit)		Logik		1,25 w		Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1			300 V, 150a, 51OHM, 4V											- - -	400 V	8 a	150 a	6v @ 4V, 150a	- - -	41 NC	180ns/460ns
HUF76137P3	0,8400	RFQ	13	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 75a, 10V	3v @ 250 ähm	72 NC @ 10 V	± 20 V	2100 PF @ 25 V	- - -	145W (TC)
PN2907ATF	0,0400	RFQ	54	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	7.036															60 v	800 mA						20na (ICBO)	PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
KSD5041QBU	0,0500	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				750 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1															20 v	5 a						100NA (ICBO)	Npn	1v @ 100 mA, 3a	230 @ 500 mA, 2V	150 MHz
Fdd068an03l	0,6100	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	17a (ta), 35a (TC)	4,5 V, 10 V.	5.7mohm @ 35a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	60 nc @ 10 v	± 20 V	2525 PF @ 15 V	- - -	80W (TC)
KSD526OTU	1.0000	RFQ	1311	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				30 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50															80 v	4 a						30 µA (ICBO)	Npn	1,5 V @ 300 Ma, 3a	70 @ 500 mA, 5V	8MHz
HUFA76419P3	0,2800	RFQ	18	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		60 v	29a (TC)	4,5 V, 10 V.	35mohm @ 29a, 10V	3v @ 250 ähm	28 NC @ 10 V	± 16 v	900 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)
FDZ2554PZ	0,6400	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	18-WFBGA	FDZ25		MOSFET (Metalloxid)	2.1W	18-bga (2,5 x 4)	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.29.0095	3.000	2 p-kanal (dual)			20V	6.5a		28mohm @ 6,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	21nc @ 4,5V		1430pf @ 10v	Logikpegel -tor
FCP11N60N	1.7400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Supremos ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	173		N-Kanal		600 V	10.8a (TC)	10V	299mohm @ 5.4a, 10V	4v @ 250 ähm	35.6 NC @ 10 V.	± 30 v	1505 PF @ 100 V	- - -	94W (TC)
FDI040N06	1.7200	RFQ	252	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		60 v	120a (TC)	10V	4mohm @ 75a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	133 NC @ 10 V	± 20 V	8235 PF @ 25 V.	- - -	231W (TC)
Fqpf2na90	- - -	RFQ	4799	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	364		N-Kanal		900 V	1.7a (TC)	10V	5.8ohm @ 850 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	680 PF @ 25 V.	- - -	39W (TC)
NZT6717	- - -	RFQ	4983	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	NZT67			1 w	SOT-223-4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	2,219															80 v	1.2 a						100NA (ICBO)	Npn	350 MV @ 10 Ma, 250 mA	50 @ 250 mA, 1V	- - -
FDB2532-F085	- - -	RFQ	3736	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		150 v	79a (TC)	6 V, 10V	16mohm @ 33a, 10V	4v @ 250 ähm	107 NC @ 10 V	± 20 V	5870 PF @ 25 V.	- - -	310W (TC)
FDMD82100	- - -	RFQ	7058	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	12-Powerwdfn	FDMD82		MOSFET (Metalloxid)	1W	12-Power3.3x5	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)			100V	7a		19Mohm @ 7a, 10V	4v @ 250 ähm	17nc @ 10v		1070PF @ 50V	- - -
FQB11N40TM	0,5200	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		400 V	11.4a (TC)	10V	480MOHM @ 5.7a, 10V	5 V @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	1400 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 147W (TC)
IRFS510A	- - -	RFQ	6743	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		100 v	4,5a (TC)	10V	400mohm @ 2.25a, 10 V.	4v @ 250 ähm	12 NC @ 10 V	± 20 V	240 PF @ 25 V.	- - -	21W (TC)
FDP045N10A	1.0000	RFQ	5768	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	FDP045		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		100 v	120a (TC)	10V	4,5 MOHM @ 100A, 10V	4v @ 250 ähm	74 NC @ 10 V	± 20 V	5270 PF @ 50 V	- - -	263W (TC)
FQP10N60C	1.0900	RFQ	4844	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	244		N-Kanal		600 V	9,5a (TC)	10V	730mohm @ 4.75a, 10V	4v @ 250 ähm	57 NC @ 10 V	± 30 v	2040 PF @ 25 V.	- - -	156W (TC)
FDPF5N50TYDTU	0,6000	RFQ	51	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads			MOSFET (Metalloxid)		To-220F (LG-Formed)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	5a (TC)	10V	1,4OHM @ 2,5a, 10 V.	5 V @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 30 v	640 PF @ 25 V.	- - -	28W (TC)
FDC658p	- - -	RFQ	8750	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			MOSFET (Metalloxid)		Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal		30 v	4a (ta)	10V	50mohm @ 4a, 10V	3v @ 250 ähm	12 NC @ 5 V	± 20 V	750 PF @ 15 V	- - -	1.6W (TA)
HUF75925D3ST	0,3300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		200 v	11a (TC)	10V	275mohm @ 11a, 10V	4v @ 250 ähm	78 NC @ 20 V	± 20 V	1030 PF @ 25 V.	- - -	100 W (TC)
Fqpf6n60	0,9400	RFQ	887	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		600 V	3.6a (TC)	10V	1,5OHM @ 1,8a, 10V	5 V @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 30 v	1000 PF @ 25 V.	- - -	44W (TC)
FDS2572	- - -	RFQ	4207	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		150 v	4,9a (TC)	10V	47mohm @ 4,9a, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 20 V	2870 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA)
Huf75542p3_nl	- - -	RFQ	8266	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	114		N-Kanal		80 v	75a (TC)	10V	14mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	180 NC @ 20 V.	± 20 V	2750 PF @ 25 V.	- - -	230W (TC)
Ech8320-tl-H	0,3900	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-smd, Flaches Blei			MOSFET (Metalloxid)		SOT-28FL/ECH8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal		20 v	9,5a (TA)		14,5 MOHM @ 5A, 4,5 V.	1,3 V @ 1ma	25 NC @ 4,5 V.	± 10 V	2300 PF @ 10 V.	- - -	1.6W (TA)
KSC2688YSTU	0,1900	RFQ	156	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3				1,25 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	60															300 V	200 ma						100 µA (ICBO)	Npn	1,5 V @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 mA, 10 V.	80MHz
KSD985Ostu	0,1700	RFQ	4128	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3				1 w	To-126-3	- - -	ROHS3 -KONFORM			2156-kSD985Ostu-FS	Ear99	8541.29.0095	60															60 v	1,5 a						10 µA (ICBO)	NPN - Darlington	1,5 V @ 1ma, 1a	4000 @ 1a, 2v	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²