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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
Fqpf15p12	- - -	RFQ	4050	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	- - -				2156-FQPF15P12			1		P-Kanal		120 v	15a (TC)	10V	200mohm @ 7.5a, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 30 v	1100 PF @ 25 V.	- - -	41W (TC)
MJD44H11TM	- - -	RFQ	5067	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				1,75 w	To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1															80 v	8 a						1 µA	Npn	1v @ 400 mA, 8a	60 @ 2a, 1V	85 MHz
BC548BTA	0,0400	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				500 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	8.662															30 v	100 ma						15NA (ICBO)	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	300 MHz
FDC699p	0,5500	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP			MOSFET (Metalloxid)		Supersot ™ -6 FLMP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal		20 v	7a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	22mohm @ 7a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	38 NC @ 5 V.	± 12 V	2640 PF @ 10 V.	- - -	2W (TA)
495220TU	0,2200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				40 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50															325 v	4 a						5 mA (ICBO)	NPN - Darlington	1,5 V @ 5ma, 2a	1000 @ 3a, 5v	- - -
FDD6606	0,7200	RFQ	214	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	75A (TA)	4,5 V, 10 V.	6mohm @ 17a, 10V	3v @ 250 ähm	31 NC @ 5 V.	± 20 V	2400 PF @ 15 V	- - -	71W (TC)
HUF76419D3	0,2400	RFQ	4250	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.140		N-Kanal		60 v	20A (TC)	4,5 V, 10 V.	37mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	27,5 NC @ 10 V.	± 16 v	900 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)
FDB8442-F085-FS	1.6100	RFQ	351	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		40 v	28a (TA), 80A (TC)	10V	2,9 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	235 NC @ 10 V	± 20 V	12200 PF @ 25 V.	- - -	254W (TC)
FDMS3602As	0,9400	RFQ	14	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	FDMS3602		MOSFET (Metalloxid)	2,2 W, 2,5W	8-PQFN (5x6)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch			25 v	15a, 26a		5.6mohm @ 15a, 10V	3v @ 250 ähm	27nc @ 10v		1770pf @ 13v	Logikpegel -tor
Si4467dy	0,8800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal		20 v	13,5a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	8,5 MOHM @ 13,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	120 NC @ 4,5 V.	± 8 v	8237 PF @ 10 V	- - -	1.2W (TA)
HGTG18N120BN	- - -	RFQ	6491	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Hgtg18	Standard		390 w	To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1			960V, 18a, 3OHM, 15 V.											Npt	1200 V	54 a	165 a	2,7 V @ 15V, 18a	800 µJ (EIN), 1,8MJ (AUS)	165 NC	23ns/170ns
FDB9403L-F085	2.4400	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		40 v	110a (TC)	10V	1,2 MOHM @ 80A, 10V	3v @ 250 ähm	245 NC @ 10 V	± 20 V	13500 PF @ 20 V	- - -	333W (TJ)
FDPF12N35	0,5300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		350 V	12a (TC)	10V	380Mohm @ 6a, 10V	5 V @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 30 v	1110 PF @ 25 V	- - -	31.3W (TC)
HGT1S2N120CN	1.8700	RFQ	87	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		Standard		104 w	To-262	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50			960 V, 2,6a, 51OHM, 15 V.											Npt	1200 V	13 a	20 a	2,4 V @ 15V, 2,6a	96 µJ (EIN), 355 µJ (AUS)	30 NC	25ns/205ns
FDPF12N50ft	1.0500	RFQ	24	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	287		N-Kanal		500 V	11,5a (TC)	10V	700MOHM @ 6a, 10V	5 V @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 30 v	1395 PF @ 25 V.	- - -	42W (TC)
FDB045AN08A0	- - -	RFQ	9440	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	19A (TA), 90A (TC)	6 V, 10V	4,5 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	138 NC @ 10 V	± 20 V	6600 PF @ 25 V.	- - -	310W (TC)
Ntd5c446nt4g	1.3700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		Dpak	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-NTD5C446NT4G-600039			1		N-Kanal		40 v	110a (TC)	10V	3,5 MOHM @ 50A, 10V	4v @ 250 ähm	34,3 NC @ 10 V.	± 20 V	2300 PF @ 20 V	- - -	66W (TC)
2N6518ta	0,0500	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000															250 V	500 mA						50na (ICBO)	PNP	1v @ 5 ma, 50 mA	45 @ 50 Ma, 10 V.	200 MHz
FQI6N40CTU	0,2900	RFQ	5796	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	140		N-Kanal		400 V	6a (TC)	10V	1ohm @ 3a, 10 V	4v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	625 PF @ 25 V.	- - -	73W (TC)
BC308A	0,0200	RFQ	1164	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.396															25 v	100 ma						15na	PNP	500 mV @ 5ma, 100 mA	120 @ 2MA, 5V	130 MHz
Fqpf9n50	0,8500	RFQ	43	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		500 V	5.3a (TC)	10V	730MOHM @ 2,65A, 10V	5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1450 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
Fqpf3n50c	0,7000	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	3a (TC)	10V	2,5 Ohm bei 1,5a, 10 V	4v @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	365 PF @ 25 V.	- - -	25W (TC)
FDMC8878	- - -	RFQ	8504	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn	FDMC88		MOSFET (Metalloxid)		8-MLP (3,3x3,3)	Herunterladen						0000.00.0000	1		N-Kanal		30 v	9,6a (TA), 16,5a (TC)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 9.6a, 10V	3v @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 20 V	1230 PF @ 15 V	- - -	2.1W (TA), 31W (TC)
FQAF14N30	1.0400	RFQ	310	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	310		N-Kanal		300 V	11.4a (TC)	10V	290MOHM @ 5.7A, 10V	5 V @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 30 v	1360 PF @ 25 V.	- - -	90W (TC)
FDS6609a	1.1200	RFQ	9304	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	185		P-Kanal		30 v	6.3a (ta)	4,5 V, 10 V.	32mohm @ 7a, 10V	3v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	930 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
IRFI624BTUFP001	0,1400	RFQ	9856	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal		250 V	4.1a (TC)	10V	1,1OHM @ 2,05A, 10V	4v @ 250 ähm	18 NC @ 10 V.	± 30 v	450 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 49W (TC)
Fqpf13n06	0,3100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		60 v	9,4a (TC)	10V	135mohm @ 4.7a, 10V	4v @ 250 ähm	7,5 NC @ 10 V	± 25 V	310 PF @ 25 V.	- - -	24W (TC)
FDS6670As	1.0000	RFQ	7291	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS66		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		30 v	13,5a (TA)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 13.5a, 10V	3V @ 1ma	38 nc @ 10 v	± 20 V	1540 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
MMBF4091	- - -	RFQ	3799	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-MMBF4091-600039	Ear99	8541.21.0095	1
Fqa28n50f	- - -	RFQ	2936	Fairchild Semiconductor	FRFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	28,4a (TC)	10V	160 MOHM @ 14.2a, 10V	5 V @ 250 ähm	140 nc @ 10 v	± 30 v	5600 PF @ 25 V.	- - -	310W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²