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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
FDMQ8403	- - -	RFQ	7103	Fairchild Semiconductor	Greenbridge ™ Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	12-WDFN Exponierte Pad	FDMQ84		MOSFET (Metalloxid)	1,9W	12-MLP (5x4,5)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	4 N-Kanal (Halbe Brücke)			100V	3.1a		110MOHM @ 3a, 10V	4v @ 250 ähm	5nc @ 10v		215PF @ 15V	- - -
FDPF9N50NZ-FS	0,7300	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				Fdpf9n		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1												- - -
FDD6N50TM	- - -	RFQ	3527	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		500 V	6a (TC)	10V	900mohm @ 3a, 10V	5 V @ 250 ähm	16.6 NC @ 10 V.	± 30 v	9400 PF @ 25 V.	- - -	89W (TC)
FDW2508p	0,5300	RFQ	304	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit)	FDW25		MOSFET (Metalloxid)	1W	8-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500	2 p-kanal (dual)			12V	6a		18mohm @ 6a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	36nc @ 4,5V		2644pf @ 6v	Logikpegel -tor
FDS4410	0,3600	RFQ	51	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	10a (ta)	4,5 V, 10 V.	13,5 MOHM @ 10a, 10V	3v @ 250 ähm	31 NC @ 10 V	± 20 V	1340 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
FDP045N10AF102	- - -	RFQ	6754	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	101		N-Kanal		100 v	120a (TC)	10V	4,5 MOHM @ 100A, 10V	4v @ 250 ähm	74 NC @ 10 V	± 20 V	5270 PF @ 50 V	- - -	263W (TC)
TIP105	1.0000	RFQ	5507	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	TIP105			2 w	To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1																60 v	8 a						50 µA	PNP - Darlington	2,5 V @ 80 Ma, 8a	2000 @ 3a, 4V	- - -
FDC604p	1.0000	RFQ	3775	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			MOSFET (Metalloxid)		Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal		20 v	5.5a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	33mohm @ 5,5a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	30 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1926 PF @ 10 V.	- - -	1.6W (TA)
FGI40N60SFTU	3.3100	RFQ	900	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		Standard		290 w	I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50			400 V, 40a, 10ohm, 15 V.												Feldstopp	600 V	80 a	120 a	2,9 V @ 15V, 40a	1,13 MJ (EIN), 310 µJ (AUS)	120 NC	25ns/115ns
PN100	0,0400	RFQ	998	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																45 V	500 mA						50na	Npn	400mv @ 20 mA, 200 mA	100 @ 150 mA, 5V	250 MHz
MPS6534	0,0400	RFQ	82	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000																40 v	800 mA						50na (ICBO)	PNP	300mv @ 10 mA, 100 mA	90 @ 100 mA, 1V	- - -
BC547B	0,0600	RFQ	35	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	4,991																45 V	100 ma						15na	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	300 MHz
PN3645	0,0500	RFQ	87	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000																60 v	800 mA						35na	PNP	400mv @ 15ma, 150 mA	100 @ 150 mA, 10V	- - -
MPSA28	0,0700	RFQ	9106	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	1,198																80 v	500 mA						500NA	NPN - Darlington	1,5 V @ 100 µA, 100 mA	10000 @ 100 mA, 5V	200 MHz
ISL9V3036S3ST_SB82029A	1.4300	RFQ	954	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Verkäfer undefiniert	2156-ISl9v3036S3ST_SB82029A-600039			1
FQP3P50	1.0000	RFQ	6719	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal		500 V	2.7a (TC)	10V	4,9ohm bei 1,35a, 10V	5 V @ 250 ähm	23 NC @ 10 V	± 30 v	660 PF @ 25 V.	- - -	85W (TC)
Rfd16n05_nl	0,6400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	PSPICE®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		50 v	16a (TC)	10V	47mohm @ 16a, 10V	4v @ 250 ähm	80 nc @ 20 V	± 20 V	900 PF @ 25 V.	- - -	72W (TC)
KSD2012GTU	0,4200	RFQ	67	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				25 w	To-220f-3	- - -		Verkäfer undefiniert	Reichweiite Betroffen	2156-kSD2012Gtu-600039			772																60 v	3 a						100 µA (ICBO)	Npn	1v @ 200 Ma, 2a	150 @ 500 mA, 5V	3MHz
FDJ1027p	0,3200	RFQ	283	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-75-6 FLMP	FDJ1027		MOSFET (Metalloxid)	900 MW	SC75-6 FLMP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000	2 p-kanal (dual)			20V	2.8a		160 MOHM @ 2,8a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	4nc @ 4,5V		290pf @ 10v	Logikpegel -tor
MMBT4400	0,0300	RFQ	97	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBT4400			350 MW	SOT-23	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	8,876																40 v	600 mA						- - -	Npn	750 MV @ 50 Ma, 500 mA	50 @ 150 mA, 10V	- - -
ISL9N302AS3	1.9800	RFQ	400	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv	- - -	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	Isl9		MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		30 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	2,3 MOHM @ 75A, 10V	3v @ 250 ähm	300 NC @ 10 V.	± 20 V	11000 PF @ 15 V	- - -	345W (TC)
ISL9v5036p3	- - -	RFQ	2337	Fairchild Semiconductor	ECOSPARK®	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		Logik		250 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400			300 V, 1kohm, 5V												- - -	390 v	46 a		1,6 V @ 4V, 10a	- - -	32 NC	-/10,8 µs
HUF75631SK8T	- - -	RFQ	6747	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		100 v	5.5a (TA)	10V	39mohm @ 5.5a, 10V	4v @ 250 ähm	79 NC @ 20 V	± 20 V	1225 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA)
Fqp7p06	0,6600	RFQ	66	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	457		P-Kanal		60 v	7a (TC)	10V	410mohm @ 3,5a, 10V	4v @ 250 ähm	8.2 NC @ 10 V	± 25 V	295 PF @ 25 V.	- - -	45W (TC)
FDP7030L	2.1300	RFQ	29	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		30 v	80A (TA)	4,5 V, 10 V.	7mohm @ 40a, 10V	3v @ 250 ähm	33 NC @ 5 V.	± 20 V	2440 PF @ 15 V	- - -	68W (TC)
Sfi9z14tu	0,1700	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal		60 v	6.7a (TC)	10V	500mohm @ 3.4a, 10 V.	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	350 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 38W (TC)
FDS8949	1.0000	RFQ	2329	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS89		MOSFET (Metalloxid)	2W	8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)			40V	6a		29mohm @ 6a, 10V	3v @ 250 ähm	11nc @ 5v		955PF @ 20V	Logikpegel -tor
FGL40N150Dtu	- - -	RFQ	3389	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa		Standard		200 w		Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2			- - -											170 ns	- - -	1500 V	40 a	120 a	4,5 V @ 15V, 40a	- - -	170 nc	- - -
FDS4070N7	1.6200	RFQ	71	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		40 v	15.3a (ta)	10V	7mohm @ 15.3a, 10V	5 V @ 250 ähm	67 NC @ 10 V	± 20 V	2819 PF @ 20 V	- - -	3W (TA)
HUFA75344S3S	0,9400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		55 v	75a (TC)	10V	8mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	210 NC @ 20 V	± 20 V	3200 PF @ 25 V.	- - -	285W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²