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Transistoren (3825)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
BC856BMTF	- - -	RFQ	3208	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BC856			310 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																65 V	100 ma						15NA (ICBO)			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
FDB6030L	0,4900	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		30 v	48a (ta)	4,5 V, 10 V.	13mohm @ 26a, 10V	3v @ 250 ähm	18 NC @ 5 V.	± 20 V	1250 PF @ 15 V	- - -	52W (TC)
ISL9V2040S3S	1.0000	RFQ	5345	Fairchild Semiconductor	ECOSPARK®	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		Logik		130 w		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400			300 V, 1kohm, 5V												- - -	430 v	10 a		1,9 V @ 4V, 6a	- - -	12 NC	-/3,64 µs
BC640	0,0600	RFQ	29	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW		To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	5.000																80 v	500 mA						100NA (ICBO)			PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 150 mA, 2V	150 MHz
MMBT4401	- - -	RFQ	1454	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	15.000																40 v	600 mA						100na			Npn	750 MV @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 1V	250 MHz
FQPF12N60C	- - -	RFQ	4076	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-Fqpf12N60C-600039			1		N-Kanal		600 V	12a (TC)	10V	650Mohm @ 6a, 10V	4v @ 250 ähm	63 NC @ 10 V	± 30 v	2290 PF @ 25 V.	- - -	51W (TC)
MMBTA92	- - -	RFQ	3884	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000																300 V	500 mA						250na (ICBO)			PNP	500 mv @ 2MA, 20 mA	40 @ 10 ma, 10V	50 MHz
FDB0170N607L	- - -	RFQ	3824	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab)			MOSFET (Metalloxid)			To-263-7	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		60 v	300A (TC)	10V	1,4 MOHM @ 39A, 10V	4v @ 250 ähm	243 NC @ 10 V	± 20 V	19250 PF @ 30 V	- - -	3,8 W (TA), 250 W (TC)
FDS6612a	0,3300	RFQ	144	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)			8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	917		N-Kanal		30 v	8.4a (ta)	4,5 V, 10 V.	22mohm @ 8.4a, 10V	3v @ 250 ähm	7,6 NC @ 5 V.	± 20 V	560 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
73282	0,4900	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)			7328		- - -				Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert			0000.00.0000	2.500				60 v	12a		107mohm @ 8a, 5V	3v @ 250 ähm	6.2nc @ 5v			- - -
KSE13007H2SMTU	- - -	RFQ	3760	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	KSE13007					To-220-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1																							- - -			Npn	3v @ 2a, 8a	8 @ 2a, 5V	4MHz
Fqu7n20TU	0,6000	RFQ	17	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	5.040		N-Kanal		200 v	5.3a (TC)	10V	690 MOHM @ 2,65A, 10V	5 V @ 250 ähm	10 nc @ 10 v	± 30 v	400 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
FDD3580	0,9600	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		80 v	7.7a (ta)	6 V, 10V	29mohm @ 7.7a, 10V	4v @ 250 ähm	49 NC @ 10 V.	± 20 V	1760 PF @ 40 V	- - -	3,8 W (TA), 42W (TC)
FQP44N08	0,6100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		80 v	44a (TC)	10V	34mohm @ 22a, 10V	4v @ 250 ähm	50 nc @ 10 v	± 25 V	1430 PF @ 25 V.	- - -	127W (TC)
FP7G50US60	28.2600	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Power-SPM ™	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	EPM7				250 w	Standard	EPM7	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	11	Halbbrücke														- - -	600 V	50 a		2,8 V @ 15V, 50a				250 µA	NEIN	2,92 NF @ 30 V
FQN1N50CBU	- - -	RFQ	8745	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			MOSFET (Metalloxid)			To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	1.447		N-Kanal		500 V	380 Ma (TC)	10V	6OHM @ 190 Ma, 10V	4v @ 250 ähm	6.4 NC @ 10 V	± 30 v	195 PF @ 25 V.	- - -	890 MW (TA), 2,08W (TC)
FDPC1002s	0,3900	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn	FDPC1		MOSFET (Metalloxid)	1,6W (TA), 2W (TA)		Powerclip-33	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)			25 v	13a (ta), 20a (TC), 27a (TA), 60A (TC)		6mohm @ 13a, 10V, 1,8 Mohm @ 27a, 10V	2,2 V @ 250 µA, 2,2 V @ 1ma	19nc @ 10v, 64nc @ 10v		1240PF @ 13V, 4335PF @ 13V	- - -
FDU6682_NL	0,9600	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-251-3 Stub Leads, ipak			MOSFET (Metalloxid)			To-251 (ipak)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	75A (TA)	4,5 V, 10 V.	6,2 Mohm @ 17a, 10V	3v @ 250 ähm	31 NC @ 5 V.	± 20 V	2400 PF @ 15 V	- - -	1.6W (TA)
Irfw540atm	0,6900	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		100 v	28a (TC)	10V	52mohm @ 14a, 10V	4v @ 250 ähm	78 NC @ 10 V	± 20 V	1710 PF @ 25 V	- - -	3,8 W (TA), 107W (TC)
BC550	0,0400	RFQ	17	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																45 V	100 ma						15NA (ICBO)			Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
SGS23N60UFDtu	1.0000	RFQ	8772	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	SGS23N60	Standard		73 w		To-220f	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1			300 V, 12a, 23 Ohm, 15 V											60 ns	- - -	600 V	23 a	92 a	2,6 V @ 15V, 12a	115 µJ (EIN), 135 µJ (AUS)	49 NC	17ns/60ns
FDT434p	1.0000	RFQ	3191	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	FDT43		MOSFET (Metalloxid)			SOT-223-4	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	4.000		P-Kanal		20 v	6a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	50mohm @ 6a, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	19 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1187 PF @ 10 V	- - -	3W (TA)
RF1K4909096	0,6200	RFQ	60	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	RF1K4		MOSFET (Metalloxid)	2W (TA)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 n-kanal (dual)			12V	3,5a (TA)		50 MOHM @ 3,5A, 5V	2v @ 250 ähm	25nc @ 10v		750pf @ 10v	Logikpegel -tor
D45C11	0,3600	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	D45C			60 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																80 v	4 a						10 µA			PNP	500mv @ 50 Ma, 1a	40 @ 200 Ma, 1V	32MHz
KSC1675CYBU	0,0500	RFQ	112	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				250 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.000																30 v	50 ma						100NA (ICBO)			Npn	300 mV @ 1ma, 10 mA	120 @ 1ma, 6v	300 MHz
Fqpf6n70	0,9600	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		700 V	3,5a (TC)	10V	1,5OHM @ 1,75a, 10V	5 V @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 30 v	1400 PF @ 25 V.	- - -	48W (TC)
KSC1507Ytu	0,3600	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				15 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	50																300 V	200 µA						100 µA (ICBO)			Npn	2v @ 5ma, 50 mA	120 @ 10 mA, 10V	80MHz
FQAF19N60	2.6500	RFQ	681	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	360		N-Kanal		600 V	11.2a (TC)	10V	380MOHM @ 5.6a, 10V	5 V @ 250 ähm	90 nc @ 10 v	± 30 v	3600 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
FDP6035L	0,8100	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	58a (TC)	4,5 V, 10 V.	11mohm @ 26a, 10V	3v @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 20 V	1230 PF @ 15 V	- - -	75W (TC)
HUF76409D3ST	- - -	RFQ	8446	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252-3 (dpak)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 v	18a (TC)	4,5 V, 10 V.	63mohm @ 18a, 10V	3v @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 16 v	485 PF @ 25 V.	- - -	49W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3825)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²