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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Spannung - Breakdown (V (BR) GSS)	Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id	Strom - Sammler Cutoff (max)	Ausfluss - rds (on)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BC81825MTF	0,0300	RFQ	289	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			310 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000														25 v	800 mA				100na		Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	160 @ 100 mA, 1V	100 MHz
KSH31CTM	0,2000	RFQ	7502	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			1,56 w	To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	450														100 v	3 a				50 µA		Npn	1,2 V @ 375 Ma, 3a	10 @ 3a, 4V	3MHz
Fqu2n60ctltu	0,3400	RFQ	5705	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	5		N-Kanal		600 V	1,9a (TC)	10V	4.7ohm @ 950 mA, 10V	4v @ 250 ähm	12 NC @ 10 V	± 30 v	235 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 44W (TC)
FDV302p	- - -	RFQ	8849	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	FDV30	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23	Herunterladen						0000.00.0000	1		P-Kanal		25 v	120 Ma (TA)	2,7 V, 4,5 V.	10OHM @ 200 Ma, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	0,31 NC @ 4,5 V.	-8v	11000 PF @ 10 V	- - -	350 MW (TA)
Fqu4n50TU	0,7000	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	5.040		N-Kanal		500 V	2.6a (TC)	10V	2,7OHM @ 1,3a, 10V	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	460 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
FDMA1023PZ	- - -	RFQ	3139	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-VDFN-Exponiertebad	FDMA1023	MOSFET (Metalloxid)	700 MW	6-microfet (2x2)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 p-kanal (dual)			20V	3.7a		72mohm @ 3,7a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	12nc @ 4,5V		655PF @ 10V	Logikpegel -tor
FDMB3800N	- - -	RFQ	6599	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn	FDMB3800	MOSFET (Metalloxid)	750 MW	8-mlp, Mikrofet (3x1.9)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	587	2 n-kanal (dual)			30V	4.8a		40mohm @ 4,8a, 10V	3v @ 250 ähm	5.6nc @ 5v		465PF @ 15V	Logikpegel -tor
FDMS8350L	2.1700	RFQ	981	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn		MOSFET (Metalloxid)		Power56	Herunterladen	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-FDMS8350L	Ear99	8541.29.0095	139		N-Kanal		40 v	47A (TA), 290a (TC)	4,5 V, 10 V.	0,85 MOHM @ 47A, 10 V.	3v @ 250 ähm	242 NC @ 10 V	± 20 V	17500 PF @ 20 V	- - -	2,7W (TA), 113W (TC)
FQI17N08TU	0,5100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		80 v	16,5a (TC)	10V	115mohm @ 8.25a, 10V	4v @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 25 V	450 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 65W (TC)
BD678As	0,2800	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3			14 w	To-126-3	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-BD678AS-600039			1														60 v	4 a				500 ähm		PNP - Darlington	2,8 V @ 40 Ma, 2a	750 @ 2a, 3v	- - -
KSC1730YBU	0,0200	RFQ	584	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			250 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.000			- - -											15 v	50 ma						Npn		120 @ 5ma, 10 V.	1,1 GHz	- - -
FQPF6N40CF	0,6400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		400 V	6a (TC)	10V	1ohm @ 3a, 10 V	4v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	625 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
FJPF19430TU	0,7200	RFQ	952	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert				1
BC32825	0,0500	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	6.662														25 v	800 mA				100na		PNP	700 mv @ 50 mA, 500 mA	160 @ 100 mA, 1V	100 MHz
MPSA55	- - -	RFQ	7335	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000														60 v	500 mA				100na		PNP	250mv @ 10 mA, 100 mA	100 @ 100 mA, 1V	50 MHz
Fdn371n	1.0000	RFQ	3691	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	FDN371	MOSFET (Metalloxid)		Supersot-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1		N-Kanal		20 v	2,5a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	50 MOHM @ 2,5A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	10.7 NC @ 4.5 V.	± 12 V	815 PF @ 10 V.	- - -	500 MW (TA)
MMBT2907AK	1.0000	RFQ	1193	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	- - -	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000														60 v	600 mA				10NA (ICBO)		PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
2N5771	1.0000	RFQ	2770	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			350 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	1														15 v	200 ma				10na		PNP	600mv @ 5ma, 50 mA	50 @ 10ma, 300mV	- - -
FQA7N80C	1.0100	RFQ	25	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		800 V	7a (TC)	10V	1,9OHM @ 3,5a, 10V	5 V @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	1680 PF @ 25 V.	- - -	198W (TC)
BC559B	- - -	RFQ	3228	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000														30 v	100 ma				15NA (ICBO)		PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
HUF76407D3S	0,2100	RFQ	19	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800		N-Kanal		60 v	12a (TC)	4,5 V, 10 V.	92mohm @ 13a, 10V	3v @ 250 ähm	11.3 NC @ 10 V	± 16 v	350 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
FQAF19N20L	1.0900	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	360		N-Kanal		200 v	16a (TC)	5v, 10V	140Mohm @ 8a, 10V	2v @ 250 ähm	35 NC @ 5 V.	± 20 V	2200 PF @ 25 V.	- - -	85W (TC)
BD14010s	1.0000	RFQ	6439	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3			1,25 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	250														80 v	1,5 a				100NA (ICBO)		PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150 mA, 2V	- - -
FDS4080N3	1.6600	RFQ	39	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		40 v	13a (ta)	10V	10.5MOHM @ 13A, 10V	5 V @ 250 ähm	40 nc @ 10 v	± 20 V	1750 PF @ 20 V	- - -	3W (TA)
SFR9034TM	- - -	RFQ	1457	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		Dpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal		60 v	14a (TC)	10V	140 MOHM @ 7A, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 25 V	1155 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 49W (TC)
MMBFJ175	- - -	RFQ	5205	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBFJ1		225 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1		P-Kanal									- - -					30 v	7 ma @ 15 V	3 v @ 10 na		125 Ohm
FDS6680s	0,5200	RFQ	42	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	11,5a (ta)	4,5 V, 10 V.	11mohm @ 11.5a, 10V	3v @ 250 ähm	24 nc @ 5 v	± 20 V	2010 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
FCPF11N60T	- - -	RFQ	9096	Fairchild Semiconductor	Superfet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	FCPF11	MOSFET (Metalloxid)		To-220f	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1		N-Kanal		600 V	11a (TC)	10V	380MOHM @ 5.5A, 10V	5 V @ 250 ähm	52 NC @ 10 V	± 30 v	1490 PF @ 25 V.	- - -	36W (TC)
KSB1366G	0,2000	RFQ	2844	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			2 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.170														60 v	3 a				100 µA (ICBO)		PNP	1v @ 200 Ma, 2a	150 @ 500 mA, 5V	9MHz
HUF76437S3ST	0,5200	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		60 v	71a (TC)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 71a, 10V	3v @ 250 ähm	71 NC @ 10 V	± 16 v	2230 PF @ 25 V.	- - -	155W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²