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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
FQI13N06TU	0,3100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal		60 v	13a (TC)	10V	135mohm @ 6.5a, 10V	4v @ 250 ähm	7,5 NC @ 10 V	± 25 V	310 PF @ 25 V.	- - -	3,75W (TA), 45W (TC)
SS8550DTA	- - -	RFQ	2789	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				1 w	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0075	1															25 v	1,5 a						100na	PNP	500mv @ 80 mA, 800 mA	160 @ 100 mA, 1V	200 MHz
FQP5N50C	0,4400	RFQ	62	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal		500 V	5a (TC)	10V	1,4OHM @ 2,5a, 10 V.	4v @ 250 ähm	24 nc @ 10 v	± 30 v	625 PF @ 25 V.	- - -	73W (TC)
SS9011HBU	0,0200	RFQ	100	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				400 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	1.000															30 v	30 ma						100NA (ICBO)	Npn	300 mV @ 1ma, 10 mA	97 @ 1ma, 5v	2MHz
FQP9N50	- - -	RFQ	1680	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1	N-Kanal		500 V	9a (TC)	10V	730mohm @ 4,5a, 10 V	5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1450 PF @ 25 V.	- - -	147W (TC)
BC859B	0,0800	RFQ	75	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				250 MW	SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000															30 v	100 ma						15NA (ICBO)	PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	220 @ 2MA, 5V	100 MHz
FQP4N80	1.0000	RFQ	7505	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal		800 V	3.9a (TC)	10V	3,6OHM @ 1,95A, 10V	5 V @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 30 v	880 PF @ 25 V.	- - -	130W (TC)
FQP9N30	- - -	RFQ	4894	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	- - -				2156-Fqp9n30			1	N-Kanal		300 V	9a (TC)	10V	450MOHM @ 4,5a, 10V	5 V @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 30 v	740 PF @ 25 V.	- - -	98W (TC)
Fja4210otu	- - -	RFQ	7629	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3				100 w	To-3p	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1															140 v	10 a						10 µA (ICBO)	PNP	500mv @ 500 mA, 5a	70 @ 3a, 4V	30 MHz
FDP86363_F085	- - -	RFQ	3136	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal		80 v	110a (TC)	10V	2,8 MOHM @ 80A, 10V	4v @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.	± 20 V	10000 PF @ 40 V	- - -	300W (TJ)
HUFA75852G3	- - -	RFQ	1363	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	150	N-Kanal		150 v	75a (TC)	10V	16mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	480 NC @ 20 V	± 20 V	7690 PF @ 25 V.	- - -	500W (TC)
TIP31	0,3300	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				2 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.200															40 v	3 a						300 µA	Npn	1,2 V @ 375 Ma, 3a	10 @ 3a, 4V	3MHz
SFS9630YDtu	0,2700	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				SFS9630		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1											- - -
HUF76429S3ST_Q	- - -	RFQ	8101	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									- - -						0000.00.0000	150
ISL9N304AP3	0,6000	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1	N-Kanal		30 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	4,5 MOHM @ 75A, 10V	3v @ 250 ähm	105 NC @ 10 V	± 20 V	4075 PF @ 15 V	- - -	145W (TA)
FDB6690S	0,7000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800	N-Kanal		30 v	42a (ta)	4,5 V, 10 V.	15,5 MOHM @ 21A, 10V	3V @ 1ma	15 NC @ 5 V	± 20 V	1238 PF @ 15 V	- - -	48W (TC)
Fqi8n60ctu	1.1800	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	Fqi8n60		MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal		600 V	7.5a (TC)	10V	1,2OHM @ 3,75A, 10 V.	4v @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1255 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 147W (TC)
TIP100	0,4400	RFQ	759	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				2 w	To-220f	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50															60 v	5 a						50 µA	NPN - Darlington	2,5 V @ 80 Ma, 8a	1000 @ 3a, 4V	- - -
HUFA75321D3	0,3000	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	75	N-Kanal		55 v	20A (TC)	10V	36mohm @ 20a, 10V	4v @ 250 ähm	44 NC @ 20 V	± 20 V	680 PF @ 25 V.	- - -	93W (TC)
2n5551tf	1.0000	RFQ	5575	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1															160 v	600 mA						50na (ICBO)	Npn	200mv @ 5ma, 50 mA	80 @ 10ma, 5V	100 MHz
PN3644	0,0900	RFQ	46	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000															45 V	800 mA						35na	PNP	400mv @ 15ma, 150 mA	100 @ 150 mA, 10V	- - -
ISL9N310AD3ST_NL	0,3300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1	N-Kanal		30 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	10ohm @ 35a, 10a	3v @ 250 ähm	48 nc @ 10 v	± 20 V	1800 PF @ 15 V	- - -	70W (TA)
D45H8	0,5300	RFQ	3154	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				2 w	To-220-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0075	177															60 v	10 a						10 µA	PNP	1v @ 400 mA, 8a	40 @ 4a, 1V	40 MHz
FDMS0310As	- - -	RFQ	7155	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Reichweiite Betroffen	2156-FDMS0310AS-600039			1	N-Kanal		30 v	19A (TA), 22A (TC)	4,5 V, 10 V.	4,3 MOHM @ 19A, 10V	3V @ 1ma	37 NC @ 10 V.	± 20 V	2280 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 41W (TC)
FGH40N60SMDF-F085	- - -	RFQ	3861	Fairchild Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		349 w	To-247	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		400 V, 40a, 6OHM, 15 V.											90 ns	Feldstopp	600 V	80 a	120 a	2,5 V @ 15V, 40a	1,3 MJ (EIN), 260 µJ (AUS)	122 NC	18ns/110ns
FDMC8676	0,7000	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)		Power33	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000	N-Kanal		30 v	16a (ta), 18a (TC)	4,5 V, 10 V.	5.9mohm @ 14.7a, 10V	3v @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 20 V	1935 PF @ 15 V	- - -	2,3 W (TA), 41W (TC)
HUFA76419D3ST_QF085	- - -	RFQ	5933	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									- - -						0000.00.0000	1
FJAF6810DTU	1.5300	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack				60 w	To-3Pf	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	30															750 V	10 a						1ma	Npn	3v @ 1,5a, 6a	5 @ 6a, 5V	- - -
FJP5554TU	0,3100	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	FJP555			70 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1															400 V	4 a						250 µA	Npn	1,5 V @ 1a, 3,5a	20 @ 800 mA, 3V	- - -
KSD471ACYBU	1.0000	RFQ	6110	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				800 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1															30 v	1 a						100NA (ICBO)	Npn	500mv @ 100 mA, 1a	120 @ 100 mA, 1V	130 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²