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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
Fqpf2n30	0,2900	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal	300 V	1.34a (TC)	10V	3,7OHM @ 670 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	5 NC @ 10 V	± 30 v	130 PF @ 25 V.	- - -	16W (TC)
FCH150N65F-F155	- - -	RFQ	7901	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	FCH150	MOSFET (Metalloxid)		To-247 Lange Hinese	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal	650 V	24a (TC)	10V	150 MOHM @ 12A, 10V	5v @ 2,4 mA	94 NC @ 10 V	± 20 V	3737 PF @ 100 V	- - -	298W (TC)
FDMS9410L	- - -	RFQ	7333	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				FDMS9410	- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	3.000										- - -
FDM606P	0,5900	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert		MOSFET (Metalloxid)		8-mlp, Mikrofet (3x2)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000	P-Kanal	20 v	6.8a (TC)	1,8 V, 4,5 V.	30mohm @ 6,8a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	30 NC @ 4,5 V.	± 8 v	2200 PF @ 10 V.	- - -	1,92W (TA)
HUF75321D3S	0,4000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800	N-Kanal	55 v	20A (TC)	10V	36mohm @ 20a, 10V	4v @ 250 ähm	44 NC @ 20 V	± 20 V	680 PF @ 25 V.	- - -	93W (TC)
BC556CTA	0,0200	RFQ	617	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000												65 V	100 ma	15NA (ICBO)	PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	150 MHz
FQI27N25TU	1.5900	RFQ	600	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal	250 V	25,5a (TC)	10V	110MOHM @ 12.75A, 10V	5 V @ 250 ähm	65 NC @ 10 V	± 30 v	2450 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 180 W (TC)
FDMC8884	0,3300	RFQ	441	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn		MOSFET (Metalloxid)		8-MLP (3,3x3,3)	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-FDMC8884-600039			1	N-Kanal	30 v	9A (TA), 15a (TC)	4,5 V, 10 V.	19Mohm @ 9a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	14 NC @ 10 V	± 20 V	685 PF @ 15 V	- - -	2,3 W (TA), 18W (TC)
FQP12N60	1.2500	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal	600 V	10.5a (TC)	10V	700MOHM @ 5.3A, 10V	5 V @ 250 ähm	54 NC @ 10 V	± 30 v	1900 PF @ 25 V.	- - -	180W (TC)
FCU4300N80Z	0,6000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal	800 V	1,6a (TC)	10V	4.3OHM @ 800 mA, 10 V.	4,5 V @ 160 ähm	8.8 NC @ 10 V	± 20 V	355 PF @ 100 V	- - -	27,8W (TC)
TN2219A	0,2500	RFQ	5260	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			1 w	To-226-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	902												40 v	1 a	10NA (ICBO)	Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	- - -
FQI6N50TU	0,6100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal	500 V	5.5a (TC)	10V	1,3OHM @ 2,8a, 10V	5 V @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 30 v	790 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 130 W (TC)
BC369	1.0000	RFQ	8168	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000												20 v	1 a	10 µA (ICBO)	PNP	500mv @ 100 mA, 1a	85 @ 500 mA, 1V	65 MHz
FDP75N08A	- - -	RFQ	9431	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal	75 V	75a (TC)	10V	11mohm @ 37,5a, 10V	4v @ 250 ähm	104 NC @ 10 V	± 20 V	4468 PF @ 25 V.	- - -	137W (TC)
Bdw94	0,3700	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			80 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	200												45 V	12 a	1ma	PNP - Darlington	3v @ 100 mA, 10a	750 @ 5a, 3v	- - -
Fqu1n80TU	- - -	RFQ	9472	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal	800 V	1a (TC)	10V	20ohm @ 500 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	7.2 NC @ 10 V	± 30 v	195 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
Fqa34n20l	1.3900	RFQ	669	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30	N-Kanal	200 v	34a (TC)	5v, 10V	75mohm @ 17a, 10V	2v @ 250 ähm	72 NC @ 5 V.	± 20 V	3900 PF @ 25 V.	- - -	210W (TC)
FDZ663p	0,2700	RFQ	60	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-XFBGA, WLCSP		MOSFET (Metalloxid)		4-WLCSP (0,8x0,8)	Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-FDZ663P-600039			1	P-Kanal	20 v	2.7a (TA)	1,5 V, 4,5 V.	134mohm @ 2a, 4,5 V.	1,2 V @ 250 ähm	8,2 NC @ 4,5 V.	± 8 v	525 PF @ 10 V.	- - -	1,3W (TA)
HUF75345p3_NL	1.9200	RFQ	252	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	N-Kanal	55 v	75a (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	275 NC @ 20 V	± 20 V	4000 PF @ 25 V.	- - -	325W (TC)
FQA34N25	2.4900	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	450	N-Kanal	250 V	34a (TC)	10V	85mohm @ 17a, 10V	5 V @ 250 ähm	80 nc @ 10 v	± 30 v	2750 PF @ 25 V.	- - -	245W (TC)
HUF76419S3ST_NL	- - -	RFQ	4384	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	365	N-Kanal	60 v	29a (TC)	4,5 V, 10 V.	35mohm @ 29a, 10V	3v @ 250 ähm	28 NC @ 10 V	± 16 v	900 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)
FQB8N25TM	0,5900	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800	N-Kanal	250 V	8a (TC)	10V	550Mohm @ 4a, 10V	5 V @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 30 v	530 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 87W (TC)
BSR16	0,0800	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	3.947												60 v	800 mA	10NA (ICBO)	PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
KSC1623LMTF-FS	0,0200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	KSC1623		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000												50 v	100 ma	100NA (ICBO)	Npn	300mv @ 10 mA, 100 mA	300 @ 1ma, 6v	250 MHz
SS9014DBU	0,0200	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			450 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	1												45 V	100 ma	50na (ICBO)	Npn	300 mV @ 5ma, 100 mA	60 @ 1ma, 5V	270 MHz
FDS7088N3	2.6000	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500	N-Kanal	30 v	21a (ta)	4,5 V, 10 V.	4mohm @ 21a, 10V	3v @ 250 ähm	48 nc @ 5 v	± 20 V	3845 PF @ 15 V	- - -	3W (TA)
FDMC3020DC	1.0000	RFQ	7001	Fairchild Semiconductor	Dual Cool ™, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn		MOSFET (Metalloxid)		Power33	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal	30 v	17A (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10 V.	6,25 MOHM @ 12A, 10V	3v @ 250 ähm	23 NC @ 10 V	± 20 V	1385 PF @ 15 V	- - -	3W (TA), 50 W (TC)
2N5366	0,0400	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000												40 v	500 mA	100na	PNP	1v @ 30 mA, 300 mA	100 @ 50 Ma, 1V	- - -
BSS63	0,0300	RFQ	17	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BSS6		350 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000												100 v	200 ma	100NA (ICBO)	PNP	250 mV @ 2,5 mA, 25 mA	30 @ 25ma, 1V	50 MHz
Fqpf9n50ydtu	0,8800	RFQ	24	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads		MOSFET (Metalloxid)		To-220F-3 (Y-Forming)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800	N-Kanal	500 V	5.3a (TC)	10V	730MOHM @ 2,65A, 10V	5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1450 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²