RFQ
Bom
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FDB8870-F085	0,9800	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	30 v	23a (TA), 160a (TC)		3,9 MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	132 NC @ 10 V	± 20 V	5200 PF @ 15 V	- - -	160W (TC)
PZTA92	- - -	RFQ	6774	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			1 w	SOT-223 (to-261)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.500													300 V	500 mA	250na (ICBO)	PNP	500 mv @ 2MA, 20 mA	40 @ 10 ma, 10V	50 MHz
KSC2883OTF	0,1500	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa			1 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	4.000													30 v	1,5 a	100NA (ICBO)	Npn	2v @ 30 mA, 1,5a	100 @ 500 mA, 2V	120 MHz
FDS4770	2.6000	RFQ	14	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	40 v	13.2a (ta)	10V	7,5 MOHM @ 13,2a, 10V	5 V @ 250 ähm	67 NC @ 10 V	± 20 V	2819 PF @ 20 V	- - -	2,5 W (TA)
FDMS7572s	0,8400	RFQ	81	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn		MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	25 v	23a (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10 V.	2,9 MOHM @ 23A, 10V	3V @ 1ma	45 nc @ 10 v	± 20 V	2780 PF @ 13 V	- - -	2,5 W (TA), 46 W (TC)
HUFA76639S3S	0,6700	RFQ	9021	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	353		N-Kanal	100 v	51a (TC)	4,5 V, 10 V.	26mohm @ 51a, 10V	3v @ 250 ähm	86 NC @ 10 V	± 16 v	2400 PF @ 25 V.	- - -	180W (TC)
RFD14LN05SM	0,2400	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				RFD14	- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	1											- - -
Si4963dy	0,6300	RFQ	40	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	SI4963	MOSFET (Metalloxid)	900 MW (TA)	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	1	2 p-kanal (dual)		20V	6.2a (ta)		33mohm @ 6.2a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	20nc @ 4,5 V		1456PF @ 10V	- - -
FQPF46N15	1.2400	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal	150 v	25,6a (TC)	10V	42mohm @ 12.8a, 10V	4v @ 250 ähm	110 nc @ 10 v	± 25 V	3250 PF @ 25 V.	- - -	66W (TC)
ISL9N308AD3	0,3300	RFQ	69	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	30 v	50a (TC)	4,5 V, 10 V.	8mohm @ 50a, 10V	3v @ 250 ähm	68 NC @ 10 V.	± 20 V	2600 PF @ 15 V	- - -	100 W (TC)
Fjy4004r	0,0200	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		Oberflächenhalterung	SC-89, SOT-490	Fjy400		200 MW	SOT-523F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	15.000													50 v	100 ma	100NA (ICBO)	PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	200 MHz	47 Kohms	47 Kohms
FDMS7620S	1.0000	RFQ	5147	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn	FDMS7620	MOSFET (Metalloxid)	1W	Power56	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanal (dual)		30V	10.1a, 12,4a		20mohm @ 10.1a, 10V	3v @ 250 ähm	11nc @ 10v		608PF @ 15V	Logikpegel -tor
Si4435dy	- - -	RFQ	7057	Fairchild Semiconductor	Hexfet®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal	30 v	8a (TC)	4,5 V, 10 V.	20mohm @ 8a, 10V	1V @ 250 ähm	60 nc @ 10 v	± 20 V	2320 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
Fqb11p06tm	0,7200	RFQ	814	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal	60 v	11.4a (TC)	10V	175mohm @ 5.7a, 10V	4v @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 25 V	550 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 53W (TC)
BC546CBU	1.0000	RFQ	4139	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.000													65 V	100 ma	15NA (ICBO)	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
SFP9610	- - -	RFQ	4188	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal	200 v	1,75a (TC)	10V	3OHM @ 900 mA, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	285 PF @ 25 V.	- - -	20W (TC)
NDS8426a	0,4100	RFQ	296	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	20 v	10.5a (ta)	2,7 V, 4,5 V.	13,5 MOHM @ 10,5a, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	60 NC @ 4,5 V.	± 8 v	2150 PF @ 10 V	- - -	2,5 W (TA)
SFS9Z14	0,2700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal	60 v	5.3a (TC)	10V	500MOHM @ 2,7a, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	350 PF @ 25 V.	- - -	24W (TC)
FDMS8570SDC	1.3700	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	FDMS85	MOSFET (Metalloxid)		Dual Cool ™ 56	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	3.000		N-Kanal	25 v	28a (TA), 60A (TC)	4,5 V, 10 V.	2,8 MOHM @ 28a, 10V	2,2 V @ 1ma	42 NC @ 10 V.	± 12 V	2825 PF @ 13 V	Schottky Diode (Körper)	3.3W (TA), 59W (TC)
FCA22N60N	4.6600	RFQ	978	Fairchild Semiconductor	Supremos ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3pn	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	65		N-Kanal	600 V	22a (TC)	10V	165mohm @ 11a, 10V	4v @ 250 ähm	45 nc @ 10 v	± 30 v	1950 PF @ 100 v	- - -	205W (TC)
IRFW630BTM	- - -	RFQ	4921	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		D2pak	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal	200 v	9a (TC)	10V	400 MOHM @ 4,5A, 10V	4v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 30 v	720 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 72W (TC)
FCP125N60E	- - -	RFQ	6733	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	FCP125	MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	600 V	29a (TC)	10V	125mohm @ 14.5a, 10V	3,5 V @ 250 ähm	95 NC @ 10 V	± 20 V	2990 PF @ 380 V	- - -	278W (TC)
IRFS830B	0,2500	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	500 V	4,5a (TJ)	10V	1,5OHM @ 2,25A, 10 V.	4v @ 250 ähm	35 NC @ 10 V	± 30 v	1050 PF @ 25 V.	- - -	38W (TJ)
SI9933BDY	- - -	RFQ	4430	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	SI9933	- - -	900 MW (TA)	8-soic	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1	2 p-kanal (dual)		20V	3.4a (TA)		75mohm @ 3,2a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	20nc @ 4,5 V		825PF @ 10V	- - -
KSD261GBU	0,0300	RFQ	4116	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	9.000													20 v	500 mA	100NA (ICBO)	Npn	400 mv @ 50 mA, 500 mA	200 @ 100ma, 1V	- - -
TIP30CTU	- - -	RFQ	6298	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			2 w	To-220-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-tip30ctu-600039			1													100 v	1 a	300 µA	PNP	700 MV @ 125 Ma, 1a	40 @ 200 Ma, 4V	3MHz
FCH47N60F-F085	12.9700	RFQ	421	Fairchild Semiconductor	Automobil, AEC-Q101, Superfet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	24		N-Kanal	600 V	47a (TC)	10V	75mohm @ 47a, 10V	5 V @ 250 ähm	250 NC @ 10 V	± 30 v	8000 PF @ 25 V.	- - -	417W (TC)
MCH3476-TL-W	0,0900	RFQ	7750	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-smd, flaches blei		MOSFET (Metalloxid)		SC-70FL/MCPH3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal	20 v	2a (ta)		125mohm @ 1a, 4,5 V.	1,3 V @ 1ma	1,8 NC @ 4,5 V.	± 12 V	128 PF @ 10 V	- - -	800 MW (TA)
BD676As	0,3000	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3	BD676		14 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1													45 V	4 a	500 ähm	PNP - Darlington	2,8 V @ 40 Ma, 2a	750 @ 2a, 3v	- - -
FDMS8662	- - -	RFQ	5208	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn		MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	190		N-Kanal	30 v	28a (TA), 49a (TC)	4,5 V, 10 V.	2mohm @ 28a, 10V	3v @ 250 ähm	100 nc @ 10 v	± 20 V	6420 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 83W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²