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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
KSC2328AYBU Fairchild Semiconductor KSC2328AYBU 0,1200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 1 w To-92-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 2.485 30 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 2v @ 30 mA, 1,5a 160 @ 500 mA, 2V 120 MHz
FQB70N10TM Fairchild Semiconductor FQB70N10TM - - -
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 57a (TC) 10V 23mohm @ 28.5a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 25 V 3300 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 160 W (TC)
FQA13N50C-F109 Fairchild Semiconductor FQA13N50C-F109 1.6800
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 500 V 13,5a (TC) 10V 480MOHM @ 6.75A, 10V 4v @ 250 ähm 56 NC @ 10 V ± 30 v 2055 PF @ 25 V. - - - 218W (TC)
FDMA7672 Fairchild Semiconductor FDMA7672 - - -
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad MOSFET (Metalloxid) 6-microfet (2x2) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 9a (ta) 4,5 V, 10 V. 21mohm @ 9a, 10V 3v @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 760 PF @ 15 V - - - 2.4W (TA)
FDP8870 Fairchild Semiconductor FDP8870 - - -
RFQ
 ECAD 4785 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 19A (TA), 156a (TC) 4,5 V, 10 V. 4.1MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 132 NC @ 10 V ± 20 V 5200 PF @ 15 V - - - 160W (TC)
KSA1156OS Fairchild Semiconductor KSA1156OS 0,1000
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 ECAD 13 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 250 400 V 500 mA 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 10 mA, 100 mA 60 @ 100 Ma, 5V - - -
TN6727A Fairchild Semiconductor TN6727A - - -
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 ECAD 3177 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 1 w To-226-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40 v 1,5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 50 @ 1a, 1V - - -
FQA8N80 Fairchild Semiconductor Fqa8n80 1.5900
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 8.4a (TC) 10V 1,2OHM @ 4,2a, 10V 5 V @ 250 ähm 57 NC @ 10 V ± 30 v 2350 PF @ 25 V. - - - 220W (TC)
KSC945LTA Fairchild Semiconductor KSC945LTA 0,0200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 250 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 10 mA, 100 mA 350 @ 1ma, 6v 300 MHz
2N7002D87Z Fairchild Semiconductor 2N7002D87Z - - -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 11 N-Kanal 60 v 115 Ma (TC) 5v, 10V 7.5OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 200 MW (TC)
FQPF5P20 Fairchild Semiconductor Fqpf5p20 - - -
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 v 3.4a (TC) 10V 1,4OHM @ 1,7a, 10V 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 430 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
FCP190N65F Fairchild Semiconductor FCP190N65F - - -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Fairchild Semiconductor FRFET®, Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FCP190 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 650 V 20,6a (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5v @ 2MA 78 NC @ 10 V ± 20 V 3225 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
KSC945CGTA Fairchild Semiconductor KSC945CGTA 1.0000
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 250 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 1ma, 6v 300 MHz
FQP6N80C Fairchild Semiconductor FQP6N80C - - -
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 800 V 5.5a (TC) 10V 2,5OHM @ 2,75A, 10 V. 5 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 30 v 1310 PF @ 25 V. - - - 158W (TC)
FDD8444 Fairchild Semiconductor FDD8444 1.0600
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 327 N-Kanal 40 v 145a (TC) 10V 5.2mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 116 nc @ 10 v ± 20 V 6195 PF @ 25 V. - - - 153W (TC)
FQI5N15TU Fairchild Semiconductor FQI5N15TU 0,4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 150 v 5.4a (TC) 10V 800 MOHM @ 2,7A, 10V 4v @ 250 ähm 7 NC @ 10 V ± 25 V 230 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 54W (TC)
FDD8447L Fairchild Semiconductor FDD8447L 0,4300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 705 N-Kanal 40 v 15,2a (TA), 50A (TC) 4,5 V, 10 V. 8.5Mohm @ 14a, 10V 3v @ 250 ähm 52 NC @ 10 V ± 20 V 1970 PF @ 20 V - - - 3.1W (TA), 44W (TC)
2N3904RLRAH Fairchild Semiconductor 2N3904RLRAH 0,0200
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-2N3904RLRAH-600039 1
PN5434 Fairchild Semiconductor PN5434 0,1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 350 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 30pf @ 10v (VGS) 25 v 30 mA @ 15 V 1 V @ 3 na 10 Ohm
SI3442DV Fairchild Semiconductor SI3442DV 0,1500
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 ECAD 32 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) Supersot ™ -6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 4.1a (ta) 2,7 V, 4,5 V. 60MOHM @ 4.1a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 14 NC @ 4,5 V. 8v 365 PF @ 10 V - - - 1.6W (TA)
SFP2955 Fairchild Semiconductor SFP2955 0,3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 9,4a (TC) 10V 300mohm @ 4.7a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 49W (TC)
FDI9406-F085 Fairchild Semiconductor FDI9406-F085 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FDI9406-F085-600039 1 N-Kanal 40 v 110a (TC) 10V 2,2 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 138 NC @ 10 V ± 20 V 7710 PF @ 25 V. - - - 176W (TJ)
FDS7088N7 Fairchild Semiconductor FDS7088N7 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 23a (ta) 4,5 V, 10 V. 3mohm @ 23a, 10V 3v @ 250 ähm 48 nc @ 5 v ± 20 V 3845 PF @ 15 V - - - 3W (TA)
SS8050BBU Fairchild Semiconductor SS8050BBU 1.0000
RFQ
 ECAD 7608 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 25 v 1,5 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 80 mA, 800 mA 85 @ 100 mA, 1V 100 MHz
IRFR210BTF Fairchild Semiconductor IRFR210BTF 0,2400
RFQ
 ECAD 224 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 200 v 2.7a (TC) 10V 1,5OHM @ 1,35A, 10V 4v @ 250 ähm 9.3 NC @ 10 V ± 30 v 225 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 26W (TC)
SI9936DY Fairchild Semiconductor Si9936dy - - -
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) SI9936 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 1V @ 250 ähm 35nc @ 10v 525PF @ 15V - - -
FDU3N40TU Fairchild Semiconductor FDU3N40TU 1.0000
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa FDU3 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 400 V 2a (TC) 10V 3,4ohm @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 6 nc @ 10 v ± 30 v 225 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
MTD3055VL Fairchild Semiconductor MTD3055VL 1.0000
RFQ
 ECAD 3602 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 12a (TC) 5v 180Mohm @ 6a, 5V 2v @ 250 ähm 10 nc @ 5 v ± 20 V 570 PF @ 25 V. - - - 3,9W (TA), 48W (TC)
TIP31B Fairchild Semiconductor TIP31B 0,1500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP31 2 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 80 v 3 a 300 µA Npn 1,2 V @ 375 Ma, 3a 10 @ 3a, 4V 3MHz
IRFR330BTM Fairchild Semiconductor IRFR330BTM - - -
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 ECAD 5841 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 4,5a (TC) 10V 1OHM @ 2,25a, 10V 4v @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 30 v 1000 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 48W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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