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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
HGTG40N60B3-FS	- - -	RFQ	5349	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv										- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1
BC32840ta	0,0200	RFQ	6097	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	14.000																25 v	800 mA						100na			PNP	700 mv @ 50 mA, 500 mA	250 @ 100 mA, 1V	100 MHz
FD6M043N08	6.6400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Power-SPM ™	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	EPM15	FD6M043		MOSFET (Metalloxid)	- - -		EPM15	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	19	2 n-kanal (dual)			75 V	65a		4,3 MOHM @ 40A, 10V	4v @ 250 ähm	148nc @ 10v		6180pf @ 25v	- - -
FJV4102RMTF	0,0300	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	FJV410			200 MW		SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																50 v	100 ma						100NA (ICBO)			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5ma, 5v	200 MHz	10 Kohms	10 Kohms
FDS6685	1.3900	RFQ	19	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)			8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal		30 v	8.8a (ta)	4,5 V, 10 V.	20mohm @ 8.8a, 10V	3v @ 250 ähm	24 nc @ 5 v	± 25 V	1604 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
FJX3003RTF	0,0200	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	FJX300			200 MW		SC-70-3 (SOT323)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																50 v	100 ma						100NA (ICBO)			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	56 @ 5ma, 5V	250 MHz	22 Kohms	22 Kohms
SFW9530TM	0,3500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		P-Kanal		100 v	10.5a (TC)	10V	300MOHM @ 5.3A, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 30 v	1035 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 66W (TC)
SSW4N60BTM	- - -	RFQ	2800	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	4a (TC)	10V	2,5OHM @ 2a, 10V	4v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 30 v	920 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 100 W (TC)
FQB17N08TM	0,2100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		80 v	16,5a (TC)	10V	115mohm @ 8.25a, 10V	4v @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 25 V	450 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 65W (TC)
FDZ661PZ	0,3200	RFQ	80	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-XFBGA, WLCSP			MOSFET (Metalloxid)			4-WLCSP (0,8x0,8)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	952		P-Kanal		20 v	2.6a (TA)	1,5 V, 4,5 V.	140MOHM @ 2a, 4,5 V.	1,2 V @ 250 ähm	8,8 NC @ 4,5 V.	± 8 v	555 PF @ 10 V	- - -	1,3W (TA)
SI3441DV	- - -	RFQ	2419	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			MOSFET (Metalloxid)			Supersot ™ -6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	3.000		P-Kanal		20 v	3,5a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	80MOHM @ 3,5A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	10 NC @ 4,5 V.	± 8 v	779 PF @ 10 V.	- - -	800 MW (TA)
FQAF15N70	2.7500	RFQ	295	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	360		N-Kanal		700 V	9,5a (TC)	10V	560MOHM @ 4,8a, 10V	5 V @ 250 ähm	90 nc @ 10 v	± 30 v	3600 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
FDFM2N111	1.0000	RFQ	2243	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-WDFN Exponierte Pad			MOSFET (Metalloxid)			Mikrofet 3x3mm	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		20 v	4a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	100mohm @ 4a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	3,8 NC @ 4,5 V.	± 12 V	273 PF @ 10 V.	Schottky Diode (Isolier)	1.7W (TA)
SFR9214TM	0,2400	RFQ	412	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal		250 V	1,53a (TC)	10V	4OHM @ 770 mA, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	295 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 19W (TC)
FMS7G20US60	- - -	RFQ	5436	Fairchild Semiconductor	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	25 Uhr-aa				89 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	25 Uhr-aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse														- - -	600 V	20 a		2,7 V @ 15V, 20a				250 µA	Ja	1.277 NF @ 30 V
FGPF4536	0,7300	RFQ	104	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		K. Loch	To-220-3 Full Pack		Standard		28,4 w		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			- - -												Graben	360 V		220 a	1,8 V @ 15V, 50a	- - -	47 NC	- - -
2N4126TFR	0,0200	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	15.000																25 v	200 ma						50na (ICBO)			PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	120 @ 2MA, 1V	250 MHz
FDP55N06	- - -	RFQ	6365	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		60 v	55a (TC)	10V	22mohm @ 27.5a, 10V	4v @ 250 ähm	37 NC @ 10 V.	± 25 V	1510 PF @ 25 V.	- - -	114W (TC)
Irfw520atm	0,4000	RFQ	774	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	774		N-Kanal		100 v	9.2a (TC)	10V	200mohm @ 4.6a, 10V	4v @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 20 V	480 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 45W (TC)
FQP4N50	0,2700	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	2156-FQP4N50-600039			1		N-Kanal		500 V	3.4a (TC)	10V	2,7OHM @ 1,7a, 10V	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	460 PF @ 25 V.	- - -	70W (TC)
ISL9N306AD3	0,8700	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	50a (TC)	4,5 V, 10 V.	6mohm @ 50a, 10V	3v @ 250 ähm	90 nc @ 10 v	± 20 V	3400 PF @ 15 V	- - -	125W (TA)
MPSA43	0,0700	RFQ	19	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW		To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000																200 v	500 mA						100NA (ICBO)			Npn	500 mv @ 2MA, 20 mA	25 @ 1ma, 10V	50 MHz
KSC1815gra	0,0500	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				400 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000																50 v	150 Ma						100NA (ICBO)			Npn	250mv @ 10 mA, 100 mA	200 @ 2ma, 6v	80MHz
FDB110N15A	1.0000	RFQ	4610	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D²pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		150 v	92a (TC)	10V	11Mohm @ 92a, 10V	4v @ 250 ähm	61 NC @ 10 V	± 20 V	4510 PF @ 75 V	- - -	234W (TC)
SSU2N60BTU	0,3200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	1,8a (TC)	10V	5ohm @ 900 mA, 10V	4v @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 30 v	490 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 44W (TC)
HUF76121P3	0,4000	RFQ	26	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	47a (TC)	4,5 V, 10 V.	21mohm @ 47a, 10V	3v @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 20 V	850 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)
Fqi5n20TU	0,3100	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		200 v	4,5a (TC)	10V	1,2OHM @ 2,25A, 10V	5 V @ 250 ähm	7,5 NC @ 10 V	± 30 v	270 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 52W (TC)
FQP11N50CF	1.7700	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	FRFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	11a (TC)	10V	550MOHM @ 5.5A, 10V	4v @ 250 ähm	55 NC @ 10 V	± 30 v	2055 PF @ 25 V.	- - -	195W (TC)
FMC7G15US60	- - -	RFQ	4427	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul				45 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	- - -	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	4	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse														- - -	600 V	15 a		2,8 V @ 15V, 15a				250 µA	NEIN	948 PF @ 30 V
SGS6N60UFDTU	1.0000	RFQ	9771	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	SGS6N	Standard		22 w		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50			300 V, 3a, 80 Ohm, 15 V											52 ns	- - -	600 V	6 a	25 a	2,6 V @ 15V, 3a	57 µJ (EIN), 25 µJ (AUS)	15 NC	15ns/60ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²