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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Testedingung	Strom - Test	Leistung - Ausgang	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	RAUSCHFIGUR	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Test	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)
MJE180stu	0,2700	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3					1,5 w	To-126-3	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1.093																					40 v	3 a							100 µA (ICBO)	Npn	1,7 V @ 600 Ma, 3a	50 @ 100 mA, 1V	50 MHz
BC560ABU	0,0200	RFQ	6659	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)					500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	13.975																					45 V	100 ma							15NA (ICBO)	PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
FDB016N04AL7	- - -	RFQ	3084	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab)	FDB016			MOSFET (Metalloxid)		To-263-7	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal						40 v	160a (TC)	10V	1,6 MOHM @ 80A, 10V	3v @ 250 ähm	167 NC @ 10 V	± 20 V	11600 PF @ 25 V.	- - -	283W (TC)
FDB8878	- - -	RFQ	9640	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	- - -	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal						30 v	48a (TC)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 40a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	23 NC @ 10 V	± 20 V	1235 PF @ 15 V	- - -	47,3W (TC)
FQB17P10TM	1.0100	RFQ	5526	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	281		P-Kanal						100 v	16,5a (TC)	10V	190MOHM @ 8.25A, 10V	4v @ 250 ähm	39 NC @ 10 V.	± 30 v	1100 PF @ 25 V.	- - -	3,75 W (TA), 100 W (TC)
FGI3040G2-F085	- - -	RFQ	5990	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, EcoSospark®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		Logik			150 w	I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1				300 V, 6,5a, 1kohm, 5 V.															1,9 µs	- - -	400 V	41 a		1,25 V @ 4V, 6a	- - -	21 NC	-/4,8 µs
KSC5504DTTU	0,2200	RFQ	13	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3					75 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	50																					600 V	4 a							100 µA	Npn	1,5 V @ 400 mA, 2a	4 @ 2a, 1V	11 MHz
FQP44N08	0,6100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						80 v	44a (TC)	10V	34mohm @ 22a, 10V	4v @ 250 ähm	50 nc @ 10 v	± 25 V	1430 PF @ 25 V.	- - -	127W (TC)
KSP8098ta	0,0200	RFQ	18	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	2.000																					60 v	500 mA							100na	Npn	300mv @ 10 mA, 100 mA	100 @ 1ma, 5V	150 MHz
FDD6670S	0,9800	RFQ	47	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal						30 v	64a (ta)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 13.8a, 10V	3V @ 1ma	24 nc @ 10 v	± 20 V	2010 PF @ 15 V	- - -	1,3W (TA)
FDY2001PZ	0,0600	RFQ	161	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	FDY20			MOSFET (Metalloxid)	446 MW	SOT-563F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	3.000	2 p-kanal (dual)							20V	150 Ma		8OHM @ 150 mA, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	1,4nc @ 4,5 V		100pf @ 10v	Logikpegel -tor
KSC2328AOTA	0,0800	RFQ	2998	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Nicht für Designs		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)					1 w	To-92-3	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	574																					30 v	2 a							100NA (ICBO)	Npn	2v @ 30 mA, 1,5a	100 @ 500 mA, 2V	120 MHz
FDR8702H	0,7500	RFQ	254	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm Breit)	FDR87			MOSFET (Metalloxid)	800 MW	Supersot ™ -8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	3.000	N und p-kanal							20V	3,6a, 2,6a		38mohm @ 3,6a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	10nc @ 4,5 V		650pf @ 10v	Logikpegel -tor
FDMS8025s	0,5800	RFQ	171	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn				MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen				Ear99	8541.29.0095	563		N-Kanal						30 v	24A (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10 V.	2,8 MOHM @ 24A, 10V	3V @ 1ma	47 NC @ 10 V	± 20 V	3000 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 50 W (TC)
FDP3672	0,9200	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	344		N-Kanal						105 V	5,9a (TA), 41A (TC)	6 V, 10V	33mohm @ 41a, 10V	4v @ 250 ähm	37 NC @ 10 V.	± 20 V	1670 PF @ 25 V.	- - -	135W (TC)
HGTP7N60B3D	1.0000	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		Standard			60 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	400				480 V, 7a, 50 Ohm, 15 V															37 ns	- - -	600 V	14 a	56 a	2,1 V @ 15V, 7a	160 µJ (EIN), 120 µJ (AUS)	23 NC	26ns/130ns
Fjy3012r	0,0200	RFQ	2009	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-89, SOT-490	FJY301				200 MW	SOT-523F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	3.000																					40 v	100 ma							100NA (ICBO)	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 1ma, 10 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	47 Kohms
FDC6304p	0,2200	RFQ	7373	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	FDC6304			MOSFET (Metalloxid)	700 MW	Supersot ™ -6	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	2	2 p-kanal (dual)							25 v	460 Ma		1,1OHM @ 500 mA, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	1,5nc @ 4,5 V		62PF @ 10V	Logikpegel -tor
NDS9435	0,9500	RFQ	37	Fairchild Semiconductor	Si9xxx	Schüttgut	Aktiv		- - -	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)				MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal							5.3a	- - -	- - -	- - -		- - -		- - -	2W
FJAF4310Ytu	1.1600	RFQ	558	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-3Pfm, SC-93-3					80 w	To-3PF-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0075	1																					140 v	10 a							10 µA (ICBO)	Npn	500mv @ 500 mA, 5a	90 @ 3a, 4V	30 MHz
NDC632p	1.0000	RFQ	2348	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6				MOSFET (Metalloxid)		Supersot ™ -6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	3.000		P-Kanal						20 v	2.7a (TA)	2,7 V, 4,5 V.	140 MOHM @ 2,7A, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	15 NC @ 4,5 V	-8v	550 PF @ 10 V	- - -	1.6W (TA)
KSC1623YMTF	0,0200	RFQ	939	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	KSC1623				200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	3.000																					50 v	100 ma							100NA (ICBO)	Npn	300mv @ 10 mA, 100 mA	135 @ 1ma, 6v	250 MHz
PZTA64	0,1500	RFQ	76	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa					1 w	SOT-223-4	Herunterladen				Ear99	8541.29.0075	1.994																					30 v	1.2 a							100NA (ICBO)	PNP - Darlington	1,5 V @ 100 µA, 100 mA	20000 @ 100ma, 5V	125 MHz
BC546ATA	1.0000	RFQ	4884	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					500 MW	To-92-3	Herunterladen				Ear99	8541.21.0075	1																					65 V	100 ma							15NA (ICBO)	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
MMBFJ310	- - -	RFQ	1654	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	25 v			To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBFJ3		450 MHz	Jfet		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	3.000	N-Kanal		60 mA		10 ma	- - -	12 dB											3DB										10 v
2N4400TF	0,0200	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads					625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	2.000																					40 v	600 mA							- - -	Npn	750 MV @ 50 Ma, 500 mA	50 @ 150 mA, 1V	- - -
FDS9431A-F085	- - -	RFQ	6085	Fairchild Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)				MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal						20 v	3,5a (TA)		130 MOHM @ 3,5A, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	8,5 NC @ 4,5 V	± 8 v	405 PF @ 10 V.	- - -	1W (TA)
Fqu5n60ctu	0,4300	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa				MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	695		N-Kanal						600 V	2.8a (TC)	10V	2,5OHM @ 1,4a, 10 V.	4v @ 250 ähm	19 NC @ 10 V	± 30 v	670 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 49W (TC)
BD437S	0,2600	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3	BD437				36 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	1																					45 V	4 a							100 µA	Npn	600mv @ 200 Ma, 2a	30 @ 10ma, 5v	3MHz
FQP5P20	1.0000	RFQ	1738	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	1.000		P-Kanal						200 v	4.8a (TC)	10V	1,4OHM @ 2,4a, 10 V.	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	430 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²