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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
FDS6294	0,4500	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS62		MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		30 v	13a (ta)	4,5 V, 10 V.	11.3mohm @ 13a, 10V	3v @ 250 ähm	14 NC @ 5 V	± 20 V	1205 PF @ 15 V	- - -	3W (TA)
FPF1C2P5BF07A	71.4300	RFQ	433	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	F1 -modul	FPF1C2		MOSFET (Metalloxid)	250W	F1	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	5 N-Kanal (Solarwechselrichter)			650 V	36a		90 MOHM @ 27A, 10V	3,8 V @ 250 ähm	- - -		- - -	- - -
ISL9N303As3st	1.7000	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		30 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	3,2 MOHM @ 75A, 10V	3v @ 250 ähm	172 NC @ 10 V	± 20 V	7000 PF @ 15 V	- - -	215W (TC)
BC848B	1.0000	RFQ	9265	Fairchild Semiconductor	SOT-23	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				200 MW	SOT-23	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000																30 v	100 ma						100NA (ICBO)	Npn	500 mV @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
RFP4N05L	0,5300	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	Verkäfer undefiniert	2156-RFP4N05L-600039			1
PN3646	0,0400	RFQ	38	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				350 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000																15 v	300 ma						500NA	Npn	500mV @ 3ma, 300 mA	30 @ 30 Ma, 400mV	- - -
BC33716ta	0,0400	RFQ	532	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	8,103																45 V	800 mA						100na	Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 100 mA, 1V	100 MHz
BSP50	- - -	RFQ	7702	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa				1 w	SOT-223-4	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1																45 V	800 mA						50na	NPN - Darlington	1,3 V @ 500 µA, 500 mA	2000 @ 500 mA, 10V	- - -
MMBT200-FS	0,0300	RFQ	155	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																45 V	500 mA						50na	PNP	400mv @ 20 mA, 200 mA	100 @ 150 mA, 5V	250 MHz
FDB7042L	0,6000	RFQ	119	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		To-263ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		30 v	50a (ta)	4,5 V, 10 V.	7.5Mohm @ 25a, 10V	2v @ 250 mA	51 NC @ 4,5 V.	± 12 V	2418 PF @ 15 V	- - -	83W (TA)
FDZ2553n	0,5900	RFQ	135	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	18-WFBGA	FDZ25		MOSFET (Metalloxid)	2.1W	18-bga (2,5 x 4)	Herunterladen	Rohs Nick Konform				Ear99	8541.29.0095	3.000	2 n-kanal (dual)			20V	9.6a		14mohm @ 9,6a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	17nc @ 4,5V		1299pf @ 10v	Logikpegel -tor
2SC5242Rtu	1,5000	RFQ	498	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3				130 w	To-3p	Herunterladen					Ear99	8541.29.0075	1																250 V	17 a						5 µA (ICBO)	Npn	3v @ 800 mA, 8a	55 @ 1a, 5v	30 MHz
KSC5030FRTU	0,9000	RFQ	7247	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	- - -	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack				60 w	To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	300																800 V	6 a						10 µA (ICBO)	Npn	2v @ 600 mA, 3a	10 @ 600 mA, 5V	- - -
SS9014BTA	1.0000	RFQ	5715	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				450 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																45 V	100 ma						50na (ICBO)	Npn	300 mV @ 5ma, 100 mA	100 @ 1ma, 5V	270 MHz
KSP2222ATA	0,0500	RFQ	96	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	6,497																40 v	600 mA						10NA (ICBO)	Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	300 MHz
Fqpf5p10	0,3400	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		P-Kanal		100 v	2,9a (TC)	10V	1,05 OHM @ 1,45A, 10V	4v @ 250 ähm	8.2 NC @ 10 V	± 30 v	250 PF @ 25 V.	- - -	23W (TC)
FDPF15N65	- - -	RFQ	2828	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		650 V	15a (TC)	10V	440MOHM @ 7.5a, 10V	5 V @ 250 ähm	63 NC @ 10 V	± 30 v	3095 PF @ 25 V.	- - -	38,5W (TC)
FDMS015N04B	1.0000	RFQ	8411	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		40 v	31,3a (TA), 100A (TC)	10V	1,5 MOHM @ 50a, 10V	4v @ 250 ähm	118 NC @ 10 V	± 20 V	8725 PF @ 20 V	- - -	2,5 W (TA), 104W (TC)
HUF76609D3_NL	- - -	RFQ	7166	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	238		N-Kanal		100 v	10a (TC)	4,5 V, 10 V.	160 Mohm @ 10a, 10V	3v @ 250 ähm	16 NC @ 10 V	± 16 v	425 PF @ 25 V.	- - -	49W (TC)
BC239BBU	- - -	RFQ	9151	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.000																25 v	100 ma						15na	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	180 @ 2MA, 5V	250 MHz
PN2222Arp	- - -	RFQ	7038	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	PN2222			625 MW	To-92-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	1																40 v	1 a						10na	Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	300 MHz
FDB039N06	- - -	RFQ	4318	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		60 v	120a (TC)	10V	3,9 MOHM @ 75A, 10V	4,5 V @ 250 ähm	133 NC @ 10 V	± 20 V	8235 PF @ 25 V.	- - -	231W (TC)
SGS23N60UFDtu	1.0000	RFQ	8772	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	SGS23N60	Standard		73 w	To-220f	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1			300 V, 12a, 23 Ohm, 15 V											60 ns	- - -	600 V	23 a	92 a	2,6 V @ 15V, 12a	115 µJ (EIN), 135 µJ (AUS)	49 NC	17ns/60ns
FDMC6296	0,6000	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-MLP (3,3x3,3)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal		30 v	11,5a (ta)	4,5 V, 10 V.	10,5 MOHM @ 11,5A, 10 V	3v @ 250 ähm	19 NC @ 5 V.	± 20 V	2141 PF @ 15 V	- - -	900 MW (TA), 2,1W (TC)
Fqu4p25TU	0,3400	RFQ	4481	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	23		P-Kanal		250 V	3.1a (TC)	10V	2,1OHM @ 1,55A, 10V	5 V @ 250 ähm	14 NC @ 10 V	± 30 v	420 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
FQD7N20LTM	- - -	RFQ	2891	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		200 v	5.5a (TC)	5v, 10V	750MOHM @ 2.75a, 10 V	2v @ 250 ähm	9 NC @ 5 V	± 20 V	500 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
SGH30N60RUFTU	- - -	RFQ	2893	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	SGH30N60	Standard		235 w	To-3pn	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	450			300 V, 30a, 7ohm, 15 V.												- - -	600 V	48 a	90 a	2,8 V @ 15V, 30a	919 µj (EIN), 814 µJ (AUS)	85 NC	30ns/54ns
FJC1386ptf	0,1100	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa				500 MW	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	4.000																20 v	5 a						500NA (ICBO)	PNP	1v @ 100 mA, 4a	80 @ 500 mA, 2V	- - -
KSC2330obu	0,0500	RFQ	120	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 Langer Körper				1 w	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	500																300 V	100 ma						100NA (ICBO)	Npn	500mv @ 1ma, 10 mA	70 @ 20 mA, 10V	50 MHz
BD436S	- - -	RFQ	8546	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3				36 w	To-126-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	344																32 v	4 a						100 µA	PNP	500mv @ 200 Ma, 2a	40 @ 10ma, 5V	3MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²