SIC
close

Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1)
KSH340TF Fairchild Semiconductor KSH340TF 0,2700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,56 w To-252-3 (dpak) Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 2.000 300 V 500 mA 100 µA Npn - - - 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
HUF75637S3ST Fairchild Semiconductor HUF75637S3ST 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4v @ 250 ähm 108 NC @ 20 V ± 20 V 1700 PF @ 25 V. - - - 155W (TC)
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc 255 w Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 60 Einzel - - - 600 V 96 a 2,7 V @ 15V, 30a 250 µA NEIN
BDX53BTU Fairchild Semiconductor BDX53BTU - - -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 60 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 844 80 v 8 a 500 ähm NPN - Darlington 2v @ 12 ma, 3a 750 @ 3a, 3v - - -
MPS6513 Fairchild Semiconductor MPS6513 1.0000
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 30 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 50 mA 90 @ 2MA, 10V - - -
BF721T1G Fairchild Semiconductor BF721T1G - - -
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,5 w SOT-223 (to-261) Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 300 V 50 ma 10NA (ICBO) PNP 800mv @ 5ma, 30 mA 50 @ 25ma, 20V 60 MHz
BC557BTF Fairchild Semiconductor BC557BTF - - -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 500 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 934 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
RFP15N05L Fairchild Semiconductor RFP15N05L 0,8500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 50 v 15a (TC) 140mohm @ 15a, 5V 2v @ 250 ähm ± 10 V 900 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
FDMS0300S Fairchild Semiconductor FDMS0300S - - -
RFQ
 ECAD 4511 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench®, SyncFet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 31a (ta), 49a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,8 MOHM @ 30a, 10V 3V @ 1ma 133 NC @ 10 V ± 20 V 8705 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 96W (TC)
HUF76419D3STR4921 Fairchild Semiconductor HUF76419D3STR4921 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 37mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 27,5 NC @ 10 V. ± 16 v 900 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
MMBT5962 Fairchild Semiconductor MMBT5962 - - -
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - - - Ear99 8541.21.0095 1 45 V 100 ma 2na (ICBO) Npn 200 MV @ 500 µA, 10 mA 600 @ 10ma, 5V - - -
KST3904LGEMTF Fairchild Semiconductor KST3904LGEMTF 0,0600
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 5,323 40 v 200 ma - - - Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
PN2907ARA Fairchild Semiconductor PN2907ara 0,0200
RFQ
 ECAD 1868 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PN2907 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 4.000 60 v 800 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
HUF75344A3 Fairchild Semiconductor HUF75344A3 1.3700
RFQ
 ECAD 616 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 208 NC @ 20 V ± 20 V 4855 PF @ 25 V. - - - 288,5W (TC)
FDU8896 Fairchild Semiconductor FDU8896 0,7200
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 30 v 17a (ta), 94a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.7mohm @ 35a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 20 V 2525 PF @ 15 V - - - 80W (TC)
HUFA75344P3 Fairchild Semiconductor HUFA75344P3 0,9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 210 NC @ 20 V ± 20 V 3200 PF @ 25 V. - - - 285W (TC)
KSA928AYBU Fairchild Semiconductor KSA928AYBU - - -
RFQ
 ECAD 7501 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 500 30 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 2v @ 30 mA, 1,5a 160 @ 500 mA, 2V 120 MHz
FQA9N90 Fairchild Semiconductor FQA9N90 - - -
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 900 V 8.6a (TC) 10V 1,3OHM @ 4,3a, 10V 5 V @ 250 ähm 72 NC @ 10 V ± 30 v 2700 PF @ 25 V. - - - 240W (TC)
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC560 500 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 150 MHz
BCX71G Fairchild Semiconductor BCX71G 0,0200
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 369 45 V 100 ma 20na PNP 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA 120 @ 2MA, 5V - - -
FJV3110RMTF Fairchild Semiconductor FJV3110RMTF - - -
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 10 Kohms
FQA19N60 Fairchild Semiconductor FQA19N60 - - -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3pn Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 18,5a (TC) 10V 380MOHM @ 9.3a, 10V 5 V @ 250 ähm 90 nc @ 10 v ± 30 v 3600 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
FQD6P25TF Fairchild Semiconductor Fqd6p25tf 0,6000
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 250 V 4.7a (TC) 10V 1,1OHM @ 2,35A, 10V 5 V @ 250 ähm 27 NC @ 10 V ± 30 v 780 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 55 W (TC)
TN6717A Fairchild Semiconductor TN6717A 0,1200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) TN6717 1 w To-226-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 80 v 1.2 a 100NA (ICBO) Npn 350 MV @ 10 Ma, 250 mA 50 @ 250 mA, 1V - - -
ISL9N312AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3 0,2900
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 50a, 10V 3v @ 250 ähm 38 nc @ 10 v ± 20 V 1450 PF @ 15 V - - - 75W (TA)
HUFA75652G3 Fairchild Semiconductor HUFA75652G3 3.3800
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 - - - ROHS3 -KONFORM 2156-HUFA75652G3-FS Ear99 8541.29.0095 150 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 475 NC @ 20 V ± 20 V 7585 PF @ 25 V. - - - 515W (TC)
FDMC2610 Fairchild Semiconductor FDMC2610 1.0000
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn MOSFET (Metalloxid) 8-MLP (3,3x3,3) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 200 v 2,2a (TA), 9,5a (TC) 6 V, 10V 200mohm @ 2.2a, 10 V. 4v @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V 960 PF @ 100 V - - - 2.1W (TA), 42W (TC)
FDB3672 Fairchild Semiconductor FDB3672 1.9100
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 7.2a (TA), 44a (TC) 6 V, 10V 28mohm @ 44a, 10V 4v @ 250 ähm 31 NC @ 10 V ± 20 V 1710 PF @ 25 V - - - 120W (TC)
HUFA75343G3 Fairchild Semiconductor HUFA75343G3 1.0200
RFQ
 ECAD 821 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 150 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 205 NC @ 20 V ± 20 V 3000 PF @ 25 V. - - - 270W (TC)
FQPF8N90C Fairchild Semiconductor Fqpf8n90c 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Fqpf8 MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 900 V 6.3a (TC) 10V 1,9ohm @ 3.15a, 10 V 5 V @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 30 v 2080 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen