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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Breakdown (V (BR) GSS)	Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Ausfluss - rds (on)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)	Strom Abfluss (ID) - Maximal
FGA40T65SHDF	1.0000	RFQ	8593	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		Standard		268 w		To-3pn	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			400 V, 40a, 6OHM, 15 V.											101 ns	TRABENFELD STOPP	650 V	80 a	120 a	1,81v @ 15V, 40a	1,22 MJ (EIN), 440 µJ (AUS)	68 NC	18ns/64ns
FDS6679Z	- - -	RFQ	1993	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)			8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal		30 v	13a (ta)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 13a, 10V	3v @ 250 ähm	94 NC @ 10 V	+20V, -25 V.	3803 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
FCH25N60N	3.7500	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	Supremos ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)			To-247	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	80		N-Kanal		600 V	25a (TC)	10V	126mohm @ 12.5a, 10V	4v @ 250 ähm	74 NC @ 10 V	± 30 v	3352 PF @ 100 V	- - -	216W (TC)
FJN3304RTA	0,0200	RFQ	4788	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	Fjn330			300 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																50 v	100 ma									100NA (ICBO)			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	47 Kohms	47 Kohms
FGPF4565	1.2000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		Standard		30 w		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			400 V, 30a, 5ohm, 15 V.												TRABENFELD STOPP	650 V		170 a	1,88 V @ 15V, 30a	- - -	40.3 NC	11,2ns/40,8ns
MMBF4392	- - -	RFQ	1075	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	1		N-Kanal									14pf @ 20V												30 v	25 mA @ 20 V	2 V @ 1 na			60 Ohm
FDMS3606As	1.0900	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	FDMS3606		MOSFET (Metalloxid)	1W		8-PQFN (5x6)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch			30V	13a, 27a		8mohm @ 13a, 10V	2,7 V @ 250 ähm	29nc @ 10v		1695PF @ 15V	Logikpegel -tor
Fqpf5n50c	1.0000	RFQ	5408	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	5a (TC)	10V	1,4OHM @ 2,5a, 10 V.	4v @ 250 ähm	24 nc @ 10 v	± 30 v	625 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
FMG2G75US120	55.8100	RFQ	45	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr-Ga	Fmg2			445 w	Standard	19 Uhr-Ga	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke														- - -	1200 V	75 a		3v @ 15V, 75a							3 ma	NEIN
Fqu2N60TU	0,6700	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	5.040		N-Kanal		600 V	2a (TC)	10V	4.7ohm @ 1a, 10V	5 V @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	350 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
Fqpf18n50v2sdtu	1.5300	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		500 V	18a (TJ)	10V	265mohm @ 9a, 10V	5 V @ 250 ähm	55 NC @ 10 V	± 30 v	3290 PF @ 25 V.	- - -	69W (TC)
HUFA76429P3	- - -	RFQ	2376	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	437		N-Kanal		60 v	47a (TC)	4,5 V, 10 V.	22mohm @ 47a, 10V	3v @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 16 v	1480 PF @ 25 V.	- - -	110W (TC)
FDS4885C	1.0000	RFQ	6937	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS48		MOSFET (Metalloxid)	900 MW		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	1	N und p-kanal			40V	7.5a, 6a		22mohm @ 7,5a, 10V	5 V @ 250 ähm	21nc @ 10v		900PF @ 20V	- - -
FDS6680	0,8800	RFQ	58	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)			8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	11,5a (ta)	4,5 V, 10 V.	10Mohm @ 11.5a, 10V	3v @ 250 ähm	27 NC @ 5 V	± 20 V	2070 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
FJZ594JCTF	0,0200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-623F				100 MW		SOT-623F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal									3.5PF @ 5v												20 v	150 µa @ 5 V	600 mV @ 1 µA										1 Ma
SS9015ABU	0,0200	RFQ	3817	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				450 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			2156-SSS9015ABU-FS	Ear99	8541.21.0075	1.000																45 V	100 ma									50na (ICBO)			PNP	700 mv @ 5ma, 100 mA	60 @ 1ma, 5V	190 MHz
Fqu3p20TU	1.0100	RFQ	13	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	70		P-Kanal		200 v	2.4a (TC)	10V	2,7OHM @ 1,2a, 10 V	5 V @ 250 ähm	8 NC @ 10 V	± 30 v	250 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 37W (TC)
BC857C	0,0700	RFQ	6936	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BC857			250 MW		SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000																45 V	100 ma									15NA (ICBO)			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
HUFA75329S3ST	0,4400	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		55 v	49a (TC)	10V	24MOHM @ 49A, 10V	4v @ 250 ähm	75 NC @ 20 V	± 20 V	1060 PF @ 25 V.	- - -	128W (TC)
Fci7n60	- - -	RFQ	5391	Fairchild Semiconductor	Superfet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	7a (TC)	10V	600 MOHM @ 3,5A, 10 V.	5 V @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 30 v	920 PF @ 25 V.	- - -	83W (TC)
FCH077N65F-F085	6.1300	RFQ	148	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)			To-247	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	49		N-Kanal		650 V	54a (TC)	10V	77mohm @ 27a, 10V	5 V @ 250 ähm	164 NC @ 10 V.	± 20 V	7162 PF @ 25 V.	- - -	481W (TC)
FDMC8010A	1.1100	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				FDMC8010		- - -				- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8542.39.0001	3.000												- - -
KSC1623LMTF	- - -	RFQ	9122	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				200 MW		SOT-23-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-kSC1623lmtf-600039			1																50 v	100 ma									100NA (ICBO)			Npn	300mv @ 10 mA, 100 mA	300 @ 1ma, 6v	250 MHz
IRFI614BTUFP001	0,1200	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)			I2pak (to-262)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		250 V	2.8a (TC)	10V	2OHM @ 1,4a, 10V	4v @ 250 ähm	10.5 NC @ 10 V	± 30 v	275 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 40 W (TC)
FQAF16N25C	0,9200	RFQ	360	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	360		N-Kanal		250 V	11.4a (TC)	10V	270 MOHM @ 5.7A, 10V	4v @ 250 ähm	53,5 NC @ 10 V.	± 30 v	1080 PF @ 25 V.	- - -	73W (TC)
Fqpf3n80	0,7800	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		800 V	1,8a (TC)	10V	5ohm @ 900 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	19 NC @ 10 V	± 30 v	690 PF @ 25 V.	- - -	39W (TC)
FDB0170N607L	- - -	RFQ	3824	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab)			MOSFET (Metalloxid)			To-263-7	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		60 v	300A (TC)	10V	1,4 MOHM @ 39A, 10V	4v @ 250 ähm	243 NC @ 10 V	± 20 V	19250 PF @ 30 V	- - -	3,8 W (TA), 250 W (TC)
NDS9956a	- - -	RFQ	4055	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)	900 MW (TA)		8-soic	- - -				2156-NDS9956a			1	2 N-Kanal			30V	3.7a (ta)		80MOHM @ 2,2a, 10V	2,8 V @ 250 ähm	27nc @ 10v		320pf @ 10v	Standard
BD240BTU	1.0000	RFQ	9892	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				30 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50																80 v	2 a									300 µA			PNP	700mv @ 200 Ma, 1a	15 @ 1a, 4V	- - -
FDMS5362LF085	- - -	RFQ	7713	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)			8-PQFN (5x6)	Herunterladen					Ear99	8542.29.0095	526		N-Kanal		60 v	17,6a (TC)	4,5 V, 10 V.	33mohm @ 17.6a, 10V	3v @ 250 ähm	21 NC @ 10 V	± 20 V	878 PF @ 25 V.	- - -	41,7W (TJ)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²