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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1)
FDS8928A Fairchild Semiconductor FDS8928a 1.0000
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS89 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1 N und p-kanal 30 V, 20V 5.5a, 4a 30mohm @ 5,5a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 28nc @ 4,5V 900PF @ 10V Logikpegel -tor
HUFA75433S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75433S3ST 1.1800
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-HUFA75433S3ST Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 64a (TC) 10V 16mohm @ 64a, 10V 4v @ 250 ähm 117 NC @ 20 V ± 20 V 1550 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor HUF75842p3 - - -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 150 v 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10V 4v @ 250 ähm 175 NC @ 20 V ± 20 V 2730 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
FDS6930A Fairchild Semiconductor FDS6930a 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS6930 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 946 2 n-kanal (dual) 30V 5.5a 40mohm @ 5,5a, 10V 3v @ 250 ähm 7nc @ 5v 460PF @ 15V Logikpegel -tor
FJN4310RBU Fairchild Semiconductor FJN4310RBU 0,0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) Fjn431 300 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 10 Kohms
2N7002-G Fairchild Semiconductor 2N7002-g - - -
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-2N7002-G Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 60 v 115 Ma (TC) 5v, 10V 7.5OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 200 MW (TC)
FDB8876 Fairchild Semiconductor FDB8876 0,4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 71a (TC) 4,5 V, 10 V. 8.5Mohm @ 40a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 1700 PF @ 15 V - - - 70W (TC)
KSC1008OTA Fairchild Semiconductor KSC1008OTA 0,1500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 800 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 60 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 70 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
FDS6676S Fairchild Semiconductor FDS6676s 0,6400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 14,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 14,5A, 10V 3V @ 1ma 60 NC @ 5 V ± 16 v 4665 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
MPSA93 Fairchild Semiconductor MPSA93 0,0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 200 v 500 mA 250na (ICBO) PNP 400mv @ 2MA, 20 mA 25 @ 30 Ma, 10V 50 MHz
PN3642 Fairchild Semiconductor PN3642 0,0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 45 V 500 mA 50na Npn 220 MV @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
ISL9V3036D3ST Fairchild Semiconductor Isl9v3036d3st 1.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Fairchild Semiconductor ECOSPARK® Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Logik 150 w To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 300 V, 1kohm, 5V - - - 360 V 21 a 1,6 V @ 4V, 6a - - - 17 NC -/4,8 µs
KSC2328AOBU Fairchild Semiconductor KSC2328AOBU 0,0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 1 w To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 6,107 30 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 2v @ 30 mA, 1,5a 100 @ 500 mA, 2V 120 MHz
SS9015CBU Fairchild Semiconductor SS9015CBU 0,0200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 450 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 45 V 100 ma 50na (ICBO) PNP 700 mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 1ma, 5V 190 MHz
BC33716BU Fairchild Semiconductor BC33716BU 0,0400
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 7.474 45 V 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FDPF6N60ZUT Fairchild Semiconductor FDPF6N60ZUT 0,6800
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 450 N-Kanal 600 V 4,5a (TC) 10V 2OHM @ 2,25A, 10 V 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 865 PF @ 25 V. - - - 33.8W (TC)
FQA90N10V2 Fairchild Semiconductor FQA90N10V2 4.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 105a (TC) 10V 10MOHM @ 52,5a, 10V 4v @ 250 ähm 191 NC @ 10 V. ± 30 v 6150 PF @ 25 V. - - - 330W (TC)
FCP400N80Z Fairchild Semiconductor FCP400N80Z - - -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 126 N-Kanal 800 V 14a (TC) 10V 400MOHM @ 5.5A, 10V 4,5 V @ 1,1 Ma 56 NC @ 10 V ± 20 V 2350 PF @ 1 V. - - - 195W (TC)
FDMS0308CS Fairchild Semiconductor FDMS0308Cs 1,5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 22a (ta) 3mohm @ 21a, 10V 3V @ 1ma 66 NC @ 10 V 4225 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 65 W (TC)
KSC5019MTA Fairchild Semiconductor KSC5019MTA 0,0700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads KSC5019 750 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 10 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 50 Ma, 2a 140 @ 500 mA, 1V 150 MHz
FQAF8N80 Fairchild Semiconductor Fqaf8n80 1.6700
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 800 V 5.9a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,95A, 10V 5 V @ 250 ähm 57 NC @ 10 V ± 30 v 2350 PF @ 25 V. - - - 107W (TC)
FQP16N15 Fairchild Semiconductor FQP16N15 0,6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 150 v 16,4a (TC) 10V 160 MOHM @ 8.2a, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 25 V 910 PF @ 25 V. - - - 108W (TC)
MMBTA14-NB05232 Fairchild Semiconductor MMBTA14-NB05232 0,1400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.21.0075 3.000
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0,6600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 50a (ta) 4,5 V, 10 V. 7.5Mohm @ 25a, 10V 2v @ 250 mA 51 NC @ 4,5 V. ± 12 V 2418 PF @ 15 V - - - 83W (TA)
FQP24N08 Fairchild Semiconductor FQP24N08 1.0000
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 80 v 24a (TC) 10V 60MOHM @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 25 V 750 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
BC33725TFR Fairchild Semiconductor BC33725TFR 0,0400
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 7.071 45 V 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FGH20N6S2D Fairchild Semiconductor FGH20N6S2D 0,7600
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 ECAD 20 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 125 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 150 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V 31 ns - - - 600 V 28 a 40 a 2,7 V @ 15V, 7a 25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS) 30 NC 7.7ns/87ns
JFTJ105 Fairchild Semiconductor Jftj105 - - -
RFQ
 ECAD 9816 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1 w SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal - - - 25 v 500 mA @ 15 V 4,5 V @ 1 µA 3 Ohm
BD237STU Fairchild Semiconductor BD237stu - - -
RFQ
 ECAD 7331 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 25 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 80 v 2 a 100 µA (ICBO) Npn 600mv @ 100 mA, 1a 40 @ 150 mA, 2V 3MHz
KSA733GBU Fairchild Semiconductor KSA733GBU 0,0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) KSA733 250 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 1ma, 6v 180 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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