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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1)
FCPF220N80 Fairchild Semiconductor FCPF220N80 - - -
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack FCPF220 MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 800 V 23a (TC) 10V 220MOHM @ 11.5A, 10V 4,5 V @ 2,3 Ma 105 NC @ 10 V ± 20 V 4560 PF @ 100 V - - - 44W (TC)
FQP11P06 Fairchild Semiconductor FQP11P06 1.0000
RFQ
 ECAD 8214 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 60 v 11.4a (TC) 10V 175mohm @ 5.7a, 10V 4v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 25 V 550 PF @ 25 V. - - - 53W (TC)
HUF75637S3ST Fairchild Semiconductor HUF75637S3ST 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4v @ 250 ähm 108 NC @ 20 V ± 20 V 1700 PF @ 25 V. - - - 155W (TC)
NDS9435A Fairchild Semiconductor NDS9435a - - -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 5.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 5.3a, 10V 3v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 25 V 528 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
HUFA75344P3 Fairchild Semiconductor HUFA75344P3 0,9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 210 NC @ 20 V ± 20 V 3200 PF @ 25 V. - - - 285W (TC)
NDP6020P Fairchild Semiconductor NDP6020p - - -
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 NDP602 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 20 v 24a (TC) 4,5 v 50mohm @ 12a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 35 NC @ 5 V. ± 8 v 1590 PF @ 10 V. - - - 60 W (TC)
FQA18N50V2 Fairchild Semiconductor FQA18N50V2 2.8400
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 450 N-Kanal 500 V 20A (TC) 10V 265mohm @ 10a, 10V 5 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 30 v 3290 PF @ 25 V. - - - 277W (TC)
BDX53BTU Fairchild Semiconductor BDX53BTU - - -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 60 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 844 80 v 8 a 500 ähm NPN - Darlington 2v @ 12 ma, 3a 750 @ 3a, 3v - - -
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc 255 w Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 60 Einzel - - - 600 V 96 a 2,7 V @ 15V, 30a 250 µA NEIN
MPS6513 Fairchild Semiconductor MPS6513 1.0000
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 30 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 50 mA 90 @ 2MA, 10V - - -
KSB564ACGTA Fairchild Semiconductor KSB564ACGTA 0,0200
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 800 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 514 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 200 @ 100ma, 1V 110 MHz
FDS6676 Fairchild Semiconductor FDS6676 1.7700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 14,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 14.5a, 10V 3v @ 250 ähm 63 NC @ 5 V. ± 16 v 5103 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
HUF76139S3STK Fairchild Semiconductor HUF76139S3STK 0,5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 75A, 10V 3v @ 250 ähm 78 NC @ 10 V ± 20 V 2700 PF @ 25 V. - - - 165W (TC)
SSS4N60BT Fairchild Semiconductor SSS4N60BT 0,3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 4a (TJ) 10V 2,5OHM @ 2a, 10V 4v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 30 v 920 PF @ 25 V. - - - 33W (TC)
MMBT4354 Fairchild Semiconductor MMBT4354 - - -
RFQ
 ECAD 1905 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 375 60 v 800 mA 50na (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 10ma, 5v - - -
FDD16AN08A0_NL Fairchild Semiconductor Fdd16an08a0_nl - - -
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 75 V 9A (TA), 50A (TC) 6 V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 47 NC @ 10 V ± 20 V 1874 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
ISL9N306AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N306AS3ST 0,3700
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 90 nc @ 10 v ± 20 V 3400 PF @ 15 V - - - 125W (TA)
IRFS634B_FP001 Fairchild Semiconductor IRFS634B_FP001 0,5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 8.1a (TC) 10V 450MOHM @ 4.05A, 10V 4v @ 250 ähm 38 nc @ 10 v ± 30 v 1000 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
TN6717A Fairchild Semiconductor TN6717A 0,1200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) TN6717 1 w To-226-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 80 v 1.2 a 100NA (ICBO) Npn 350 MV @ 10 Ma, 250 mA 50 @ 250 mA, 1V - - -
HUF76129D3ST Fairchild Semiconductor HUF76129D3ST 0,5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 46 NC @ 10 V ± 20 V 1425 PF @ 25 V. - - - 105W (TC)
BC549BBU Fairchild Semiconductor BC549BBU - - -
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
FJV3110RMTF Fairchild Semiconductor FJV3110RMTF - - -
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 10 Kohms
FQB5N50CFTM Fairchild Semiconductor FQB5N50CFTM - - -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 Fairchild Semiconductor FRFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 58 N-Kanal 500 V 5a (TC) 10V 1,55 Ohm @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 24 nc @ 10 v ± 30 v 625 PF @ 25 V. - - - 96W (TC)
FQD6P25TF Fairchild Semiconductor Fqd6p25tf 0,6000
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 250 V 4.7a (TC) 10V 1,1OHM @ 2,35A, 10V 5 V @ 250 ähm 27 NC @ 10 V ± 30 v 780 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 55 W (TC)
RFD3055LESM Fairchild Semiconductor RFD3055LESM 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1,255 N-Kanal 60 v 11a (TC) 5v 107mohm @ 8a, 5V 3v @ 250 ähm 11.3 NC @ 10 V ± 16 v 350 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
FQA19N60 Fairchild Semiconductor FQA19N60 - - -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3pn Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 18,5a (TC) 10V 380MOHM @ 9.3a, 10V 5 V @ 250 ähm 90 nc @ 10 v ± 30 v 3600 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
HUFA75645P3 Fairchild Semiconductor HUFA75645P3 1.1800
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 238 NC @ 20 V ± 20 V 3790 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Metalloxid) To-251 (ipak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 204 N-Kanal 30 v 67a (ta) 4,5 V, 10 V. 8.5Mohm @ 16a, 10V 3v @ 250 ähm 35 NC @ 5 V. ± 16 v 3087 PF @ 15 V - - - 1.6W (TA)
EFC4C002NLTDG Fairchild Semiconductor EFC4C002NLTDG - - -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-XFBGA, WLCSP EFC4C002 MOSFET (Metalloxid) 2.6W 8-WLCSP (6x2,5) Herunterladen 0000.00.0000 1 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss - - - - - - - - - 2,2 V @ 1ma 45nc @ 4,5V 6200PF @ 15V Logikpegel -tor
FDD10AN06A0Q Fairchild Semiconductor Fdd10an06a0q 2.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252aa - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 11a (ta) 10.5mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 1840 PF @ 25 V. 135W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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