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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	Feuchtigitesempfindlich (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Breakdown (V (BR) GSS)	Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Strom Abfluss (ID) - Maximal
Fqpf3n80	0,7800	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		800 V	1,8a (TC)	10V	5ohm @ 900 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	19 NC @ 10 V	± 30 v	690 PF @ 25 V.	- - -	39W (TC)
FJP3835TU	0,1800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				50 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	1.767															120 v	8 a									100 µA (ICBO)		Npn	500mv @ 300 mA, 3a	120 @ 3a, 4V	30 MHz
Fqpf18n50v2sdtu	1.5300	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		500 V	18a (TJ)	10V	265mohm @ 9a, 10V	5 V @ 250 ähm	55 NC @ 10 V	± 30 v	3290 PF @ 25 V.	- - -	69W (TC)
Fqpf1n50	- - -	RFQ	1398	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	900 Ma (TC)	10V	9ohm @ 450 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	5,5 NC @ 10 V.	± 30 v	150 PF @ 25 V.	- - -	16W (TC)
Fqpf5n50c	1.0000	RFQ	5408	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	5a (TC)	10V	1,4OHM @ 2,5a, 10 V.	4v @ 250 ähm	24 nc @ 10 v	± 30 v	625 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
FMG2G75US120	55.8100	RFQ	45	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr-Ga	Fmg2			445 w	Standard	19 Uhr-Ga	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke													- - -	1200 V	75 a		3v @ 15V, 75a							3 ma	NEIN
2n3391a	- - -	RFQ	8172	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000															25 v	500 mA									100NA (ICBO)		Npn	- - -	250 @ 2MA, 4,5 V.	- - -
FQAF19N60	2.6500	RFQ	681	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)			To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	360		N-Kanal		600 V	11.2a (TC)	10V	380MOHM @ 5.6a, 10V	5 V @ 250 ähm	90 nc @ 10 v	± 30 v	3600 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
KSD1616Albu	0,0700	RFQ	490	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				750 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	10.000															60 v	1 a									100NA (ICBO)		Npn	300 mV @ 50 Ma, 1a	300 @ 100 mA, 2 V	160 MHz
Fqu2N60TU	0,6700	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	5.040		N-Kanal		600 V	2a (TC)	10V	4.7ohm @ 1a, 10V	5 V @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	350 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)
FJZ594JCTF	0,0200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-623F				100 MW		SOT-623F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal									3.5PF @ 5v											20 v	150 µa @ 5 V	600 mV @ 1 µA							1 Ma
FDS6680	0,8800	RFQ	58	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)			8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	11,5a (ta)	4,5 V, 10 V.	10Mohm @ 11.5a, 10V	3v @ 250 ähm	27 NC @ 5 V	± 20 V	2070 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA)
SS9015ABU	0,0200	RFQ	3817	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				450 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			2156-SSS9015ABU-FS	Ear99	8541.21.0075	1.000															45 V	100 ma									50na (ICBO)		PNP	700 mv @ 5ma, 100 mA	60 @ 1ma, 5V	190 MHz
HUF76409D3	0,4700	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)			I-Pak	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 v	18a (TC)	4,5 V, 10 V.	63mohm @ 18a, 10V	3v @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 16 v	485 PF @ 25 V.	- - -	49W (TC)
FDMC8588DC	1.0000	RFQ	8146	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)			8-PQFN (3,3x3,3)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		25 v	17A (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10 V.	5mohm @ 18a, 10V	1,8 V @ 250 ähm	12 NC @ 4,5 V.	± 12 V	1695 PF @ 13 V	- - -	3W (TA), 41W (TC)
FQD5N50CTM	0,5100	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		500 V	4a (TC)	10V	1,4ohm @ 2a, 10 V.	4v @ 250 ähm	24 nc @ 10 v	± 30 v	625 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 48W (TC)
FGA20S140P	1.4800	RFQ	425	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	FGA20S140	Standard		272 w		To-3pn	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	204			- - -											TRABENFELD STOPP	1400 v	40 a	60 a	2,4 V @ 15V, 20a	- - -	203,5 NC	- - -
KST63MTF	- - -	RFQ	1399	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000															30 v	500 mA									100NA (ICBO)		PNP - Darlington	1,5 V @ 100 µA, 100 mA	10000 @ 100 mA, 5V	125 MHz
KSB564AYBU	0,0300	RFQ	6872	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				800 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	9.000															25 v	1 a									100NA (ICBO)		PNP	500mv @ 100 mA, 1a	120 @ 100 mA, 1V	110 MHz
KSC5502DTM	- - -	RFQ	7816	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				118.16 w		To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1															750 V	2 a									100 µA		Npn	1,5 V @ 200 Ma, 1a	15 @ 200 Ma, 1V	11 MHz
FDD6780	0,2500	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		25 v	16,5a (TA), 30a (TC)	4,5 V, 10 V.	8.5Mohm @ 16.5a, 10V	3v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	1590 PF @ 13 V.	- - -	3,7W (TA), 32,6W (TC)
SFW9530TM	0,3500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		P-Kanal		100 v	10.5a (TC)	10V	300MOHM @ 5.3A, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 30 v	1035 PF @ 25 V.	- - -	3,8 W (TA), 66W (TC)
FGL40N120antu	8.9200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa		Standard		500 w		HPM F2	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1			600 V, 40a, 5ohm, 15 V.											Npt	1200 V	64 a	160 a	3,2 V @ 15V, 40a	2,3 MJ (EIN), 1,1MJ (AUS)	220 NC	15ns/110ns
FDZ375p	1.5400	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	4-XFBGA, WLCSP			MOSFET (Metalloxid)			4-WLCSP (1x1)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal		20 v	3.7a (ta)	1,5 V, 4,5 V.	78mohm @ 2a, 4,5 V.	1,2 V @ 250 ähm	15 NC @ 4,5 V	± 8 v	865 PF @ 10 V.	- - -	1.7W (TA)
ISL9N322AS3ST	1.0300	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)			To-263ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		30 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	22mohm @ 35a, 10V	3v @ 250 ähm	27 NC @ 10 V	± 20 V	970 PF @ 15 V	- - -	50W (TA)
BC546B	- - -	RFQ	8350	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	5.000															65 V	100 ma									15NA (ICBO)		Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	300 MHz
BD241CTU	0,3200	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	BD241			40 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1															100 v	3 a									300 µA		Npn	1,2 V @ 600 Ma, 3a	25 @ 1a, 4V	- - -
FDD6690S	0,6300	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal		30 v	40a (ta)	10V	16mohm @ 10a, 10V	3V @ 1ma	24 nc @ 10 v	± 20 V	2010 PF @ 15 V	- - -	1,3W (TA)
HUFA75307D3S	0,2100	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.800		N-Kanal		55 v	15a (TC)	10V	90 MOHM @ 15a, 10V	4v @ 250 ähm	20 NC @ 20 V	± 20 V	250 PF @ 25 V.	- - -	45W (TC)
FQD5N40TM	0,4400	RFQ	157	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		400 V	3.4a (TC)	10V	1,6OHM @ 1,7a, 10V	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	460 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 45W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²