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Transistoren (3825)

Bild	Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	ECAD	Menge Verfügbar	Gewicht (kg)	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
	FDS4935a	- - -	RFQ		1025	0.00000000	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS49	MOSFET (Metalloxid)	900 MW		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 p-kanal (dual)		30V	7a		23mohm @ 7a, 10V	3v @ 250 ähm	21nc @ 5v		1233pf @ 15V	Logikpegel -tor
	Fje5304dtu	- - -	RFQ		1613	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	K. Loch	To-225aa, to-126-3			30 w		To-126-3	Herunterladen						0000.00.0000	1														400 V	4 a		100 µA			Npn	1,5 V @ 500 Ma, 2,5a	8 @ 2a, 5V	- - -
	FDP46N30	- - -	RFQ		6188	0.00000000	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-FDP46N30-600039		0000.00.0000	1
	BC557B	0,0500	RFQ		7	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			625 MW		To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	5,770														45 V	100 ma		100na			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	180 @ 2MA, 5V	320 MHz
	HUF75631S3ST	2.1100	RFQ		321	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)			D2pak (to-263)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	100 v	33a (TC)	10V	40mohm @ 33a, 10V	4v @ 250 ähm	79 NC @ 20 V	± 20 V	1220 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
	BC548CTA	0,0400	RFQ		22	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			500 MW		To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	8,266														30 v	100 ma		15NA (ICBO)			Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
	FDS2170N3	2.0700	RFQ		2	0.00000000	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)			8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	200 v	3a (ta)	10V	128mohm @ 3a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 20 V	1292 PF @ 100 V	- - -	3W (TA)
	FDMS0346	0,1800	RFQ		108	0.00000000	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn		MOSFET (Metalloxid)			Power56	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal	25 v	17a (ta), 28a (TC)	4,5 V, 10 V.	5.8mohm @ 17a, 10V	3v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 20 V	1625 PF @ 13 V.	- - -	2,5 W (TA), 33W (TC)
	FDP16AN08A0	0,9100	RFQ		3	0.00000000	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	357		N-Kanal	75 V	9A (TA), 58a (TC)	6 V, 10V	16mohm @ 58a, 10V	4v @ 250 ähm	42 NC @ 10 V.	± 20 V	1857 PF @ 25 V.	- - -	135W (TC)
	Fmb857b	0,2400	RFQ		3	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			700 MW		Supersot ™ -6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	3.000														45 V	500 mA		15NA (ICBO)			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	220 @ 2MA, 5V	- - -
	FMG1G150US60L	51.0200	RFQ		15	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul			595 w	Standard	- - -	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel												- - -	600 V	150 a	2,7 V @ 15V, 150a	250 µA	NEIN
	FDD6685	- - -	RFQ		2428	0.00000000	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)			To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		P-Kanal	30 v	11a (ta), 40a (TC)	4,5 V, 10 V.	20mohm @ 11a, 10V	3v @ 250 ähm	24 nc @ 5 v	± 25 V	1715 PF @ 15 V	- - -	1.6W (TA)
	BC307BTA	- - -	RFQ		7521	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads			500 MW		To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000														45 V	100 ma		15na			PNP	500 mV @ 5ma, 100 mA	180 @ 2MA, 5V	130 MHz
	Fqpf8n60cydtu	1.0500	RFQ		1	0.00000000	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads		MOSFET (Metalloxid)			To-220F-3 (Y-Forming)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal	600 V	7.5a (TC)	10V	1,2OHM @ 3,75A, 10 V.	4v @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	± 30 v	1255 PF @ 25 V.	- - -	48W (TC)
	FMG1G100US60L	37.9900	RFQ		46	0.00000000	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	19 Uhr-Ga			400 w	Standard	19 Uhr-Ga	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	15	Einzel												- - -	600 V	100 a	2,8 V @ 15V, 100a	250 µA	NEIN	10.84 NF @ 30 V

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