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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	FET -Typ	Testedingung	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Breakdown (V (BR) GSS)	Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
Fqu2n60ctu	- - -	RFQ	5779	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	N-Kanal			600 V	1,9a (TC)	10V	4.7ohm @ 950 mA, 10V	4v @ 250 ähm	12 NC @ 10 V	± 30 v	235 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 44W (TC)
MMBT4403	- - -	RFQ	9368	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBT4403			250 MW	SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	1																40 v	600 mA									100na	PNP	750 MV @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 2V	200 MHz
HGT1S7N60C3D	0,9800	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		Standard		60 w	I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1		- - -												25 ns	- - -	600 V	14 a	56 a	2v @ 15V, 7a	- - -	38 NC	- - -
BSR14	1.0000	RFQ	1929	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1																40 v	800 mA									10NA (ICBO)	Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	300 MHz
Fqpf6n50	0,5900	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal			500 V	3.6a (TC)	10V	1,3OHM @ 1,8a, 10 V.	5 V @ 250 ähm	22 NC @ 10 V.	± 30 v	790 PF @ 25 V.	- - -	42W (TC)
KSC1008OBU	- - -	RFQ	2345	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				800 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																60 v	700 Ma									100NA (ICBO)	Npn	400 mv @ 50 mA, 500 mA	70 @ 50 Ma, 2V	50 MHz
FCH20N60	2.6500	RFQ	838	Fairchild Semiconductor	Superfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	30	N-Kanal			600 V	20A (TC)	10V	190mohm @ 10a, 10V	5 V @ 250 ähm	98 NC @ 10 V.	± 30 v	3080 PF @ 25 V.	- - -	208W (TC)
FDPF7N50F	0,7100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal			500 V	6a (TC)	10V	1,15OHM @ 3a, 10V	5 V @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	960 PF @ 25 V.	- - -	38,5W (TC)
FDMS86320	0,7200	RFQ	4089	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	69	N-Kanal			80 v	10.5a (TA), 22A (TC)	8 V, 10V	11.7mohm @ 10.5a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	41 nc @ 10 v	± 20 V	2640 PF @ 40 V	- - -	2,5 W (TA), 69W (TC)
KST06MTF-FS	- - -	RFQ	4273	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																80 v	500 mA									100na	Npn	250mv @ 10 mA, 100 mA	50 @ 100 mA, 1V	100 MHz
FDS6692A	0,5200	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	582	N-Kanal			30 v	9a (ta)	4,5 V, 10 V.	11,5 MOHM @ 9A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	1610 PF @ 15 V	- - -	1.47W (TA)
BD17610stu	0,2000	RFQ	19	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3	BD176			30 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																45 V	3 a									100 µA (ICBO)	PNP	800mv @ 100 mA, 1a	63 @ 150 mA, 2V	3MHz
FDPF12N50NZ	0,9800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	UNIFET-II ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	306	N-Kanal			500 V	11,5a (TC)	10V	520MOHM @ 5.75A, 10V	5 V @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 25 V	1235 PF @ 25 V.	- - -	42W (TC)
FDS5692Z	1.0700	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500	N-Kanal			50 v	5.8a (ta)	4,5 V, 10 V.	24MOHM @ 5.8a, 10V	3v @ 250 ähm	25 NC @ 10 V	± 20 V	1025 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA)
Fqu8n25tu	0,6400	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	70	N-Kanal			250 V	6.2a (TC)	10V	550MOHM @ 3.1a, 10 V.	5 V @ 250 ähm	15 NC @ 10 V	± 30 v	530 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 50 W (TC)
FJX4008RTF	0,0500	RFQ	24	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	FJX400			200 MW	SC-70-3 (SOT323)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																50 v	100 ma									100NA (ICBO)	PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	56 @ 5ma, 5V	200 MHz	47 Kohms	22 Kohms
BC307BBU	- - -	RFQ	6045	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	1.000																45 V	100 ma									15na	PNP	500 mV @ 5ma, 100 mA	180 @ 2MA, 5V	130 MHz
2SC3651-TD-e	0,1800	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	2SC3651				PCP	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1																										100NA (ICBO)	Npn	500 mV @ 2MA, 100 mA	500 @ 10ma, 5V	150 MHz
TIP106	0,2700	RFQ	8150	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				80 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	890																80 v	8 a									50 µA	PNP - Darlington	2,5 V @ 80 Ma, 8a	1000 @ 3a, 4V	4MHz
KSE45H8TU	0,2500	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	KSE45			1,67 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																60 v	10 a									10 µA	PNP	1v @ 400 mA, 8a	60 @ 2a, 1V	40 MHz
KSC1674COBU	0,0200	RFQ	8988	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				250 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	12.645			- - -													20V	20 ma										Npn		70 @ 1ma, 6v	600 MHz			3db ~ 5 dB @ 100MHz
MMBTH10-FS	- - -	RFQ	3518	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				225 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000			- - -													25 v	- - -										Npn		60 @ 4ma, 10V	650 MHz			- - -
KSC5305DFTTU-FS	0,5100	RFQ	9836	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	KSC5305				To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1																										10 µA (ICBO)	Npn	500mv @ 400 mA, 2a	8 @ 2a, 1V	- - -
KSD363Ytu	- - -	RFQ	8209	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				40 w	To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1																120 v	6 a									1ma (ICBO)	Npn	1v @ 100 mA, 1a	120 @ 1a, 5v	10 MHz
MJE2955Ttu	- - -	RFQ	3619	Fairchild Semiconductor	MJE2955T	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				600 MW	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1																60 v	10 a									700 ähm	PNP	8v @ 3,3a, 10a	20 @ 4a, 4V	2MHz
2N3904CTA	- - -	RFQ	2570	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	2.000																40 v	200 ma									- - -	Npn	300mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	300 MHz
J270	0,2300	RFQ	32	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				350 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0095	2.000	P-Kanal										- - -												30 v	2 ma @ 15 v	500 mV @ 1 na
FDS4070N3	1.6200	RFQ	9	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500	N-Kanal			40 v	15.3a (ta)	10V	7,5 MOHM @ 15,3a, 10V	5 V @ 250 ähm	67 NC @ 10 V	± 20 V	2819 PF @ 20 V	- - -	3W (TA)
BC546CTA	- - -	RFQ	4144	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				500 MW	To-92-3	Herunterladen		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	2156-BC546CTA-600039			1																65 V	100 ma									15NA (ICBO)	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
FCH077N65F-F155	6.0400	RFQ	66	Fairchild Semiconductor	FRFET®, Superfet® II	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	66	N-Kanal			650 V	54a (TC)	10V	77mohm @ 27a, 10V	5v @ 5.4 mA	164 NC @ 10 V.	± 20 V	7109 PF @ 100 V	- - -	481W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²