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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
BCW60D Fairchild Semiconductor BCW60D 1.0000
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 32 v 100 ma 20na Npn 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA 380 @ 2MA, 5V 125 MHz
FDB2572 Fairchild Semiconductor FDB2572 1.0000
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 150 v 4a (ta), 29a (TC) 6 V, 10V 54mohm @ 9a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 135W (TC)
FDAF75N28 Fairchild Semiconductor FDAF75N28 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 280 v 46a (TC) 10V 41mohm @ 23a, 10V 5 V @ 250 ähm 144 NC @ 10 V ± 30 v 6700 PF @ 25 V. - - - 215W (TC)
FQAF6N90 Fairchild Semiconductor FQAF6N90 1.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 900 V 4,5a (TC) 10V 1,9OHM @ 2,3a, 10V 5 V @ 250 ähm 52 NC @ 10 V ± 30 v 1880 PF @ 25 V. - - - 96W (TC)
KSE182STU Fairchild Semiconductor KSE182STU - - -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1,5 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 1.745 80 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 1,7 V @ 600 Ma, 3a 50 @ 100 mA, 1V 50 MHz
FDS6299S Fairchild Semiconductor FDS6299s 1.8500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 21a (ta) 4,5 V, 10 V. 3,9 MOHM @ 21A, 10V 3V @ 1ma 81 NC @ 10 V ± 20 V 3880 PF @ 15 V - - - 3W (TA)
KSB772YS Fairchild Semiconductor KSB772YS 0,2200
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1,391
SI4936DY Fairchild Semiconductor Si4936dy 0,9700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) SI4936 MOSFET (Metalloxid) 900 MW (TA) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 5.8a (ta) 37mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 ähm 25nc @ 10v 460PF @ 15V - - -
FQI17P10TU Fairchild Semiconductor FQI17P10TU 0,5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 16,5a (TC) 10V 190MOHM @ 8.25A, 10V 4v @ 250 ähm 39 NC @ 10 V. ± 30 v 1100 PF @ 25 V. - - - 3,75 W (TA), 100 W (TC)
FQAF11N90 Fairchild Semiconductor FQAF11N90 - - -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 900 V 7.2a (TC) 10V 960 MOHM @ 3,6a, 10V 5 V @ 250 ähm 94 NC @ 10 V ± 30 v 3500 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
FDD8874 Fairchild Semiconductor FDD8874 0,6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 18a (TA), 116a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.1MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 72 NC @ 10 V ± 20 V 2990 PF @ 15 V - - - 110W (TC)
FCP380N60E Fairchild Semiconductor FCP380N60E 1.3000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 231 N-Kanal 600 V 10.2a (TC) 10V 380Mohm @ 5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 106W (TC)
NDP6030PL Fairchild Semiconductor NDP6030PL 1.0000
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 P-Kanal 30 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 19a, 10V 2v @ 250 ähm 36 NC @ 5 V. ± 16 v 1570 PF @ 15 V - - - 75W (TC)
FDP8870-F085 Fairchild Semiconductor FDP8870-F085 1.1200
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 291 N-Kanal 30 v 19A (TA), 156a (TC) 4,5 V, 10 V. 4.1MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 132 NC @ 10 V ± 20 V 5200 PF @ 15 V - - - 160W (TC)
FDS8878 Fairchild Semiconductor FDS8878 0,2200
RFQ
 ECAD 586 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1,505 N-Kanal 30 v 10.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 10.2a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 26 NC @ 10 V ± 20 V 897 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
BCP51 Fairchild Semiconductor BCP51 0,1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP51 1 w SOT-223-4 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 45 V 1,5 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V - - -
FQP2NA90 Fairchild Semiconductor FQP2NA90 0,5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 900 V 2.8a (TC) 10V 5.8ohm @ 1.4a, 10V 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 680 PF @ 25 V. - - - 107W (TC)
KSA812YMTF Fairchild Semiconductor KSA812YMTF - - -
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-kSA812YMTF-600039 1 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 135 @ 1ma, 6v 180 MHz
FJA4313RTU Fairchild Semiconductor FJA4313Rtu 1.0000
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 130 w To-3pn Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 250 V 17 a 5 µA (ICBO) Npn 3v @ 800 mA, 8a 55 @ 1a, 5v 30 MHz
SI6463DQ Fairchild Semiconductor SI6463DQ 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 2.500 P-Kanal 20 v 8.8a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 12,5 MOHM @ 8,8a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 66 NC @ 4,5 V. ± 12 V 5045 PF @ 10 V - - - 600 MW (TA)
PN2222ATF Fairchild Semiconductor PN2222ATF 0,0400
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 50 40 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
FDS9953A Fairchild Semiconductor FDS9953a - - -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS99 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 p-kanal (dual) 30V 2.9a 130Mohm @ 1a, 10V 3v @ 250 ähm 3,5nc @ 10v 185pf @ 15V Logikpegel -tor
KSD1273QYDTU Fairchild Semiconductor KSD1273qydtu 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads 2 w To-220F-3 (Y-Forming) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 50 60 v 3 a 100 µA Npn 1v @ 50 Ma, 2a 500 @ 500 mA, 4V 30 MHz
KSB811YTA Fairchild Semiconductor KSB811YTA 0,0200
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper 350 MW To-92s Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.978 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 120 @ 100 mA, 1V 110 MHz
FQD13N10TM Fairchild Semiconductor FQD13N10TM 1.0000
RFQ
 ECAD 8426 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 100 v 10a (TC) 10V 180Mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 16 NC @ 10 V ± 25 V 450 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 40 W (TC)
SS9012HTA Fairchild Semiconductor SS9012HTA - - -
RFQ
 ECAD 2713 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 20 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 50 mA, 500 mA 144 @ 50 Ma, 1V - - -
BC559CBU Fairchild Semiconductor BC559CBU 1.0000
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 150 MHz
FDSS2407S_B82086 Fairchild Semiconductor FDSS2407S_B82086 0,7000
RFQ
 ECAD 783 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDSS24 MOSFET (Metalloxid) 2.27W (TA) 8-soic Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 1 2 n-kanal (dual) 62V 3.3a ​​(ta) 110 Mohm @ 3,3a, 10 V 3v @ 250 ähm 4.3nc @ 5v 300PF @ 15V Logikpegel -tor
FDP2614 Fairchild Semiconductor FDP2614 - - -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-FDP2614 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 62a (TC) 10V 27mohm @ 31a, 10V 5 V @ 250 ähm 99 NC @ 10 V ± 30 v 7230 PF @ 25 V. - - - 260W (TC)
FDMS9408-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408-F085 - - -
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS94 MOSFET (Metalloxid) Power56 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 40 v 80A (TC) 10V 1,8 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 92 NC @ 10 V ± 20 V 5120 PF @ 25 V. - - - 214W (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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