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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FDMS9408-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408-F085 - - -
RFQ
 ECAD 9562 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS94 MOSFET (Metalloxid) Power56 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 40 v 80A (TC) 10V 1,8 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 92 NC @ 10 V ± 20 V 5120 PF @ 25 V. - - - 214W (TJ)
FDB4030L Fairchild Semiconductor FDB4030L 0,8300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 20A (TC) 10V 55mohm @ 4,5a, 10V 2v @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V 365 PF @ 15 V - - - 37,5W (TC)
HUF76645S3S Fairchild Semiconductor HUF76645S3S 2.0200
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5 N-Kanal 100 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 153 NC @ 10 V ± 16 v 4400 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
SI4463DY Fairchild Semiconductor Si4463dy 0,7700
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 20 v 11,5a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 12mohm @ 11,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 60 NC @ 4,5 V. ± 12 V 4481 PF @ 10 V - - - 1W (TA)
FQPF6N25 Fairchild Semiconductor Fqpf6n25 0,3100
RFQ
 ECAD 6445 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 948 N-Kanal 250 V 4a (TC) 10V 1ohm @ 2a, 10V 5 V @ 250 ähm 8,5 NC @ 10 V ± 30 v 300 PF @ 25 V. - - - 37W (TC)
J176 Fairchild Semiconductor J176 0,1000
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 350 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal - - - 30 v 2 ma @ 15 v 1 V @ 10 na 250 Ohm
KSA940 Fairchild Semiconductor KSA940 1.0000
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 1,5 w To-220-3 - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 200 150 v 1,5 a 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 500 mA, 10 V. 4MHz
NDT451AN Fairchild Semiconductor Ndt451an - - -
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-4 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 7.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 35mohm @ 7.2a, 10V 3v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 720 PF @ 15 V - - - 3W (TA)
FDG313N Fairchild Semiconductor FDG313N - - -
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG313 MOSFET (Metalloxid) SC-88 (SC-70-6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 10.000 N-Kanal 25 v 950 Ma (TA) 2,7 V, 4,5 V. 450MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 2,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 50 PF @ 10 V - - - 750 MW (TA)
KSE13007FSMTU Fairchild Semiconductor KSE13007FSMTU 1.0000
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack KSE13007 To-220f-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - Npn 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5V 4MHz
KSB1116AYTA Fairchild Semiconductor KSB1116AYTA 0,0400
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 750 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300 mV @ 50 Ma, 1a 135 @ 100 mA, 2V 120 MHz
IRFW740BTM Fairchild Semiconductor IRFW740BTM 0,3700
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 400 V 10a (TC) 10V 540Mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 30 v 1800 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 134W (TC)
ZTX614 Fairchild Semiconductor ZTX614 - - -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 1 w To-226 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 378 100 v 800 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,25 V @ 8ma, 800 mA 10000 @ 500 mA, 5V - - -
FDBL0150N60 Fairchild Semiconductor FDBL0150N60 4.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn MOSFET (Metalloxid) 8-hpsof Herunterladen Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-FDBL0150N60 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 240a (TC) 10V 1,5 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 169 NC @ 10 V ± 20 V 10300 PF @ 30 V - - - 357W (TJ)
PN2222ATA Fairchild Semiconductor PN2222ATA 1.0000
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 - - - 0000.00.0000 1 40 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
BC33740TA Fairchild Semiconductor BC33740ta 1.0000
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 45 V 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FJY3004R Fairchild Semiconductor Fjy3004r 0,0300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 Fjy300 200 MW SOT-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
FGA40N60UFDTU Fairchild Semiconductor Fga40n60ufdtu 2.1700
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Standard 160 w To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 142 300 V, 20a, 10ohm, 15 V. 95 ns - - - 600 V 40 a 160 a 3v @ 15V, 20a 470 µJ (EIN), 130 µJ (AUS) 77 NC 15ns/65ns
KSD526YTU Fairchild Semiconductor KSD526Ytu 1.0000
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 30 w To-220-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 80 v 4 a 30 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 300 Ma, 3a 120 @ 500 mA, 5V 8MHz
TIP110 Fairchild Semiconductor TIP110 1.0000
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 To-220-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 2ma NPN - Darlington 2,5 V @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4V 25 MHz
FCP11N65 Fairchild Semiconductor FCP11N65 1.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv FCP11 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 - - -
FDS2070N3 Fairchild Semiconductor FDS2070N3 1.9800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 4.1a (ta) 6 V, 10V 78mohm @ 4.1a, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 20 V 1884 PF @ 75 V. - - - 3W (TA)
HUF75639S3ST Fairchild Semiconductor HUF75639S3ST 1.2800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 235 N-Kanal 100 v 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4v @ 250 ähm 130 NC @ 20 V ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
FJV4110RMTF Fairchild Semiconductor FJV4110RMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FJV411 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 10 Kohms
FQI50N06LTU Fairchild Semiconductor FQI50N06LTU 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 52,4a (TC) 5v, 10V 21mohm @ 26.2a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 32 NC @ 5 V. ± 20 V 1630 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 121W (TC)
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302p 0,2800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 FDC6302 MOSFET (Metalloxid) 700 MW Supersot ™ -6 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1 2 p-kanal (dual) 25 v 120 Ma 10OHM @ 200 Ma, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 0,31nc @ 4,5 V 11pf @ 10v Logikpegel -tor
FDB8444 Fairchild Semiconductor FDB8444 1.1400
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 264 N-Kanal 40 v 70a (TC) 10V 5,5 MOHM @ 70A, 10V 4v @ 250 ähm 128 NC @ 10 V ± 20 V 8035 PF @ 25 V. - - - 167W (TC)
FCB20N60F Fairchild Semiconductor Fcb20n60f - - -
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Fcb20n - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - -
FDBL0090N40 Fairchild Semiconductor FDBL0090N40 1.0000
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn MOSFET (Metalloxid) 8-hpsof Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 40 v 240a (TC) 10V 0,9 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 188 NC @ 10 V. ± 20 V 12000 PF @ 25 V. - - - 357W (TJ)
FDMC7672 Fairchild Semiconductor FDMC7672 0,4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench®, SyncFet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn MOSFET (Metalloxid) 8-MLP (3,3x3,3) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 715 N-Kanal 30 v 16,9a (TA), 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 5.7mohm @ 16.9a, 10V 3v @ 250 ähm 57 NC @ 10 V ± 20 V 3890 PF @ 15 V - - - 2,3 W (TA), 33W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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