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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
PN3685	0,2400	RFQ	23	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	PN368		MOSFET (Metalloxid)		To-92-3	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			- - -		- - -	- - -				- - -	- - -
KSA1201YTF	- - -	RFQ	8558	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa				1 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	4.000															120 v	800 mA						100NA (ICBO)	PNP	1v @ 50 mA, 500 mA	120 @ 100 mA, 5V	120 MHz
2N3904RM	0,0200	RFQ	5286	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	2N3904			625 MW	To-92	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.21.0075	11.000															40 v	200 ma						50na	Npn	300mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	300 MHz
FDMS3600S	- - -	RFQ	6104	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	FDMS3600		MOSFET (Metalloxid)	2,2 W (TA), 2,5W (TA)	8-PQFN (5x6)	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch			25 v	15A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 40A (TC)		5,6 MOHM @ 15A, 10 V, 1,6MOHM @ 30A, 10 V.	2,7 V @ 250 um, 3V @ 1ma	27nc @ 10v, 82nc @ 10v		1680pf @ 13v, 5375Pf @ 13v	- - -
FDU6670AS	0,7200	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				FDU6670		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8542.39.0001	1												- - -
BC640TF	0,0200	RFQ	7591	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				1 w	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0075	2.000															80 v	1 a						100NA (ICBO)	PNP	500 mv @ 50 mA, 500 mA	40 @ 150 mA, 2V	100 MHz
FDB8030L	- - -	RFQ	2705	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	FDB803		MOSFET (Metalloxid)		To-263ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	Ear99	0000.00.0000	91		N-Kanal		30 v	80A (TA)	4,5 V, 10 V.	3,5 MOHM @ 80A, 10V	2v @ 250 ähm	170 nc @ 5 v	± 20 V	10500 PF @ 15 V	- - -	187W (TC)
RFP40N10_F102	- - -	RFQ	7275	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen				Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		100 v	40a (TC)	10V	40mohm @ 40a, 10V	4v @ 250 ähm	300 NC @ 20 V	± 20 V		- - -	160W (TC)
FDMW2512NZ	0,2400	RFQ	65	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-WFDFN exponiert Pad	FDMW2512		MOSFET (Metalloxid)	800 MW (TA)	6-mlp (2x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.21.0095	3.000	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss			20V	7.2a (ta)		26mohm @ 7.2a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	13nc @ 10v		740PF @ 15V	- - -
BC858AMTF	0,0600	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				310 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0075	3.000															30 v	100 ma						15NA (ICBO)	PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
KSA1182YMTF	0,0300	RFQ	614	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	KSA1182			150 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	0000.00.0000	3.000															30 v	500 mA						100NA (ICBO)	PNP	250mv @ 10 mA, 100 mA	120 @ 100 mA, 1V	200 MHz
FDP15N50F102	- - -	RFQ	4852	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				FDP15N		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8542.39.0001	106												- - -
HUFA76419D3S	1.0000	RFQ	6133	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	75		N-Kanal		60 v	20A (TC)	4,5 V, 10 V.	37mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	27,5 NC @ 10 V.	± 16 v	900 PF @ 25 V.	- - -	75W (TC)
NDS8936	0,7800	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	NDS893		MOSFET (Metalloxid)	900 MW	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	2.500	2 n-kanal (dual)			30V	5.3a		35mohm @ 5.3a, 10V	2,8 V @ 250 ähm	30nc @ 10v		720PF @ 15V	Logikpegel -tor
SSF7N60B	- - -	RFQ	6587	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	5.4a (TC)	10V	1,2OHM @ 2,7a, 10V	4v @ 250 ähm	50 nc @ 10 v	± 30 v	1800 PF @ 25 V.	- - -	86W (TC)
FQB16N25CTM	0,8100	RFQ	845	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		250 V	15,6a (TC)	10V	270 MOHM @ 7.8a, 10V	4v @ 250 ähm	53,5 NC @ 10 V.	± 30 v	1080 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 139W (TC)
SFR9034TF	1.0000	RFQ	5332	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	2.000		P-Kanal		60 v	14a (TC)	10V	140 MOHM @ 7A, 10V	4v @ 250 ähm	38 nc @ 10 v	± 25 V	1155 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 49W (TC)
HUF75842S3ST	1.1300	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		150 v	43a (TC)	10V	42mohm @ 43a, 10V	4v @ 250 ähm	175 NC @ 20 V	± 20 V	2730 PF @ 25 V.	- - -	230W (TC)
FQB32N12V2TM	1.1400	RFQ	51	Fairchild Semiconductor	QFET®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		120 v	32a (TC)	10V	50mohm @ 16a, 10V	4v @ 250 ähm	53 NC @ 10 V	± 30 v	1860 PF @ 25 V.	- - -	3,75W (TA), 150W (TC)
2N5308	- - -	RFQ	6197	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.21.0095	22															40 v	1.2 a						100NA (ICBO)	NPN - Darlington	1,4 V @ 200 UA, 200 Ma	7000 @ 2MA, 5V	- - -
FQP5N40	- - -	RFQ	5148	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		400 V	4,5a (TC)	10V	1,6OHM @ 2,25A, 10V	5 V @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 30 v	460 PF @ 25 V.	- - -	70W (TC)
SFR9014TF	0,1900	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	2.000		P-Kanal		60 v	5.3a (TC)	10V	500MOHM @ 2,7a, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	350 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 24 W (TC)
NDP7050	2.4000	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		50 v	75a (TC)	10V	13mohm @ 40a, 10V	4v @ 250 ähm	115 NC @ 10 V	± 20 V	3600 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
PN2222TF	0,0500	RFQ	80	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen				Ear99	8541.21.0075	5,805															30 v	600 mA						10NA (ICBO)	Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10mV	300 MHz
HGTG30N60B3_NL	6.0400	RFQ	51	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		208 w	To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	51			480 V, 60A, 3OHM, 15 V.											Npt	600 V	60 a	220 a	1,9 V @ 15V, 30a	550 µJ (EIN), 680 µJ (AUS)	250 NC	36ns/137ns
2N4401RA	- - -	RFQ	7300	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	2N4401			625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert	Ear99	8541.21.0075	2.000															40 v	600 mA						100na	Npn	750 MV @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 1V	250 MHz
FDI025N06	3.0400	RFQ	8621	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			Ear99	8541.29.0095	29		N-Kanal		60 v	265a (TC)	10V	2,5 MOHM @ 75A, 10V	4,5 V @ 250 ähm	226 NC @ 10 V	± 20 V	14885 PF @ 25 V.	- - -	395W (TC)
FGB3040Cs	1.8200	RFQ	56	Fairchild Semiconductor	ECOSPARK®	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB		Logik		150 w	D²pak-6	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1			300 V, 1kohm, 5V											- - -	430 v	21 a		1,6 V @ 4V, 6a	- - -	15 NC	-/4,7 µs
FGPF4633TU	1.0000	RFQ	8367	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		Standard		30,5 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	Ear99	0000.00.0000	1			200 V, 20a, 5ohm, 15 V											Graben	330 V		300 a	1,8 V @ 15V, 70a	- - -	60 nc	8ns/52ns
FDMS8026s	0,9600	RFQ	72	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	Herunterladen				Ear99	8541.29.0095	314		N-Kanal		30 v	19A (TA), 22A (TC)	4,5 V, 10 V.	4,3 MOHM @ 19A, 10V	3V @ 1ma	37 NC @ 10 V.	± 20 V	2280 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 41W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²