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Transistoren (3825)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FQPF6N50 Fairchild Semiconductor Fqpf6n50 0,5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 3.6a (TC) 10V 1,3OHM @ 1,8a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 30 v 790 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor FDMS7600As 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn FDMS7600 MOSFET (Metalloxid) 1W Power56 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 279 2 n-kanal (dual) 30V 12a, 22a 7,5 MOHM @ 12A, 10V 3v @ 250 ähm 28nc @ 10v 1750pf @ 15V Logikpegel -tor
FDY1002PZ Fairchild Semiconductor FDY1002PZ - - -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 FDY1002 MOSFET (Metalloxid) 446 MW SOT-563F Herunterladen Ear99 8542.39.0001 20 2 p-kanal (dual) 20V 830 Ma 500MOHM @ 830 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 3.1nc @ 4.5V 135PF @ 10V Logikpegel -tor
FDG6313N Fairchild Semiconductor FDG6313N - - -
RFQ
 ECAD 1845 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FDG6313N-600039 1
IRF9540 Fairchild Semiconductor IRF9540 1.2500
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-IRF9540-600039 1 P-Kanal 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4v @ 250 ähm 61 NC @ 10 V ± 20 V 1400 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
FDU8882 Fairchild Semiconductor FDU8882 0,5100
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 518 N-Kanal 30 v 12,6a (TA), 55A (TC) 4,5 V, 10 V. 11,5 MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 20 V 1260 PF @ 15 V - - - 55W (TC)
FDS6990S Fairchild Semiconductor FDS6990S 0,9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS6990 MOSFET (Metalloxid) 900 MW (TA) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 7.5a (ta) 22mohm @ 7,5a, 10V 3V @ 1ma 16nc @ 5v 1233pf @ 15V - - -
FDW2502PZ Fairchild Semiconductor FDW2502PZ - - -
RFQ
 ECAD 8406 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) FDW25 MOSFET (Metalloxid) 600 MW (TA) 8-tssop Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1 2 p-kanal (dual) 20V 4,4a (TA) 35mohm @ 4,4a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 21nc @ 5v 1465PF @ 10V - - -
FDI045N10A Fairchild Semiconductor FDI045N10A 1.0000
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa FDI045 MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 100 v 120a (TC) 10V 4,5 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 20 V 5270 PF @ 50 V - - - 263W (TC)
KSD2012YTU Fairchild Semiconductor KSD2012Ytu 0,2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 25 w To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 60 v 3 a 100 µA (ICBO) Npn 1v @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 5V 3MHz
FGD3245G2 Fairchild Semiconductor FGD3245G2 1.0000
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 2.500
FQD5P20TM Fairchild Semiconductor FQD5P20TM - - -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 v 3.7a (TC) 1,4OHM @ 1,85a, 10V 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 430 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 45W (TC)
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor Fqu2N90TU 0,4800
RFQ
 ECAD 332 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5.040 N-Kanal 900 V 1.7a (TC) 10V 7.2OHM @ 850 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 500 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
BC639 Fairchild Semiconductor BC639 - - -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 200 MHz
SFR9210TF Fairchild Semiconductor SFR9210TF - - -
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 200 v 1,6a (TC) 10V 3OHM @ 800 mA, 10V 4v @ 250 ähm 11 NC @ 10 V ± 30 v 285 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 19W (TC)
NDTL01N60ZT1G Fairchild Semiconductor Ndtl01n60zt1g 0,1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223 (to-261) Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 250 Ma (TC) 15ohm @ 400 mA, 10V 4,5 V @ 50 µA 4,9 NC @ 10 V. ± 30 v 92 PF @ 25 V. - - - 2W (TC)
KSA614O Fairchild Semiconductor KSA614O 1.0000
RFQ
 ECAD 8695 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 25 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 200 55 v 3 a 50 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 70 @ 500 mA, 5V - - -
FJX3004RTF Fairchild Semiconductor FJX3004RTF 0,0500
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 FJX300 200 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.778 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
PN100TF Fairchild Semiconductor PN100TF 0,0500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 6.662
2N5401RA Fairchild Semiconductor 2n5401ra 1.0000
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N5401 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 150 v 600 mA 50 µA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 400 MHz
2N5550TFR Fairchild Semiconductor 2N5550TFR 0,0400
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 7.416 140 v 600 mA 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 5 mA, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
FQPF6N50C Fairchild Semiconductor Fqpf6n50c 0,6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Fqpf6n - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1 - - -
PN2222ABU Fairchild Semiconductor PN2222ABU - - -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 40 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
FJL4215OTU Fairchild Semiconductor Fjl4215otu 2.4200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa 150 w HPM F2 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 124 250 V 17 a 5 µA (ICBO) PNP 3v @ 800 mA, 8a 80 @ 1a, 5V 30 MHz
TIP102TU Fairchild Semiconductor TIP102TU - - -
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP102 2 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 8 a 50 µA NPN - Darlington 2,5 V @ 80 Ma, 8a 1000 @ 3a, 4V - - -
BC859BMTF Fairchild Semiconductor BC859BMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC859 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 150 MHz
IRFR110ATM Fairchild Semiconductor IRFR110ATM 0,2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 4.7a (TA) 10V 400 MOHM @ 2,35A, 10V 4v @ 250 ähm 12 NC @ 10 V ± 20 V 240 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 20W (TC)
FPF2C110BI07AS2 Fairchild Semiconductor FPF2C110BI07AS2 77.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FPF2C110BI07AS2-600039 1
PN2907ATFR Fairchild Semiconductor PN2907atfr - - -
RFQ
 ECAD 1876 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 60 v 800 mA 20na (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
FGB20N6S2D Fairchild Semiconductor FGB20N6S2D 1.0000
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 125 w D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V 31 ns - - - 600 V 28 a 40 a 2,7 V @ 15V, 7a 25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS) 30 NC 7.7ns/87ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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