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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
FDG329N Fairchild Semiconductor FDG329N 0,1700
RFQ
 ECAD 383 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Metalloxid) SC-88 (SC-70-6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 1,5a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 90 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 4,6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 324 PF @ 10 V. - - - 420 MW (TA)
FDU6696 Fairchild Semiconductor FDU6696 0,9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 13a (ta), 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 8mohm @ 13a, 10V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 5 v ± 16 v 1715 PF @ 15 V - - - 1,6W (TA), 52W (TC)
FDP12N50 Fairchild Semiconductor FDP12N50 0,9800
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 500 V 11,5a (TC) 10V 650Mohm @ 6a, 10V 5 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 30 v 1315 PF @ 25 V. - - - 165W (TC)
SFU9230BTU Fairchild Semiconductor SFU9230BTU 0,3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 v 5.4a (TC) 10V 800 MOHM @ 2,7A, 10V 4v @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 30 v 1000 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 49W (TC)
FDS3612 Fairchild Semiconductor FDS3612 0,6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 3.4a (TA) 6 V, 10V 120 MOHM @ 3,4a, 10V 4v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 632 PF @ 50 V - - - 2,5 W (TA)
FCI25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCI25N60N-F102 - - -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Fairchild Semiconductor Supremos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 600 V 25a (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4v @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 30 v 3352 PF @ 100 V - - - 216W (TC)
FQB20N06TM Fairchild Semiconductor FQB20N06TM 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 20A (TC) 10V 60MOHM @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 25 V 590 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 53W (TC)
HUF75939P3 Fairchild Semiconductor HUF75939P3 1.0100
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 200 v 22a (TC) 10V 125mohm @ 22a, 10V 4v @ 250 ähm 152 NC @ 20 V ± 20 V 2200 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
FDS8947A Fairchild Semiconductor FDS8947a 1.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS89 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 30V 4a 52mohm @ 4a, 10V 3v @ 250 ähm 27nc @ 10v 730pf @ 15V Logikpegel -tor
2N4410 Fairchild Semiconductor 2N4410 1.0000
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 80 v 200 ma 10NA (ICBO) Npn 200 mv @ 100 ua, 1 mA 60 @ 10 ma, 1V - - -
KST5551MTF Fairchild Semiconductor KST5551MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 KST55 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 300 MHz
NDB4060 Fairchild Semiconductor NDB4060 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 15a (TC) 10V 100mohm @ 7,5a, 10 V 4v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
FQP6N50 Fairchild Semiconductor FQP6N50 1.0000
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 5.5a (TC) 10V 1,3OHM @ 2,8a, 10V 5 V @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 30 v 790 PF @ 25 V. - - - 98W (TC)
KSP44TF Fairchild Semiconductor KSP44TF 1.0000
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 400 V 300 ma 500NA Npn 750 mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 10 ma, 10V - - -
NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor NJVMJB41CT4G 0,5600
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab 2 w D²pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-NJVMJB41CT4G-600039 Ear99 8541.29.0095 577 700 ähm Npn 1,5 V @ 600 Ma, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
KSC5302DTU Fairchild Semiconductor KSC5302DTU 0,1700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 50 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 400 V 2 a 10 µA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 1a 10 @ 1a, 1V - - -
TIP107TU Fairchild Semiconductor TIP107TU - - -
RFQ
 ECAD 9367 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP107 2 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 8 a 50 µA PNP - Darlington 2,5 V @ 80 Ma, 8a 1000 @ 3a, 4V - - -
KSC1008RBU Fairchild Semiconductor KSC1008RBU 0,0300
RFQ
 ECAD 6328 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 800 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 9.000 60 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
FJE5304DTU Fairchild Semiconductor Fje5304dtu - - -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-225aa, to-126-3 30 w To-126-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 400 V 4 a 100 µA Npn 1,5 V @ 500 Ma, 2,5a 8 @ 2a, 5V - - -
FJN3303RTA Fairchild Semiconductor FJN3303RTA - - -
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads Fjn330 300 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
FDMB668P Fairchild Semiconductor Fdmb668p 0,2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn MOSFET (Metalloxid) 8-mlp, Mikrofet (3x1.9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 6.1a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 35mohm @ 6.1a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 59 NC @ 10 V ± 8 v 2085 PF @ 10 V - - - 1,9W (TA)
RFD16N05SM Fairchild Semiconductor RFD16N05SM 0,6600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 50 v 16a (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 80 nc @ 20 V ± 20 V 900 PF @ 25 V. - - - 72W (TC)
FCH067N65S3-F155 Fairchild Semiconductor FCH067N65S3-F155 - - -
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® III Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 650 V 44a (TC) 10V 67mohm @ 22a, 10V 4,5 V @ 4,4 mA 78 NC @ 10 V ± 30 v 3090 PF @ 400 V - - - 312W (TC)
KSC1008GBU Fairchild Semiconductor KSC1008GBU 0,0200
RFQ
 ECAD 3480 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 800 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 11.270 60 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
FDP100N10 Fairchild Semiconductor FDP100N10 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 159 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 10MOHM @ 75A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 100 nc @ 10 v ± 20 V 7300 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
FDC5661N Fairchild Semiconductor FDC5661N - - -
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) TSOT-23-6 Herunterladen Ear99 8542.29.0095 1 N-Kanal 60 v 4.3a (TA) 4,5 V, 10 V. 47mohm @ 4.3a, 10V 3v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 763 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
BC309CBU Fairchild Semiconductor BC309CBU 0,0200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 25 v 100 ma 15na PNP 500 mV @ 5ma, 100 mA 380 @ 2MA, 5V 130 MHz
FQP9N25 Fairchild Semiconductor FQP9N25 0,4600
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 9,4a (TC) 10V 420mohm @ 4.7a, 10V 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 700 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
BC32716 Fairchild Semiconductor BC32716 0,0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
HUF75309P3 Fairchild Semiconductor HUF75309P3 0,4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 55 v 19A (TC) 10V 70 MOHM @ 19A, 10V 4v @ 250 ähm 24 NC @ 20 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 55W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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