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Transistoren (3821)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FQPF1N60 Fairchild Semiconductor Fqpf1n60 1.0000
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 900 Ma (TC) 10V 11,5 Ohm @ 450 mA, 10 V 5 V @ 250 ähm 6 nc @ 10 v ± 30 v 150 PF @ 25 V. - - - 21W (TC)
FMG1G100US60L Fairchild Semiconductor FMG1G100US60L 37.9900
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 19 Uhr-Ga 400 w Standard 19 Uhr-Ga Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 15 Einzel - - - 600 V 100 a 2,8 V @ 15V, 100a 250 µA NEIN 10.84 NF @ 30 V
FQPF3N40 Fairchild Semiconductor Fqpf3n40 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 400 V 1,6a (TC) 10V 3.4ohm @ 800 mA, 10 V. 5 V @ 250 ähm 7,5 NC @ 10 V ± 30 v 230 PF @ 25 V. - - - 20W (TC)
FDP8876 Fairchild Semiconductor FDP8876 - - -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 70a (TC) 4,5 V, 10 V. 8.7mohm @ 40a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 1700 PF @ 15 V - - - 70W (TC)
FQU2N80TU Fairchild Semiconductor Fqu2n80TU 0,5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5.040 N-Kanal 800 V 1,8a (TC) 10V 6.3OHM @ 900 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 550 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
HUF76645S3ST Fairchild Semiconductor HUF76645S3ST 2.1800
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 153 NC @ 10 V ± 16 v 4400 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
FDZ493P Fairchild Semiconductor FDZ493p 0,2900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-WFBGA MOSFET (Metalloxid) 9-bga (1,55x1,55) Herunterladen Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4.6a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 46mohm @ 4,6a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 11 NC @ 4,5 V. ± 12 V 754 PF @ 10 V. - - - 1.7W (TA)
FQH140N10 Fairchild Semiconductor FQH140N10 - - -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 450 N-Kanal 100 v 140a (TC) 10V 10Mohm @ 70a, 10V 4v @ 250 ähm 285 NC @ 10 V ± 25 V 7900 PF @ 25 V. - - - 375W (TC)
FDS5690 Fairchild Semiconductor FDS5690 1.0000
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 7a (ta) 6 V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 4v @ 250 ähm 32 NC @ 10 V ± 20 V 1107 PF @ 30 V - - - 2,5 W (TA)
FQPF1P50 Fairchild Semiconductor Fqpf1p50 1.0000
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 500 V 1.03a (TC) 10V 10.5OHM @ 515 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 28W (TC)
KSC3953DSTU Fairchild Semiconductor KSC3953DSTU 0,1000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1,3 w To-126-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 1.920 120 v 200 ma 100NA (ICBO) Npn 1v @ 3ma, 30 mA 60 @ 10 ma, 10V 400 MHz
KSC2073TU Fairchild Semiconductor KSC2073TU 0,3100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 25 w To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 969 150 v 1,5 a 10 µA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 500 mA, 10 V. 4MHz
ISL9N2357D3ST Fairchild Semiconductor ISL9N2357D3ST 1.0200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 35a (TC) 10V 7mohm @ 35a, 10V 4v @ 250 ähm 258 NC @ 20 V ± 20 V 5600 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
FDT86106LZ Fairchild Semiconductor FDT86106LZ - - -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-4 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-FDT86106LZ Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 3.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 108mohm @ 3.2a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 7 NC @ 10 V ± 20 V 315 PF @ 50 V - - - 1W (TA)
FDD3706 Fairchild Semiconductor FDD3706 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen 0000.00.0000 500 N-Kanal 20 v 14,7a (TA), 50A (TC) 2,5 V, 10 V. 9mohm @ 16.2a, 10V 1,5 V @ 250 ähm 23 NC @ 4,5 V. ± 12 V 1882 PF @ 10 V. - - - 3,8 W (TA), 44W (TC)
HUF75631S3ST Fairchild Semiconductor HUF75631S3ST 2.1100
RFQ
 ECAD 321 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 100 v 33a (TC) 10V 40mohm @ 33a, 10V 4v @ 250 ähm 79 NC @ 20 V ± 20 V 1220 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
HUFA75329G3 Fairchild Semiconductor HUFA75329G3 98.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 55 v 49a (TC) 10V 24MOHM @ 49A, 10V 4v @ 250 ähm 75 NC @ 20 V ± 20 V 1060 PF @ 25 V. - - - 128W (TC)
FQI4N20TU Fairchild Semiconductor FQI4N20TU 0,3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 3.6a (TC) 10V 1,4OHM @ 1,8a, 10V 5 V @ 250 ähm 6,5 NC @ 10 V. ± 30 v 220 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 45W (TC)
FJPF13007H2TTU Fairchild Semiconductor FJPF13007H2Ttu 1.0000
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack 40 w To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 400 V 8 a - - - Npn 3v @ 2a, 8a 26 @ 2a, 5V 4MHz
FDP5800 Fairchild Semiconductor FDP5800 1.0000
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 60 v 14A (TA), 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 80a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 145 NC @ 10 V. ± 20 V 9160 PF @ 15 V - - - 242W (TC)
KSC2001YBU Fairchild Semiconductor KSC2001YBU 0,0200
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 600 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 10.000 25 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 70 mA, 700 mA 135 @ 100 mA, 1V 170 MHz
FQD8N25TF Fairchild Semiconductor Fqd8n25tf 0,4600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 250 V 6.2a (TC) 10V 550MOHM @ 3.1a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 530 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
KSH210TM Fairchild Semiconductor KSH210TM 0,3600
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 KSH21 1,4 w D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 2.500 25 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 1,8 V @ 1a, 5a 45 @ 2a, 1V 65 MHz
MJD350TF Fairchild Semiconductor MJD350TF - - -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,56 w Dpak-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-MJD350TF-600039 1 300 V 500 mA 100 µA PNP 1v @ 10 mA, 100 mA 30 @ 50 Ma, 10 V 10 MHz
FDME0106NZT Fairchild Semiconductor FDME0106NZT 0,1600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerufdfn MOSFET (Metalloxid) Mikrofet 1,6x1.6 Dünn Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 5.000 N-Kanal 20 v 9a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 18mohm @ 9a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 8,5 NC @ 4,5 V ± 12 V 865 PF @ 10 V. - - - 700 MW (TA)
FGH40T65SHD-F155 Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD-F155 1.0000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 FGH40 Standard 268 w To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 40a, 6OHM, 15 V. 31.8 ns TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 120 a 2,1 V @ 15V, 40a 1,01MJ (EIN), 297 µJ (AUS) 72.2 NC 19,2ns/65,6ns
IRLS540A Fairchild Semiconductor IRLS540A 0,7100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 17a (TC) 5v 58mohm @ 8.5a, 5V 2v @ 250 ähm 54 NC @ 5 V. ± 20 V 1580 PF @ 25 V. - - - 44W (TC)
FDG314P Fairchild Semiconductor FDG314p 0,1000
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Metalloxid) SC-88 (SC-70-6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 25 v 650 Ma (TA) 2,7 V, 4,5 V. 1,1OHM @ 500 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 1,5 NC @ 4,5 V. ± 8 v 63 PF @ 10 V - - - 750 MW (TA)
NSBC114YDXV6T1G Fairchild Semiconductor NSBC114YDXV6T1G 0,0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1
FDD8880_F054 Fairchild Semiconductor FDD8880_F054 0,4200
RFQ
 ECAD 501 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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