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Transistoren (3825)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Testedingung Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
KSC2756OMTF Fairchild Semiconductor KSC2756OMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 6579 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.632 15 dB ~ 23 dB 20V 30 ma Npn 90 @ 5ma, 10V 850 MHz 6,5 dB bei 200 MHz
FDG328P Fairchild Semiconductor FDG328p 1.0000
RFQ
 ECAD 6951 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Metalloxid) SC-88 (SC-70-6) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 20 v 1,5a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 145mohm @ 1,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 337 PF @ 10 V. - - - 750 MW (TA)
FQB19N20LTM Fairchild Semiconductor FQB19N20LTM 1.0000
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 200 v 21a (TC) 5v, 10V 140 MOHM @ 10,5a, 10V 2v @ 250 ähm 35 NC @ 5 V. ± 20 V 2200 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 140W (TC)
FDMS8570S Fairchild Semiconductor FDMS8570s 0,5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench®, SyncFet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn FDMS85 MOSFET (Metalloxid) 8-PQFN (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 3.000 N-Kanal 25 v 24A (TA), 60A (TC) 4,5 V, 10 V. 2,8 MOHM @ 24A, 10V 2,2 V @ 1ma 425 NC @ 10 V ± 12 V 2825 PF @ 13 V - - - 2,5 W (TA), 48W (TC)
FQB9N50TM Fairchild Semiconductor FQB9N50TM 0,9000
RFQ
 ECAD 485 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 500 V 9a (TC) 10V 730mohm @ 4,5a, 10 V 5 V @ 250 ähm 36 NC @ 10 V ± 30 v 1450 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 147W (TC)
BC850C Fairchild Semiconductor BC850C - - -
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (to-236) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 300 MHz
FQI2N90TU Fairchild Semiconductor FQI2N90TU 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 900 V 2.2a (TC) 10V 7.2OHM @ 1.1a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 30 v 500 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 85W (TC)
FQI17N08LTU Fairchild Semiconductor FQI17N08LTU 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 80 v 16,5a (TC) 5v, 10V 100MOHM @ 8.25A, 10V 2v @ 250 ähm 11,5 NC @ 5 V. ± 20 V 520 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 65W (TC)
HGT1S14N41G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N41G3VLT 1.9100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Verkäfer undefiniert 2156-HGT1S14N41G3VLT-600039 1
FDMS7696A Fairchild Semiconductor FDMS7696a 0,1500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv FDMS7696 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 3.000 - - -
FDP100N10 Fairchild Semiconductor FDP100N10 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 159 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 10MOHM @ 75A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 100 nc @ 10 v ± 20 V 7300 PF @ 25 V. - - - 208W (TC)
FGAF40N60UFDTU Fairchild Semiconductor FGAF40N60UFDtu 2.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack Standard 100 w To-3Pf Herunterladen Ear99 8542.39.0001 122 300 V, 20a, 10ohm, 15 V. 95 ns - - - 600 V 40 a 160 a 3v @ 15V, 20a 470 µJ (EIN), 130 µJ (AUS) 77 NC 15ns/65ns
SI4416DY Fairchild Semiconductor Si4416dy - - -
RFQ
 ECAD 8178 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1.353 N-Kanal 30 v 9a (ta) - - - 18Mohm @ 9a, 10V 1V @ 250 ähm 20 NC @ 5 V ± 20 V 1340 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
FQB2P40TM Fairchild Semiconductor FQB2P40TM 0,4100
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 29 P-Kanal 400 V 2a (TC) 10V 6,5ohm @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 350 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 63W (TC)
FQB45N15V2TM Fairchild Semiconductor FQB45N15V2TM - - -
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 166 N-Kanal 150 v 45a (TC) 10V 40mohm @ 22.5a, 10V 4v @ 250 ähm 94 NC @ 10 V ± 30 v 3030 PF @ 25 V. - - - - - -
HUF75332S3ST Fairchild Semiconductor HUF75332S3ST 0,7800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 52a (TC) 19Mohm @ 52a, 10V 4v @ 250 ähm 85 NC @ 20 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
SFP9530 Fairchild Semiconductor SFP9530 - - -
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 P-Kanal 100 v 10.5a (TC) 300MOHM @ 5.3A, 10V 4v @ 250 ähm 38 nc @ 10 v ± 30 v 1035 PF @ 25 V. - - - 66W (TC)
KSH112TM Fairchild Semiconductor KSH112TM - - -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 KSH11 1,75 w D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 2.500 100 v 2 a 20 µA NPN - Darlington 3v @ 40 mA, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 MHz
FDB15N50_NL Fairchild Semiconductor Fdb15n50_nl 2.1300
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 6 N-Kanal 500 V 15a (TC) 10V 380MOHM @ 7,5a, 10V 4v @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 30 v 1850 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
FQI2P25TU Fairchild Semiconductor FQI2P25TU 0,7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 250 V 2.3a (TC) 10V 4OHM @ 1,15a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 8,5 NC @ 10 V ± 30 v 250 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 52W (TC)
BC858AMTF Fairchild Semiconductor BC858AMTF 0,0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 150 MHz
KSA733CYBU Fairchild Semiconductor KSA733CYBU - - -
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 250 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 1ma, 6v 180 MHz
FDA8440 Fairchild Semiconductor FDA8440 3.9800
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Metalloxid) To-3pn Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 40 v 30a (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10 V. 2,1 MOHM @ 80A, 10V 3v @ 250 ähm 450 NC @ 10 V ± 20 V 24740 PF @ 25 V. - - - 306W (TC)
FJV4110RMTF Fairchild Semiconductor FJV4110RMTF 0,0200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FJV411 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 10 Kohms
SI6433DQ Fairchild Semiconductor SI6433DQ 1.0900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 2.500 P-Kanal 20 v 4,5a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 47mohm @ 4,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 18 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1193 PF @ 10 V - - - 600 MW (TA)
FJC2383YTF Fairchild Semiconductor FJC2383YTF 1.0000
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 500 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 4.000 160 v 1 a 1 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA 160 @ 200 Ma, 5V 100 MHz
FJC1308RTF Fairchild Semiconductor FJC1308RTF 0,0700
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 500 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2156-FJC1308RTF Ear99 8541.21.0095 4.000 30 v 3 a 500NA PNP 450 MV @ 150 Ma, 1,5a 180 @ 500 mA, 2V - - -
KSC1009YTA Fairchild Semiconductor KSC1009YTA - - -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads KSC1009 800 MW To-92-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 140 v 700 Ma 100NA (ICBO) Npn 700mv @ 20 mA, 200 Ma 120 @ 50 Ma, 2V 50 MHz
KSC5302DTU Fairchild Semiconductor KSC5302DTU 0,1700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 50 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 400 V 2 a 10 µA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 1a 10 @ 1a, 1V - - -
BC33716 Fairchild Semiconductor BC33716 0,0700
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 800 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
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    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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