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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
FJPF3305TU	0,3000	RFQ	34	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				30 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50																	400 V	4 a						1 µA (ICBO)	Npn	1v @ 1a, 4a	19 @ 1a, 5V	4MHz
FDB0260N1007L	- - -	RFQ	8700	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab)			MOSFET (Metalloxid)		To-263-7	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			100 v	200a (TC)	10V	2,6 MOHM @ 27A, 10V	4v @ 250 ähm	118 NC @ 10 V	± 20 V	8545 PF @ 50 V	- - -	3,8 W (TA), 250 W (TC)
FDMC8327L	0,4600	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-MLP (3,3x3,3)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	654		N-Kanal			40 v	12a (ta), 14a (TC)	4,5 V, 10 V.	9.7mohm @ 12a, 10V	3v @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 20 V	1850 PF @ 20 V	- - -	2,3 W (TA), 30W (TC)
HUF76443P3	1.8500	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal			60 v	75a (TC)	4,5 V, 10 V.	8mohm @ 75a, 10V	3v @ 250 ähm	129 NC @ 10 V	± 16 v	4115 PF @ 25 V.	- - -	260W (TC)
PZTA56	- - -	RFQ	7268	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa				1 w	SOT-223-4	- - -				2156-PZTA56			1																	80 v	500 mA						100na	PNP	250mv @ 10 mA, 100 mA	100 @ 100 mA, 1V	50 MHz
KSA708YBU	0,0500	RFQ	80	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				800 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	5.495																	60 v	700 Ma						100NA (ICBO)	PNP	700 mv @ 50 mA, 500 mA	120 @ 50 Ma, 2V	50 MHz
2n3906tar	- - -	RFQ	2685	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1																	40 v	200 ma						- - -	PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	250 MHz
MPSA06RA	- - -	RFQ	8479	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1																	80 v	500 mA						100na	Npn	250mv @ 10 mA, 100 mA	100 @ 100 mA, 1V	100 MHz
KSC1507YTSTU	- - -	RFQ	3507	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				15 w	To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	50																	300 V	200 µA						100 µA (ICBO)	Npn	2v @ 5ma, 50 mA	120 @ 10 mA, 10V	80MHz
MPSW56RLRPG	1.0000	RFQ	8987	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen)				1 w	To-92 (to-226)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0075	2.000																	80 v	500 mA						500NA	PNP	500mv @ 10 mA, 250 mA	50 @ 250 mA, 1V	50 MHz
PN2907atar	1.0000	RFQ	4109	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				625 MW	To-92-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1																	60 v	800 mA						20na (ICBO)	PNP	1,6 V @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	200 MHz
FJX3906TF	0,0500	RFQ	268	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323				350 MW	SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000																	40 v	200 ma						50na	PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	250 MHz
Fqpf18n20v2	1.0800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack			MOSFET (Metalloxid)		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal			200 v	18a (TC)	10V	140MOHM @ 9A, 10V	5 V @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 30 v	1080 PF @ 25 V.	- - -	40W (TC)
FDD6696	0,4600	RFQ	217	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal			30 v	13a (ta), 50a (TC)	4,5 V, 10 V.	8mohm @ 13a, 10V	3v @ 250 ähm	24 nc @ 5 v	± 16 v	1715 PF @ 15 V	- - -	3,8 W (TA), 52W (TC)
FDS4935a	- - -	RFQ	1025	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	FDS49		MOSFET (Metalloxid)	900 MW	8-soic	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 p-kanal (dual)				30V	7a		23mohm @ 7a, 10V	3v @ 250 ähm	21nc @ 5v		1233pf @ 15V	Logikpegel -tor
KSC2757OMTF	0,0200	RFQ	16	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				150 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	16.000				- - -													15 v	50 ma							Npn		90 @ 5ma, 10V	1,1 GHz			- - -
BC547TF	0,0200	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads				500 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	15.000																	45 V	100 ma						15NA (ICBO)	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
FGPF7N60LSDtu	0,5500	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		Standard		45 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50			300 V, 7A, 470OHM, 15 V.												65 ns	- - -	600 V	14 a	21 a	2v @ 15V, 7a	270 µJ (EIN), 3,8mj (AUS)	24 NC	120ns/410ns
FDD5670	- - -	RFQ	5823	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			60 v	52a (ta)	6 V, 10V	15mohm @ 10a, 10V	4v @ 250 ähm	73 NC @ 10 V	± 20 V	2739 PF @ 15 V	- - -	3,8 W (TA), 83W (TC)
KSH210TF	0,2800	RFQ	513	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				1,4 w	To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	2.000																	25 v	5 a						100NA (ICBO)	PNP	1,8 V @ 1a, 5a	70 @ 500 mA, 1V	65 MHz
2N3906	- - -	RFQ	3505	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	2n39			625 MW	To-92	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	1																	40 v	200 ma						50na	PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	250 MHz
FDB5645	3.8100	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab			MOSFET (Metalloxid)		D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal			60 v	80A (TA)	6 V, 10V	9,5 MOHM @ 40A, 10V	4v @ 250 ähm	107 NC @ 10 V	± 20 V	4468 PF @ 30 V	- - -	125W (TC)
Fqu4n25tu	0,4600	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	70		N-Kanal			250 V	3a (TC)	10V	1,75OHM @ 1,5A, 10 V.	5 V @ 250 ähm	5.6 NC @ 10 V	± 30 v	200 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 37W (TC)
FGB20N6S2D	1.0000	RFQ	3420	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		Standard		125 w	D2pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50			390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V												31 ns	- - -	600 V	28 a	40 a	2,7 V @ 15V, 7a	25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS)	30 NC	7.7ns/87ns
Fdd6035al	0,4800	RFQ	207	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal			30 v	12a (ta), 46a (TC)	4,5 V, 10 V.	12mohm @ 12a, 10V	3v @ 250 ähm	18 NC @ 5 V.	± 20 V	1230 PF @ 15 V	- - -	1,5 W (TA), 56W (TC)
SGL40N150Dtu	11.6600	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	SGL40	Standard		200 w	HPM F2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	25			- - -												300 ns	- - -	1500 V	40 a	120 a	4,7 V @ 15V, 40a	- - -	140 nc	- - -
FQI12N60TU	1.3100	RFQ	627	Fairchild Semiconductor	QFET®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal			600 V	10.5a (TC)	10V	700MOHM @ 5.3A, 10V	5 V @ 250 ähm	54 NC @ 10 V	± 30 v	1900 PF @ 25 V.	- - -	3.13W (TA), 180 W (TC)
Fjy3005r	0,0200	RFQ	18	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet		Oberflächenhalterung	SC-89, SOT-490	Fjy300			200 MW	SOT-523F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	3.000																	50 v	100 ma						100NA (ICBO)	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5ma, 5v	250 MHz	4.7 Kohms	10 Kohms
FDP18N20F	- - -	RFQ	4467	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal			200 v	18a (TC)	10V	145mohm @ 9a, 10V	5 V @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 30 v	1180 PF @ 25 V.	- - -	100 W (TC)
FDS7066ASN3	1.1900	RFQ	623	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal			30 v	19a (ta)	4,5 V, 10 V.	4,8 MOHM @ 19A, 10V	3V @ 1ma	62 NC @ 10 V	± 20 V	2460 PF @ 15 V	- - -	3W (TA)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²