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Transistoren (3821)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
NDP7050	2.4000	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		50 v	75a (TC)	10V	13mohm @ 40a, 10V	4v @ 250 ähm	115 NC @ 10 V	± 20 V	3600 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
SFR9014TF	0,1900	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.000		P-Kanal		60 v	5.3a (TC)	10V	500MOHM @ 2,7a, 10V	4v @ 250 ähm	11 NC @ 10 V	± 30 v	350 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 24 W (TC)
HGTG30N60B3_NL	6.0400	RFQ	51	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		208 w	To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	51			480 V, 60A, 3OHM, 15 V.											Npt	600 V	60 a	220 a	1,9 V @ 15V, 30a	550 µJ (EIN), 680 µJ (AUS)	250 NC	36ns/137ns
FGPF4633TU	1.0000	RFQ	8367	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		Standard		30,5 w	To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1			200 V, 20a, 5ohm, 15 V											Graben	330 V		300 a	1,8 V @ 15V, 70a	- - -	60 nc	8ns/52ns
2N4401RA	- - -	RFQ	7300	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	2N4401			625 MW	To-92 (to-226)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	2.000															40 v	600 mA						100na	Npn	750 MV @ 50 Ma, 500 mA	100 @ 150 mA, 1V	250 MHz
Irf530a	0,6300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		100 v	14a (TC)	10V	110Mohm @ 7a, 10V	4v @ 250 ähm	36 NC @ 10 V	- - -	790 PF @ 25 V.	- - -	55W (TC)
FDMB2307NZ	1.0000	RFQ	5524	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-WDFN Exponierte Pad	FDMB2307		MOSFET (Metalloxid)	800 MW	6-mlp (2x3)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss			- - -	- - -		- - -	- - -	28nc @ 5v		- - -	Logikpegel -tor
HUF75639S3ST_Q	1.1700	RFQ	36	Fairchild Semiconductor	*	Schüttgut	Aktiv				HUF75639		- - -			- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	800												- - -
FDP13AN06A0	0,9000	RFQ	24	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		60 v	10.9a (TA), 62A (TC)	6 V, 10V	13,5 MOHM @ 62A, 10V	4v @ 250 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	1350 PF @ 25 V.	- - -	115W (TC)
HGTG20N60B3-FS	3.5900	RFQ	42	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard		165 w	To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	0000.00.0000	1			- - -											- - -	600 V	40 a	160 a	2v @ 15V, 20a	- - -	135 NC	- - -
BC846a	0,0700	RFQ	96	Fairchild Semiconductor	SOT-23	Schüttgut	Aktiv	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				200 MW	SOT-23	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000															65 V	100 ma						100NA (ICBO)	Npn	500 mV @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	100 MHz
FDY2000PZ	0,1600	RFQ	108	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	FDY20		MOSFET (Metalloxid)	446 MW	SOT-563F	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1	2 p-kanal (dual)			20V	350 Ma		1,2OHM @ 350 mA, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	1,4nc @ 4,5 V		100pf @ 10v	Logikpegel -tor
FDD8870	1.0000	RFQ	5773	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252, (d-pak)	Herunterladen						0000.00.0000	1		N-Kanal		30 v	21a (Ta), 160a (TC)	4,5 V, 10 V.	3,9 MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	118 NC @ 10 V	± 20 V	5160 PF @ 15 V	- - -	160W (TC)
NZT753	0,3900	RFQ	800	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa				1,2 w	SOT-223-4	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	800															100 v	4 a						100NA (ICBO)	PNP	300 mV @ 50 Ma, 1a	100 @ 500 mA, 2V	75 MHz
NZT751	0,5100	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa				1,2 w	SOT-223-4	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	583															60 v	4 a						100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 200 Ma, 2a	40 @ 2a, 2v	75 MHz
SSU1N60BTU	0,1400	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	900 Ma (TC)	10V	12ohm @ 450 mA, 10V	4v @ 250 ähm	7,7 NC @ 10 V	± 30 v	215 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 28 W (TC)
FDMC0310As	1.0000	RFQ	5497	Fairchild Semiconductor	Powertrench®, SyncFet ™	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn			MOSFET (Metalloxid)		8-MLP (3,3x3,3)	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal		30 v	19A (TA), 21A (TC)	4,5 V, 10 V.	4,4mohm @ 19a, 10V	3V @ 1ma	52 NC @ 10 V	± 20 V	3165 PF @ 15 V	- - -	2,4 W (TA), 36W (TC)
SFR9224TF	0,2800	RFQ	167	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		To-252-3 (dpak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.000		P-Kanal		250 V	2,5a (TC)	10V	2,4OHM @ 1,3a, 10 V	4v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 30 v	540 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 30W (TC)
SFU9230BTU	0,3400	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal		200 v	5.4a (TC)	10V	800 MOHM @ 2,7A, 10V	4v @ 250 ähm	45 nc @ 10 v	± 30 v	1000 PF @ 25 V.	- - -	2,5 W (TA), 49W (TC)
Fjv3113rmtf	0,0200	RFQ	60	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	FJV311			200 MW	SOT-23-3 (to-236)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000															50 v	100 ma						100NA (ICBO)	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	2.2 Kohms	47 Kohms
FDC653N	0,2500	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6			MOSFET (Metalloxid)		Supersot ™ -6	Herunterladen					Ear99	8542.39.0001	1,192		N-Kanal		30 v	5a (ta)	4,5 V, 10 V.	35mohm @ 5a, 10V	2v @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 20 V	350 PF @ 15 V	- - -	1.6W (TA)
FGD2N40L	0,2600	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		Logik		29 w	To-252, (d-pak)	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	2.500			300 V, 2,5a, 51OHM, 4V											- - -	400 V	7 a	29 a	1,6 V @ 2,4 V, 2,5a	- - -	11 NC	47ns/650ns
FDZ206P	0,5100	RFQ	369	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	30-WFBGA			MOSFET (Metalloxid)		30-bga (4x3,5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	4.000		P-Kanal		20 v	13a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	9,5 MOHM @ 13A, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	53 NC @ 4,5 V.	± 12 V	4280 PF @ 10 V.	- - -	2.2W (TA)
KST2222AMTF	- - -	RFQ	3847	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	3.000															40 v	600 mA						10NA (ICBO)	Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	300 MHz
KSC3265YMTF	- - -	RFQ	4202	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				200 MW	SOT-23-3	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-kSC3265YMTF-600039			1															25 v	800 mA						100na	Npn	400 mv @ 20 mA, 500 mA	100 @ 100 mA, 1V	120 MHz
BC337A	0,0600	RFQ	4993	Fairchild Semiconductor	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				625 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.21.0075	373															45 V	800 mA						100na	Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 100 mA, 1V	100 MHz
KSC5042MSTU	1.0000	RFQ	4655	Fairchild Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet	- - -	K. Loch	To-225aa, to-126-3				6 w	To-126-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	1															900 V	100 ma						10 µA (ICBO)	Npn	5v @ 4ma, 20 mA	30 @ 10ma, 5v	- - -
FDS3612	0,6600	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		100 v	3.4a (TA)	6 V, 10V	120 MOHM @ 3,4a, 10V	4v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 20 V	632 PF @ 50 V	- - -	2,5 W (TA)
FDU6696	0,9100	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 v	13a (ta), 50a (TC)	4,5 V, 10 V.	8mohm @ 13a, 10V	3v @ 250 ähm	24 nc @ 5 v	± 16 v	1715 PF @ 15 V	- - -	1,6W (TA), 52W (TC)
Fdb8444ts	1.0000	RFQ	9156	Fairchild Semiconductor	Powertrench®	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-6, d²pak (5 Leads + Tab), to-263ba			MOSFET (Metalloxid)		To-263-5	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		40 v	20A (TA), 70A (TC)	10V	5mohm @ 70a, 10V	4v @ 250 ähm	338 NC @ 20 V	± 20 V	8410 PF @ 25 V.	- - -	181W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3821)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²