SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
NVTFS5824NLTAG Fairchild Semiconductor NVTFS5824NLTAG 1.0000
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn NVTFS5 MOSFET (Metalloxid) 8-WDFN (3,3x3,3) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 60 v 37a (TC) 4,5 V, 10 V. 20,5 MOHM @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 16 NC @ 10 V ± 20 V 850 PF @ 25 V. - - - 3,2 W (TA), 57W (TC)
FDS6162N7 Fairchild Semiconductor FDS6162N7 2.0100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 20 v 23a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 3,5 MOHM @ 23A, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 73 NC @ 4,5 V. ± 12 V 5521 PF @ 10 V - - - 3W (TA)
ISL9N312AD3ST Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3ST 0,2900
RFQ
ECAD 138 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 50a, 10V 3v @ 250 ähm 38 nc @ 10 v ± 20 V 1450 PF @ 15 V - - - 75W (TA)
RFD16N05 Fairchild Semiconductor RFD16N05 1.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa RFD16 MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 50 v 16a (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 80 nc @ 20 V ± 20 V 900 PF @ 25 V. - - - 72W (TC)
FGH30T65UPDT_F155 Fairchild Semiconductor FGH30T65UPDT_F155 - - -
RFQ
ECAD 1617 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 250 w To-247-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 30a, 8ohm, 15 V. 33 ns TRABENFELD STOPP 650 V 60 a 90 a 2,3 V @ 15V, 30a 760 µJ (EIN), 400 µJ (AUS) 155 NC 22ns/139ns
FDD6685 Fairchild Semiconductor FDD6685 - - -
RFQ
ECAD 2428 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 P-Kanal 30 v 11a (ta), 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 20mohm @ 11a, 10V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 5 v ± 25 V 1715 PF @ 15 V - - - 1.6W (TA)
FQPF32N12V2 Fairchild Semiconductor FQPF32N12V2 1.4400
RFQ
ECAD 83 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 120 v 32a (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 53 NC @ 10 V ± 30 v 1860 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
FCH130N60 Fairchild Semiconductor FCH130N60 2.3700
RFQ
ECAD 144 0.00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 600 V 28a (TC) 10V 130Mohm @ 14a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 20 V 3590 PF @ 380 V - - - 278W (TC)
HGTG7N60A4D Fairchild Semiconductor HGTG7N60A4D - - -
RFQ
ECAD 3040 0.00000000 Fairchild Semiconductor SMPS Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 125 w To-247-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-HGTG7N60A4D-600039 1 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V 34 ns - - - 600 V 34 a 56 a 2,7 V @ 15V, 7a 55 µJ (EIN), 60 µJ (AUS) 37 NC 11ns/100 ns
FDB7030BLS Fairchild Semiconductor FDB7030BLS 1.8700
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 60a (ta) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 30a, 10V 3v @ 250 ähm 24 nc @ 5 v ± 20 V 1760 PF @ 15 V - - - 60 W (TC)
FPF2C110BI07AS2 Fairchild Semiconductor FPF2C110BI07AS2 77.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FPF2C110BI07AS2-600039 1
FDP040N06 Fairchild Semiconductor FDP040N06 1.7300
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 400 N-Kanal 60 v 120a (TC) 10V 4mohm @ 75a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 133 NC @ 10 V ± 20 V 8235 PF @ 25 V. - - - 231W (TC)
FJV3111RMTF Fairchild Semiconductor Fjv3111rmtf - - -
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 22 Kohms
BC848BMTF Fairchild Semiconductor BC848BMTF 0,0200
RFQ
ECAD 271 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
PN2907TA Fairchild Semiconductor PN2907ta 0,0200
RFQ
ECAD 101 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 800 mA 20na (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
FGD3245G2 Fairchild Semiconductor FGD3245G2 1.0000
RFQ
ECAD 4146 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 2.500
HUF75545P3_NL Fairchild Semiconductor Huf75545p3_nl 2.1100
RFQ
ECAD 9855 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 N-Kanal 80 v 75a (TC) 10V 10MOHM @ 75A, 10V 4v @ 250 ähm 235 NC @ 20 V ± 20 V 3750 PF @ 25 V. - - - 270W (TC)
BSP51 Fairchild Semiconductor BSP51 1.0000
RFQ
ECAD 2612 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1 w SOT-223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 80 v 500 mA 10 µA NPN - Darlington 1,3 V @ 500 µA, 500 mA 1000 @ 150 mA, 10V - - -
FGB20N60SF Fairchild Semiconductor FGB20N60SF 1,8000
RFQ
ECAD 726 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 208 w D2pak (to-263) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 167 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. Feldstopp 600 V 40 a 60 a 2,8 V @ 15V, 20a 370 µJ (EIN), 160 µJ (AUS) 65 NC 13ns/90ns
FDB15N50_NL Fairchild Semiconductor Fdb15n50_nl 2.1300
RFQ
ECAD 9308 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 6 N-Kanal 500 V 15a (TC) 10V 380MOHM @ 7,5a, 10V 4v @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 30 v 1850 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
FDD20AN06A0-F085 Fairchild Semiconductor FDD20AN06A0-F085 - - -
RFQ
ECAD 2385 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252aa Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-FDD20AN06A0-F085-600039 1 N-Kanal 60 v 8A (TA), 45A (TC) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 950 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
FGH40N65UFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-F085 - - -
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 Fairchild Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 290 w To-247 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. 65 ns Feldstopp 650 V 80 a 120 a 2,4 V @ 15V, 40a 1,28 MJ (EIN), 500 µJ (AUS) 119 NC 23ns/126ns
FQB19N10LTM Fairchild Semiconductor FQB19N10LTM 0,6000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 19A (TC) 5v, 10V 100mohm @ 9.5a, 10V 2v @ 250 ähm 18 NC @ 5 V. ± 20 V 870 PF @ 25 V. - - - 3,75W (TA), 75W (TC)
FQB12N50TM Fairchild Semiconductor FQB12N50TM 1.0700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Fairchild Semiconductor * Schüttgut Aktiv Fqb12n - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 800 - - -
FJX3013RTF Fairchild Semiconductor FJX3013RTF 1.0000
RFQ
ECAD 6190 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 FJX301 200 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
HUF75545P3 Fairchild Semiconductor HUF75545p3 1.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 210 N-Kanal 80 v 75a (TC) 10V 10MOHM @ 75A, 10V 4v @ 250 ähm 235 NC @ 20 V ± 20 V 3750 PF @ 25 V. - - - 270W (TC)
FQAF33N10 Fairchild Semiconductor FQAF33N10 0,7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 360 N-Kanal 100 v 25,8a (TC) 10V 52mohm @ 12.9a, 10V 4v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 25 V 1500 PF @ 25 V. - - - 83W (TC)
NJVMJD122T4G-VF01 Fairchild Semiconductor NJVMJD122T4G-VF01 - - -
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 1,75 w Dpak Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 100 v 8 a 10 µA NPN - Darlington 4v @ 8a, 80 mA 1000 @ 4a, 4V - - -
FDS2170N7 Fairchild Semiconductor FDS2170N7 2.0100
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 200 v 3a (ta) 10V 128mohm @ 3a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 36 NC @ 10 V ± 20 V 1292 PF @ 100 V - - - 3W (TA)
BD13610S Fairchild Semiconductor BD13610S 0,2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 1,25 w To-126-3 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1,421 45 V 1,5 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus