SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
ISL9N2357D3ST Fairchild Semiconductor ISL9N2357D3ST 1.0200
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 35a (TC) 10V 7mohm @ 35a, 10V 4v @ 250 ähm 258 NC @ 20 V ± 20 V 5600 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
BCW60D Fairchild Semiconductor BCW60D 1.0000
RFQ
ECAD 7088 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 32 v 100 ma 20na Npn 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA 380 @ 2MA, 5V 125 MHz
FDS6890A Fairchild Semiconductor FDS6890a - - -
RFQ
ECAD 7131 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) FDS6890 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-soic Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 2 n-kanal (dual) 20V 7.5a 18mohm @ 7,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 32nc @ 4,5V 2130pf @ 10v Logikpegel -tor
FCPF380N60E-F152 Fairchild Semiconductor FCPF380N60E-F152 - - -
RFQ
ECAD 5776 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f-3 - - - 2156-FCPF380N60E-F152 1 N-Kanal 600 V 10.2a (TC) 10V 380Mohm @ 5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 31W (TC)
FDS3670 Fairchild Semiconductor FDS3670 1.6700
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 6.3a (ta) 6 V, 10V 32mohm @ 6.3a, 10V 4v @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 2490 PF @ 50 V - - - 2,5 W (TA)
IRFS250B Fairchild Semiconductor IRFS250B - - -
RFQ
ECAD 9472 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-3Pf Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 21.3a (TC) 10V 85mohm @ 10.65a, 10V 4v @ 250 ähm 123 NC @ 10 V ± 30 v 3400 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
FDS7766 Fairchild Semiconductor FDS7766 0,9400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 17a (ta) 4,5 V, 10 V. 5mohm @ 17a, 10V 3v @ 250 ähm 69 NC @ 5 V. ± 16 v 4973 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
KSC1393YBU Fairchild Semiconductor KSC1393YBU 0,0200
RFQ
ECAD 879 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 250 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 20 dB ~ 24 dB 30V 20 ma Npn 90 @ 2MA, 10V 700 MHz 2db ~ 3db @ 200 MHz
MPSH34 Fairchild Semiconductor MPSH34 - - -
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.694 40 v 50 ma 50na (ICBO) Npn 500mv @ 2MA, 7ma 15 @ 20 mA, 2V 500 MHz
KSD5041RTA Fairchild Semiconductor KSD5041RTA 0,1300
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 750 MW To-92-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 2,274 20 v 5 a 100NA (ICBO) Npn 1v @ 100 mA, 3a 340 @ 500 mA, 2V 150 MHz
KSD261CYBU Fairchild Semiconductor KSD261CYBU 0,0300
RFQ
ECAD 3939 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 9.000 20 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 400 mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100 mA, 1V - - -
2N4401RA Fairchild Semiconductor 2N4401RA - - -
RFQ
ECAD 7300 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N4401 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 600 mA 100na Npn 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1V 250 MHz
RFD4N06LSM9A Fairchild Semiconductor RFD4N06LSM9A 0,5600
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 4a (TC) 5v 600MOHM @ 1A, 5V 2,5 V @ 250 ähm 8 NC @ 10 V ± 10 V - - - 30W (TC)
MMBT200 Fairchild Semiconductor MMBT200 - - -
RFQ
ECAD 9440 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-MMBT200-600039 1 45 V 500 mA 50na PNP 400mv @ 20 mA, 200 mA 100 @ 150 mA, 5V 250 MHz
SFR9024TF Fairchild Semiconductor SFR9024TF 0,4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 (dpak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 v 7.8a (TC) 10V 280 MOHM @ 3,9a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 30 v 600 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 32W (TC)
HUF75823D3S Fairchild Semiconductor HUF75823D3S 0,8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 v 14a (TC) 10V 150 MOHM @ 14A, 10V 4v @ 250 ähm 54 NC @ 20 V ± 20 V 800 PF @ 25 V. - - - 85W (TC)
FQU2N60CTU Fairchild Semiconductor Fqu2n60ctu - - -
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 600 V 1,9a (TC) 10V 4.7ohm @ 950 mA, 10V 4v @ 250 ähm 12 NC @ 10 V ± 30 v 235 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 44W (TC)
FDPF9N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF9N50NZ - - -
RFQ
ECAD 2422 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Fullpack/to-220F-3SG - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-FDPF9N50NZ-600039 1 N-Kanal 500 V 9a (TC) 10V 800 MOHM @ 4,5A, 10 V. 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 30 v 1030 PF @ 25 V. - - - 44W (TC)
HUFA75307D3ST Fairchild Semiconductor HUFA75307D3ST 0,2400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 55 v 15a (TC) 10V 90 MOHM @ 15a, 10V 4v @ 250 ähm 20 NC @ 20 V ± 20 V 250 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
FDB20AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB20AN06A0 0,5500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 9A (TA), 45A (TC) 10V 20mohm @ 45a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 950 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
FDB8444TS Fairchild Semiconductor Fdb8444ts 1.0000
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-6, d²pak (5 Leads + Tab), to-263ba MOSFET (Metalloxid) To-263-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 20A (TA), 70A (TC) 10V 5mohm @ 70a, 10V 4v @ 250 ähm 338 NC @ 20 V ± 20 V 8410 PF @ 25 V. - - - 181W (TC)
KSA1201YTF Fairchild Semiconductor KSA1201YTF - - -
RFQ
ECAD 8558 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 4.000 120 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100 mA, 5V 120 MHz
FMG2G300US60 Fairchild Semiconductor FMG2G300US60 - - -
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 19 Uhr-ia 892 w Standard 19 Uhr-ia Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke - - - 600 V 300 a 2,7 V @ 15V, 300A 250 µA NEIN
KSH127TM Fairchild Semiconductor KSH127TM 1.0000
RFQ
ECAD 4312 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 KSH12 1,75 w D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 2.500 100 v 8 a 10 µA PNP - Darlington 4v @ 80 Ma, 8a 1000 @ 4a, 4V - - -
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor FJN3310RBU 1.0000
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) Fjn331 300 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 1.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 10 Kohms
FDP8441 Fairchild Semiconductor FDP8441 1.6100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Fairchild Semiconductor Powertrench® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 187 N-Kanal 40 v 23a (TA), 80A (TC) 10V 2,7 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 280 nc @ 10 v ± 20 V 15000 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
FQB34N20TM Fairchild Semiconductor FQB34N20TM 2.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1.600 N-Kanal 200 v 31a (TC) 10V 75mohm @ 15.5a, 10V 5 V @ 250 ähm 78 NC @ 10 V ± 30 v 3100 PF @ 25 V. - - - 3.13W (TA), 180 W (TC)
ISL9N307AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N307As3st - - -
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 67 N-Kanal 30 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 75 NC @ 10 V ± 20 V 3000 PF @ 15 V - - - 100 w (ta)
J270 Fairchild Semiconductor J270 0,2300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) 350 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal - - - 30 v 2 ma @ 15 v 500 mV @ 1 na
HUF76645S3S Fairchild Semiconductor HUF76645S3S 2.0200
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 5 N-Kanal 100 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 75a, 10V 3v @ 250 ähm 153 NC @ 10 V ± 16 v 4400 PF @ 25 V. - - - 310W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus