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Transistoren (226)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
2SC2721-AZ Renesas 2SC2721-Az - - -
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch 3-ssip 1W - - - - - - 2156-2SC2721-Az 1 - - - 60 v 700 Ma Npn 90 @ 100 mA, 1V 110 MHz - - -
2SC4554(7)-S6-AZ Renesas 2SC4554 (7) -S6 -Az - - -
RFQ
 ECAD 4586 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SC4554 (7) -S6-Az 1
2SD571(1)-T(ND)-AZ Renesas 2SD571 (1) -T (ND) -AZ - - -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SD571 (1) -T (ND) -AZ 1
2SK2858(0)-T1-AT Renesas 2SK2858 (0) -T1 -at - - -
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SK2858 (0) -T1-AT 1
2SK1590-T1B-A Renesas 2SK1590-T1B-A - - -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SK1590-T1B-A 1
2SB601-AZ Renesas 2SB601-Az 1,5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 1,5 w To-220ab - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SB601-Az Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 10 µA PNP - Darlington 1,5 V @ 3ma, 3a 2000 @ 3a, 2v - - -
2SJ604-Z-AZ Renesas 2SJ604-Z-Az 1.8100
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263, to-220Smd - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SJ604-Z-AZ Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 45a (TC) 4 V, 10V 30mohm @ 23a, 10V 2,5 V @ 1ma 63 NC @ 10 V ± 20 V 3300 PF @ 10 V. - - - 1,5 W (TA), 70 W (TC)
2SK3813-Z-AZ Renesas 2SK3813-Z-Az - - -
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) MP-3 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3813-Z-AZ Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 40 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.3mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 1ma 96 NC @ 10 V ± 20 V 5500 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 84W (TC)
2SK2925L06-E Renesas 2SK2925L06-E - - -
RFQ
 ECAD 6499 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SK2925L06-E 1
UPA1740TP-E1-AZ Renesas UPA1740TP-E1-AZ 1.7300
RFQ
 ECAD 282 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powersoic (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-hsop Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-upa1740TP-E1-Az Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 200 v 7a (TC) 10V 440MOHM @ 3,5a, 10V 4,5 V @ 1ma 12 NC @ 10 V ± 30 v 420 PF @ 10 V - - - 1W (TA), 22W (TC)
2SK4178-ZK-E1-AY Renesas 2SK4178-ZK-e1-ay 0,7100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) TO-252 (MP-3ZK) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK4178-ZK-e1-ay Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 48a (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 24 nc @ 10 v ± 20 V 1500 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 33W (TC)
2SK2933-E Renesas 2SK2933-e 1.6300
RFQ
 ECAD 261 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220cfm - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK2933-E Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 15a (ta) 4 V, 10V 52mohm @ 8a, 10V 2,5 V @ 1ma ± 20 V 500 PF @ 10 V. - - - 25W (TA)
2SK3714(0)-S12-AZ Renesas 2SK3714 (0) -S12 -Az 2.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 isolierte RegisterKarte MOSFET (Metalloxid) MP-45F - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3714 (0) -S12-Az Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 50a (TC) 4 V, 10V 13mohm @ 25a, 10V 2,5 V @ 1ma 60 nc @ 10 v ± 20 V 3200 PF @ 10 V. - - - 2W (TA), 35W (TC)
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas RJK1001DPP-E0#T2 - - -
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220fp - - - 2156-RJK1001DPP-E0#T2 1 N-Kanal 100 v 80A (TA) 10V 5.5MOHM @ 40A, 10V 4v @ 1ma 147 NC @ 10 V ± 20 V 10000 PF @ 10 V. - - - 30W (TC)
RJK0703DPP-E0#T2 Renesas RJK0703DPP-E0#T2 - - -
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220fp - - - 2156-RJK0703DPP-E0#T2 1 N-Kanal 75 V 70a (ta) 10V 6,7 MOHM @ 35A, 10V 4v @ 1ma 56 NC @ 10 V ± 20 V 4150 PF @ 10 V. - - - 25W (TC)
2SJ197-T1-AZ Renesas 2SJ197-T1-Az - - -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa MOSFET (Metalloxid) SOT-89 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SJ197-T1-Az Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 1,5a (ta) 4 V, 10V 1OHM @ 500 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 220 PF @ 10 V - - - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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