SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
UPA2706GR-E1-A Renesas UPA2706gr-e1-A 1.1400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-upa2706gr-e1-a Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 30 v 11A (TA), 20A (TC) 4 V, 10V 15mohm @ 5,5a, 10V 2,5 V @ 1ma 7.1 NC @ 5 V ± 20 V 660 PF @ 10 V. - - - 3W (TA), 15W (TC)
2SK3402-ZK-E1-AY Renesas 2SK3402-ZK-e1-ay 1.3800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252 (MP-3Z) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3402-ZK-e1-ay Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 60 v 36a (TC) 4 V, 10V 15mohm @ 18a, 10V 2,5 V @ 1ma 61 NC @ 10 V ± 20 V 3200 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 40W (TC)
2SK2159-T1-AZ Renesas 2SK2159-T1-Az - - -
RFQ
ECAD 6837 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SK2159-T1-AZ 1
HAT2218R0T-EL-E Renesas HAT2218R0T-EL-E 0,7600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-Hat2218r0t-el-e Ear99 8541.29.0075 1
UPA2706GR-E1-AT Renesas UPA2706gr-e1-AT 1.1600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-upa2706gr-e1-at Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 11A (TA), 20A (TC) 4 V, 10V 15mohm @ 5,5a, 10V 2,5 V @ 1ma 7.1 NC @ 5 V ± 20 V 660 PF @ 10 V. - - - 3W (TA), 15W (TC)
UPA1727G-E1-AT Renesas UPA1727G-E1-AT 1.5400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-upa1727g-e1-at Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 10a (ta) 4 V, 10V 19Mohm @ 5a, 10V 2,5 V @ 1ma 45 nc @ 10 v ± 20 V 2400 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
2SK3353-AZ Renesas 2SK3353-Az 3.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3353-Az Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 82a (TC) 4 V, 10V 9,5 MOHM @ 41A, 10V 2,5 V @ 1ma 90 nc @ 10 v ± 20 V 4650 PF @ 10 V. - - - 1,5 W (TA), 95 W (TC)
HAT2292C-EL-E Renesas HAT2292C-el-e 0,3400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen HAT2292 MOSFET (Metalloxid) - - - 6-cmfpak - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-Hat2292C-el-e Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 20V 1,5a 205mohm @ 1,5a, 4,5 V. - - - - - - - - - - - -
2SK1954-Z-E1-AZ Renesas 2SK1954-Z-E1-Az - - -
RFQ
ECAD 3177 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) MP-3Z - - - 2156-2SK1954-Z-E1-Az 1 N-Kanal 180 v 4a (ta) 10V 650Mohm @ 2a, 10V 4v @ 1ma 10 nc @ 10 v ± 20 V 300 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 20W (TC)
2SK3435-AZ Renesas 2SK3435-Az 2.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3435-Az Ear99 8541.29.0075 116 N-Kanal 60 v 80A (TC) 10V 14mohm @ 40a, 10V 2,5 V @ 1ma 60 nc @ 10 v ± 20 V 3200 PF @ 10 V. - - - 1,5 W (TA), 84W (TC)
UPA1601GS-E1-A Renesas UPA1601GS-E1-A 1.8400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,220 ", 5,59 mm BreiTe) UPA1601 MOSFET (Metalloxid) 1W (TA) 16-so-sop - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-upa1601gs-e1-a Ear99 8542.39.0001 163 7 N-Kanal 30V 270 Ma (TA) 5.3OHM @ 150 mA, 4V 800mv @ 150 mA - - - 15pf @ 10v - - -
HAT1091C-EL-E Renesas HAT1091C-EL-E 0,2500
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen MOSFET (Metalloxid) 6-cmfpak - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-Hat1091c-el-e Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 20 v 1,5a (ta) 2,5 V, 4 V. 175mohm @ 800 mA, 4,5 V. 1,4 V @ 1ma 2,6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 200 PF @ 10 V. - - - 830 MW (TA)
2SK2054-T1-AZ Renesas 2SK2054-T1-Az 0,8300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa MOSFET (Metalloxid) MP-2 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK2054-T1-Az Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 60 v 3a (ta) 4 V, 10V 200mohm @ 1,5a, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 530 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
UPA1759G-E1-A Renesas UPA1759G-E1-A 0,5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powersoic (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Powersop - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-upa1759g-e1-a Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 5a (TC) 4 V, 10V 150 MOHM @ 2,5A, 10V 2,5 V @ 1ma 8 NC @ 10 V ± 20 V 190 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
2SD1694(4)-S2-AZ Renesas 2SD1694 (4) -S2 -Az - - -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SD1694 (4) -S2-Az 1
RJL5014DPP-E0#T2 Renesas RJL5014DPP-E0#T2 5.7400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220fp - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-RJL5014DPP-E0#T2 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 19a (ta) 10V 400mohm @ 9.5a, 10V 4v @ 1ma 43 NC @ 10 V ± 30 v 1700 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
2SJ529L06-E Renesas 2SJ529L06-E 0,9400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch TO-251-3 Lange Leads, ipak, to-251ab MOSFET (Metalloxid) Dpak (l)-(2) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SJ529L06-E Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 10a (ta) 4 V, 10V 160Mohm @ 5a, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 580 PF @ 10 V - - - 20W (TC)
2SK3455B-S17-AY Renesas 2SK3455B-S17-ay 3.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) ITO-220 (MP-45F) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3455B-S17-ay Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 600mohm @ 6a, 10V 3,5 V @ 1ma 30 NC @ 10 V ± 30 v 1800 PF @ 10 V. - - - 2W (TA), 50W (TC)
2SK3354-AZ Renesas 2SK3354-Az 3.7400
RFQ
ECAD 946 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3354-Az Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 60 v 83a (TC) 4 V, 10V 8mohm @ 42a, 10V 2,5 V @ 1ma 106 NC @ 10 V ± 20 V 6300 PF @ 10 V. - - - 1,5 W (TA), 100 W (TC)
2SK3813-AZ Renesas 2SK3813-Az - - -
RFQ
ECAD 4491 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) MP-3 - - - 2156-2SK3813-Az 1 N-Kanal 40 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.3mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 1ma 96 NC @ 10 V ± 20 V 5500 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 84W (TC)
2SC4942-T1-AZ Renesas 2SC4942-T1-Az 1.2500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2 w MP-2 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SC4942-T1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 10 µA (ICBO) Npn 1v @ 80 mA, 400 mA 30 @ 100 Ma, 5V 30 MHz
RJK6012DPP-E0#T2 Renesas RJK6012DPP-E0#T2 2.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220fp - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-RJK6012DPP-E0#T2 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 10a (ta) 10V 920Mohm @ 5a, 10V 4,5 V @ 1ma 30 NC @ 10 V ± 30 v 1100 PF @ 25 V. - - - 30W (TA)
NP88N04NUG-S18-AY Renesas Np88n04nug-s18-ay 2.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 175 ° C. K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-NP88N04NUG-S18-AY Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 40 v 88a (TC) 10V 3,4mohm @ 44a, 10V 4v @ 250 ähm 250 NC @ 10 V ± 20 V 15000 PF @ 25 V. - - - 1,8 W (TA), 200 W (TC)
UPA2718GR-E1-AT Renesas UPA2718gr-e1-AT 1.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-upa2718gr-e1-AT-1833 1
UPA2756GR-E1-A Renesas UPA2756gr-E1-A 0,8200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powersoic (0,173 ", 4,40 mm Breit) UPA2756 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA) 8-Powersop - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-upa2756gr-e1-a Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 60 v 4a (ta) 105mohm @ 2a, 10V 2,5 V @ 1ma 6nc @ 10v 260pf @ 10v - - -
HAT1093C-EL-E Renesas HAT1093C-el-e 0,2500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen MOSFET (Metalloxid) 6-cmfpak Herunterladen Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-Hat1093c-el-e Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 12 v 3a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 54mohm @ 1,5a, 4,5 V. 1,2 V @ 1ma 11 NC @ 4,5 V. ± 8 v 940 PF @ 10 V. - - - 900 MW (TA)
RQA0005AQS#H1 Renesas RQA0005AQS#H1 0,5300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-RQA0005AQS#H1 Ear99 8541.29.0095 1
UPA2371T1P-E1-A Renesas UPA2371T1P-E1-A 0,5800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung 4-uflga UPA2371 MOSFET (Metalloxid) - - - 4-eflip (1,62x1.62) - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-upa2371t1p-e1-a Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 24 v 6a - - - - - - - - - - - - - - -
RQA0009TXDQS#H1 Renesas RQA0009TXDQS#H1 - - -
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa MOSFET (Metalloxid) Upak - - - 2156-RQA0009TXDQS#H1 1 N-Kanal 16 v 3.2a (ta) - - - - - - 0,8 V @ 1ma ± 5 V 76 PF @ 0 v - - - 15W (TC)
2SD571(1)-AZ Renesas 2SD571 (1) -Az - - -
RFQ
ECAD 5660 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SD571 (1) -Az 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus