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Transistoren (226)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
2SK3434 (0) -Z-E1-Az	- - -	RFQ	7024	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-263, to-220Smd	- - -			2156-2SK3434 (0) -Z-E1-Az			1		N-Kanal	60 v	48a (TC)	4 V, 10V	20mohm @ 24a, 10V	2,5 V @ 1ma	40 nc @ 10 v	± 20 V	2100 PF @ 10 V	- - -	1,5 W (TA), 56W (TC)
2SK3483-Z-Az	1.2100	RFQ	635	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		MP-3	- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-2SK3483-Z-Az	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	100 v	28a (ta)	4,5 V, 10 V.	52mohm @ 14a, 10V	2,5 V @ 1ma	49 NC @ 10 V.	± 20 V	2300 PF @ 10 V.	- - -	1W (TA), 40W (TC)
NP32N055SLE-E1-AY	- - -	RFQ	1281	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	175 ° C.	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (MP-3ZK)	- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-NP32N055SLE-E1-AY	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	55 v	32a (ta)	4,5 V, 10 V.	24MOHM @ 16A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	41 nc @ 10 v	± 20 V	2000 PF @ 25 V.	- - -	1,2 W (TA), 66 W (TC)
HR1A3M (0) -T1 -AZ	- - -	RFQ	6926	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		Oberflächenhalterung	To-243aa			2 w	SC-62	- - -			2156-HR1A3M (0) -T1-Az			1													60 v	1 a	100NA (ICBO)	PNP - VoreInensmen	350 MV @ 10 mA, 500 mA	100 @ 500 mA, 2V		1 Kohms	1 Kohms
UPA2752GR-E1-A	1.3000	RFQ	32	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit)	UPA2752	MOSFET (Metalloxid)	1.7W (TA)	8-Sop	- - -	Rohs Nick Konform	Verkäfer undefiniert	2156-upa2752gr-e1-a	Ear99	8541.29.0095	1	2 n-kanal (dual)		30V	8a (TC)		23mohm @ 4a, 10V	2,5 V @ 1ma	10nc @ 10v		480pf @ 10v	- - -
2SC1623B-T1B-AT	- - -	RFQ	3602	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet								- - -			2156-2SC1623B-T1B-AT			1
2SK3431-Az	2.8600	RFQ	554	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-2SK3431-Az	Ear99	8541.29.0095	105		N-Kanal	40 v	83a (TC)	4 V, 10V	5.6mohm @ 42a, 10V	2,5 V @ 1ma	110 nc @ 10 v	± 20 V	6100 PF @ 10 V.	- - -	1,5 W (TA), 100 W (TC)
HAT1146C-EL-E	- - -	RFQ	6451	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet								- - -			2156-hass1146c-el-e			1
RJK0349DSP-00#J0	- - -	RFQ	8794	Renesas	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	- - -			2156-RJK0349DSP-00#J0			1		N-Kanal	30 v	20a (ta)	4,5 V, 10 V.	3,8 MOHM @ 10a, 10V	2,5 V @ 1ma	25 NC @ 4,5 V.	± 20 V	3850 PF @ 10 V.	- - -	2,5 W (TA)
RJJ0621DPP-E0#T2	1.9200	RFQ	650	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	Herunterladen	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-RJJ0621DPP-E0#T2	Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal	60 v	25a (TC)	4,5 V, 10 V.	56mohm @ 12.5a, 10V	2,5 V @ 1ma		+10 V, -20 V	1550 PF @ 10 V	- - -	35W (TC)
NP110N055PUJ-E1B-AY	5.9800	RFQ	1	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	175 ° C.	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-263-3	- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-NP110N055PUJ-E1B-AY	Ear99	8541.21.0095	51		N-Kanal	55 v	110a (TC)	10V	2,4 MOHM @ 55A, 10V	4v @ 250 ähm	230 NC @ 10 V.	± 20 V	14250 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 288W (TC)
UPA1760G-E1-AT	1.6000	RFQ	80	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit)	UPA1760	MOSFET (Metalloxid)	2W (TA)	8-Sop	- - -	Rohs Nick Konform	Verkäfer undefiniert	2156-upa1760g-e1-at	Ear99	8541.29.0075	1	2 n-kanal (dual)		30V	8a (ta)		26mohm @ 4a, 10V	2,5 V @ 1ma	14nc @ 10v		760PF @ 10V	- - -
RJK5035DPP-E0#T2	- - -	RFQ	5014	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	- - -			2156-RJK5035DPP-E0#T2			1		N-Kanal	500 V	10a (ta)	10V	850mohm @ 5a, 10V	5v @ 1ma	23 NC @ 10 V	± 30 v	765 PF @ 25 V.	- - -	29,5W (TA)
RJK0603DPN-E0#T2	- - -	RFQ	4152	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220abs	- - -			2156-RJK0603DPN-E0#T2			1		N-Kanal	60 v	80A (TA)	10V	5.2mohm @ 40a, 10V	4v @ 1ma	57 NC @ 10 V	± 20 V	4150 PF @ 10 V.	- - -	125W (TC)
Ka4f3r (0) -t1 -a	- - -	RFQ	3352	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet		Oberflächenhalterung	SC-75, SOT-416			200 MW	SC-75	- - -			2156-ka4f3r (0) -t1-a			1													50 v	100 ma	100NA (ICBO)	NPN - VORGEPANNT	200 mv @ 250 ua, 5 mA	95 @ 50 Ma, 5V		2.2 Kohms	47 Kohms
2SA673BTZ-E	- - -	RFQ	2996	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)				To-92	- - -			2156-2SA673BTZ-E			1															500NA (ICBO)	PNP	600mv @ 15ma, 150 mA	60 @ 10ma, 3v	- - -
2SB605-T-Az	- - -	RFQ	5729	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	3-ssip				- - -	- - -			2156-2SB605-T-Az			1															100NA (ICBO)	PNP	350 MV @ 50 Ma, 500 mA	90 @ 100 mA, 1V	120 MHz
2SK2109-T1-Az	0,3800	RFQ	6	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-243aa		MOSFET (Metalloxid)		SC-62	- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-2SK2109-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	60 v	500 mA (TA)	4 V, 10V	800MOHM @ 300 mA, 10V	2V @ 1ma		± 20 V	111 PF @ 10 V	- - -	2W (TA)
HAT2205C-el-e	0,2600	RFQ	3	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	6-smd, Flache Leitungen		MOSFET (Metalloxid)		6-cmfpak	Herunterladen	Rohs Nick Konform	Verkäfer undefiniert	2156-Hat2205c-el-e	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	12 v	3a (ta)	1,8 V, 4,5 V.	50 MOHM @ 1,5A, 4,5 V.	1,2 V @ 1ma	6 NC @ 4,5 V.	± 8 v	430 PF @ 10 V.	- - -	200 MW (TA)
RJK1002DPP-E0#T2	- - -	RFQ	6033	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	- - -			2156-RJK1002DPP-E0#T2			1		N-Kanal	100 v	80A (TA)	10V	7,6 MOHM @ 35A, 10V	4v @ 1ma	147 NC @ 10 V	± 20 V	10000 PF @ 10 V.	- - -	30W (TC)
2SB804-T1-Az	- - -	RFQ	6963	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet								- - -			2156-2SB804-T1-AZ			1
2SK3483-Az	1.4600	RFQ	3	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa		MOSFET (Metalloxid)		MP-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-2SK3483-Az	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	100 v	28a (ta)	4,5 V, 10 V.	52mohm @ 14a, 10V	2,5 V @ 1ma	49 NC @ 10 V.	± 20 V	2300 PF @ 10 V.	- - -	1W (TA), 40W (TC)
RJK0601DPN-E0#T2	3.5400	RFQ	1	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220abs	- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-RJK0601DPN-E0#T2	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	60 v	110a (ta)	10V	3,1 MOHM @ 55A, 10V	4v @ 1ma	141 NC @ 10 V	± 20 V	10000 PF @ 10 V.	- - -	200W (TC)
2SK2112W-T1-Az	- - -	RFQ	5869	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet								- - -			2156-2SK2112W-T1-AZ			1
HAT2195R-EL-E	- - -	RFQ	1128	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	- - -			2156-Hat2195r-el-e			1		N-Kanal	30 v	18a	4,5 V, 10 V.	5.8mohm @ 9a, 10V	2,5 V @ 1ma	23 NC @ 4,5 V.	± 20 V	3400 PF @ 10 V.	- - -	2.5W
2SK3357-A	4.0400	RFQ	294	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Metalloxid)		To-3p (MP-88)	- - -	Rohs Nick Konform	Verkäfer undefiniert	2156-2SK3357-A	Ear99	8541.29.0075	1		N-Kanal	60 v	75a (TA)	4 V, 10V	5.8mohm @ 38a, 10V	2,5 V @ 1ma	170 nc @ 10 v	± 20 V	9800 PF @ 10 V.	- - -	3W (TA), 150W (TC)
RJH1BF7DPQ-E0#T2	7.7000	RFQ	217	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet								- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-RJH1BF7DPQ-E0#T2	Ear99	8541.29.0095	1
UPA2702TP-E2-AZ	1.7500	RFQ	5	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Powersoic (0,173 ", 4,40 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-hsop	- - -	Rohs Nick Konform	UnberÜHrt Ereichen	2156-upa2702TP-E2-Az	Ear99	8541.21.0095	1		N-Kanal	30 v	14A (TA), 35A (TC)	4 V, 10V	9,5 MOHM @ 7A, 10V	2,5 V @ 1ma	9 NC @ 5 V	± 20 V	900 PF @ 10 V	- - -	3W (TA), 22W (TC)
RBK02P11GQT-0000#JCH	- - -	RFQ	2275	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet								- - -			2156-RBK02P11GQT-0000#JCH			1
2SK3354 (0) -Z-e1-ay	- - -	RFQ	9228	Renesas	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-263, to-220Smd	- - -			2156-2SK3354 (0) -Z-E1-ay			1		N-Kanal	60 v	83a (TC)	4 V, 10V	8mohm @ 42a, 10V	2,5 V @ 1ma	106 NC @ 10 V	± 20 V	6300 PF @ 10 V.	- - -	1,5 W (TA), 100 W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (226)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²