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Transistoren (226)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
NP28N10SDE-E1-AY Renesas NP28N10SDE-E1-AY 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 175 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) TO-252 (MP-3ZK) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-NP28N10SDE-e1-ay Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 28a (TC) 4,5 V, 10 V. 52mohm @ 14a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 75 NC @ 10 V ± 20 V 3300 PF @ 25 V. - - - 1,2 W (TA), 100 W (TC)
2SK3480(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3480 (0) -Z-E1-Az - - -
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263, to-220Smd - - - 2156-2SK3480 (0) -Z-E1-Az 1 N-Kanal 100 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 31mohm @ 25a, 10V 2,5 V @ 1ma 74 NC @ 10 V ± 20 V 3600 PF @ 10 V - - - 1,5 W (TA), 84W (TC)
2SD571-T-AZ Renesas 2SD571-T-Az - - -
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch 3-ssip - - - - - - 2156-2SD571-T-Az 1 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 2MA, 20 mA - - - 110 MHz
NP88N075EUE-E2-AY Renesas NP88N075EUE-e2-ay 4.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 175 ° C. Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-3 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-NP88N075EUE-E2-AY Ear99 8541.29.0095 62 N-Kanal 75 V 88a (TC) 10V 8.5Mohm @ 44a, 10V 4v @ 250 ähm 230 NC @ 10 V. ± 20 V 12300 PF @ 25 V. - - - 1,8W (TA), 288W (TC)
2SA1226(0)-T1B-A Renesas 2SA1226 (0) -T1B -A - - -
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 200 MW SC-59 - - - 2156-2SA1226 (0) -T1B-A 1 - - - 40V 30 ma PNP 40 @ 1ma, 10V 400 MHz 3,5 dB @ 1MHz
2SD1694(2)-S2-AZ Renesas 2SD1694 (2) -S2 -Az - - -
RFQ
 ECAD 6768 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SD1694 (2) -S2-Az 1
RJJ0621DPP-E0#T2 Renesas RJJ0621DPP-E0#T2 1.9200
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220fp Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-RJJ0621DPP-E0#T2 Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 25a (TC) 4,5 V, 10 V. 56mohm @ 12.5a, 10V 2,5 V @ 1ma +10 V, -20 V 1550 PF @ 10 V - - - 35W (TC)
NP110N055PUJ-E1B-AY Renesas NP110N055PUJ-E1B-AY 5.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 175 ° C. Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-NP110N055PUJ-E1B-AY Ear99 8541.21.0095 51 N-Kanal 55 v 110a (TC) 10V 2,4 MOHM @ 55A, 10V 4v @ 250 ähm 230 NC @ 10 V. ± 20 V 14250 PF @ 25 V. - - - 1,8W (TA), 288W (TC)
UPA1760G-E1-AT Renesas UPA1760G-E1-AT 1.6000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) UPA1760 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA) 8-Sop - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-upa1760g-e1-at Ear99 8541.29.0075 1 2 n-kanal (dual) 30V 8a (ta) 26mohm @ 4a, 10V 2,5 V @ 1ma 14nc @ 10v 760PF @ 10V - - -
2SK3483-Z-AZ Renesas 2SK3483-Z-Az 1.2100
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) MP-3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3483-Z-Az Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 28a (ta) 4,5 V, 10 V. 52mohm @ 14a, 10V 2,5 V @ 1ma 49 NC @ 10 V. ± 20 V 2300 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 40W (TC)
2SB804-D-T1-AZ Renesas 2SB804-T1-Az - - -
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-2SB804-T1-AZ 1
RJK0603DPN-E0#T2 Renesas RJK0603DPN-E0#T2 - - -
RFQ
 ECAD 4152 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220abs - - - 2156-RJK0603DPN-E0#T2 1 N-Kanal 60 v 80A (TA) 10V 5.2mohm @ 40a, 10V 4v @ 1ma 57 NC @ 10 V ± 20 V 4150 PF @ 10 V. - - - 125W (TC)
2SK3483-AZ Renesas 2SK3483-Az 1.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) MP-3 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3483-Az Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 28a (ta) 4,5 V, 10 V. 52mohm @ 14a, 10V 2,5 V @ 1ma 49 NC @ 10 V. ± 20 V 2300 PF @ 10 V. - - - 1W (TA), 40W (TC)
HR1A3M(0)-T1-AZ Renesas HR1A3M (0) -T1 -AZ - - -
RFQ
 ECAD 6926 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-243aa 2 w SC-62 - - - 2156-HR1A3M (0) -T1-Az 1 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 350 MV @ 10 mA, 500 mA 100 @ 500 mA, 2V 1 Kohms 1 Kohms
NP32N055SLE-E1-AY Renesas NP32N055SLE-E1-AY - - -
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 175 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) TO-252 (MP-3ZK) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-NP32N055SLE-E1-AY Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 55 v 32a (ta) 4,5 V, 10 V. 24MOHM @ 16A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 1,2 W (TA), 66 W (TC)
NP80N06MLG-S18-AY Renesas NP80N06MLG-S18-AY 2.0000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 175 ° C. K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) MP-25K Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-NP80N06MLG-S18-AY Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 8.6mohm @ 40a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 128 NC @ 10 V ± 20 V 6900 PF @ 25 V. - - - 1,8W (TA), 115W (TC)
2SK3575-AZ Renesas 2SK3575-Az 2.3800
RFQ
 ECAD 824 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SK3575-Az Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 30 v 83a (TC) 4,5 V, 10 V. 4,5 MOHM @ 42A, 10V 2,5 V @ 1ma 70 nc @ 10 v ± 20 V 3700 PF @ 10 V. - - - 1,5 W (TA), 105W (TC)
RJP60D0DPK-01#T0 Renesas RJP60D0DPK-01#T0 2.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Standard 140 w To-3p - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-RJP60D0DPK-01#T0 Ear99 8541.29.0095 1 300 V, 22a, 5ohm, 15 V. - - - 600 V 45 a 90 a 2,2 V @ 15V, 22a - - - 45 NC 35ns/90ns
RJK5012DPP-MG#T2 Renesas RJK5012DPP-MG#T2 2.3100
RFQ
 ECAD 478 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220fn Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-RJK5012DPP-MG#T2 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (ta) 10V 620mohm @ 6a, 10V 4,5 V @ 1ma 29 NC @ 10 V ± 30 v 1100 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1BF7RDPQ-80#T2 6.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 250 w To-247 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-RJH1BF7RDPQ-80#T2 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 1100 v 60 a 100 a 2,35 V @ 15V, 60a - - - - - -
UPA2782GR-E1-A Renesas UPA2782GR-E1-A 1.7700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-upa2782gr-e1-a Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 30 v 11a (ta) 4 V, 10V 15mohm @ 5,5a, 10V 2,5 V @ 1ma 7.1 NC @ 5 V ± 20 V 660 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
2SK2055-T1-AZ Renesas 2SK2055-T1-Az - - -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa MOSFET (Metalloxid) MP-2 - - - 2156-2SK2055-T1-Az 1 N-Kanal 100 v 2a (ta) 4 V, 10V 350Mohm @ 1a, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 650 PF @ 10 V - - - 2W (TA)
2SA1611(0)-T1-A Renesas 2SA1611 (0) -T1 -A - - -
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 SC-70 - - - 2156-2SA1611 (0) -T1-A 1 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 90 @ 1ma, 6v 180 MHz
UPA1727G-E1-A Renesas UPA1727G-E1-A - - -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Powersoic (0,173 ", 4,40 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Powersop - - - 2156-upa1727g-e1-a 1 N-Kanal 60 v 10a (ta) 4 V, 10V 19Mohm @ 5a, 10V 2,5 V @ 1ma 45 nc @ 10 v ± 20 V 2400 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
UPA2790GR-E1-AT Renesas UPA2790gr-e1-AT 0,9400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,173 ", 4,40 mm Breit) UPA2790 MOSFET (Metalloxid) 1.7W (TA) 8-Sop Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-upa2790gr-e1-at Ear99 8541.29.0095 1 N und p-kanal 30V 6a (ta) 28mohm @ 3a, 10V, 60MOHM @ 3a, 10 V. 2,5 V @ 1ma 12.6nc @ 10v, 11nc @ 10v 500pf @ 10v, 460pf @ 10v - - -
2SC4942(0)-T1-AZ Renesas 2SC4942 (0) -T1 -Az - - -
RFQ
 ECAD 9149 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa MP-2 - - - 2156-2SC4942 (0) -T1-Az 1 10 µA (ICBO) Npn 1v @ 80 mA, 400 mA 30 @ 100 Ma, 5V 30 MHz
UPA2701WTP-E1-AZ Renesas UPA2701WTP-E1-AZ - - -
RFQ
 ECAD 8096 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet - - - 2156-upa2701wtp-e1-Az 1
2SJ532-E Renesas 2SJ532-e 1.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220cfm - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SJ532-E Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 20a (ta) 4 V, 10V 55mohm @ 10a, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 1750 PF @ 10 V - - - 30W (TC)
2SK3899(0)-ZK-E1-AY Renesas 2SK3899 (0) -ZK-e1-ay - - -
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-3 - - - 2156-2SK3899 (0) -ZK-e1-ay 1 N-Kanal 60 v 84a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.3mohm @ 42a, 10V 2,5 V @ 1ma 96 NC @ 10 V ± 20 V 5500 PF @ 10 V. - - - 1,5 W (TA), 146 W (TC)
2SJ328-Z-E1-AZ Renesas 2SJ328-Z-E1-Az - - -
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 Renesas - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C. Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-220Smd - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2156-2SJ328-Z-E1-Az Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 20a (ta) 4 V, 10V 60MOHM @ 10a, 10V 2V @ 1ma 85 NC @ 10 V ± 20 V 2150 PF @ 10 V - - - 1,5 W (TA), 75 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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