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Transistoren (225)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT2907A | 0,1200 |  | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||
 | GSFP1526 | 0,8500 | | 3 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (5.1x5.71) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (TC) | 10V | 51mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1620 PF @ 80 V | - - - | 101W (TC) | ||||||||||
 | GSF7002DW | 0,2400 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW (TA) | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 N-Kanal | 60 v | 340 Ma (TA) | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | - - - | 40pf @ 10v | Standard | ||||||||||||
 | SSF3912s | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 24MOHM @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 500 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TC) | ||||||||||
| GSGP03150 | 1.1300 | | 4965 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,9 MOHM @ 75A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 3372 PF @ 15 V | - - - | 85W (TC) | ||||||||||
| SSF6007 | 0,2100 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 130 Ma (TC) | 10V | 7ohm @ 130 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 45 PF @ 5 V. | - - - | 230 MW (TC) | |||||||||||
 | GSFT06130 | 2.8600 | | 1 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263 (D2pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 800 | P-Kanal | 60 v | 140a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 50a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 420 NC @ 10 V | ± 20 V | 24000 PF @ 25 V. | - - - | 183W (TC) | ||||||||||
| SSF2311s | 0,3900 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 50mohm @ 3a, 4,5 V. | - - - | 13 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 1230 PF @ 10 V | - - - | 1,56W (TC) | ||||||||||
| BC857B | 0,1000 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||
 | GSF0301 | 0,2600 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 600 Ma (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 500MOHM @ 300 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 5,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 146 PF @ 15 V | - - - | 310 MW (TC) | ||||||||||
 | SSFN3964 | 0,5400 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 64a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 3800 PF @ 15 V | - - - | 44,6W (TC) | ||||||||||
 | SSFD3906 | 0,4100 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 (dpak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.1 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1160 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TC) | ||||||||||
| GSFP6886 | 0,8500 | | 3 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 67W (TC) | 8-PPAK (5.1x5.71) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 N-Kanal | 65 V | 45a (TC) | 13mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1890pf @ 30v | Standard | ||||||||||||
 | GSBC847BM | 0,2000 | | 20 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 250 MW | SOT-883 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||
| MMBT2222A | 0,1400 | | 2 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||
| GSF3400 | 0,3000 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.6a (TA) | 2,5 V, 10 V. | 27mohm @ 5.6a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 4,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 535 PF @ 15 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||
 | GSFQ1504 | 0,9300 | | 3 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 4a (ta) | 10V | 50mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1620 PF @ 80 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||
 | GSFP0365 | 0,5800 | | 4 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (4,89 x 5,74) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 4.000 | P-Kanal | 30 v | 64a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 64,3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1360 PF @ 15 V | - - - | 56,8W (TC) | ||||||||||
| SSF2314 | 0,4000 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.8a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mohm @ 4a, 4,5 V. | - - - | 11 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 775 PF @ 10 V. | - - - | 1,56W (TC) | ||||||||||
 | GSFN3908 | 0,4500 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 48a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 16a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||||||
| GSFC0202 | 0,3200 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,45a (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 300 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 75 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||
| GSJD6505 | 0,8500 | | 2 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 (dpak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 5a (TC) | 10V | 900mohm @ 2,5a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 370 PF @ 50 V | - - - | 46W (TC) | ||||||||||
| SSFB2310L | 0,4100 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | MOSFET (Metalloxid) | 6-dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 9,9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 13mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 1480 PF @ 10 V. | - - - | 2.01W (TA) | ||||||||||
| SSFP4806 | 0,8100 | | 3 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 46W (TC) | 8-PPAK (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 N-Kanal | 40V | 30a (TC) | 9mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 24nc @ 4,5 V | 2200PF @ 25V | Standard | ||||||||||||
 | GSBCP53-10 | 0,4300 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 2.500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||
| BC807-40 | 0,1000 | | 4 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||
| GSBCX53 | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89-3L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 50 MHz | ||||||||||||||
| GSFKW0202 | 0,2800 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 70 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 2,9 NC @ 10 V. | ± 10 V | 280 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||
| GSBCX56-16 | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89-3L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | ||||||||||||||
| BC846B | 0,1000 | | 735 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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