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Transistoren (225)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GSFP1036 | 0,6200 |  | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (5.1x5.71) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1030 PF @ 50 V | - - - | 68W (TC) | |||||||||||
| GSFP1040 | 0,6600 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (5.1x5.71) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 10V | 18mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 50 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||||
 | GSFH0970 | 3.1000 | | 1 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Rohr | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4786-GSFH0970 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | N-Kanal | 100 v | 160a (TC) | 10V | 3,5 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 450 NC @ 10 V | ± 20 V | 26000 PF @ 25 V. | - - - | 208W (TC) | ||||||||||
 | SSFL6912 | 0,3900 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 30 V | - - - | 1.79W (TA) | |||||||||||
 | GSFP0446 | 0,5800 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (3.1x3.05) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 45a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7,2 MOHM @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 20 V | - - - | 33W (TC) | |||||||||||
| SSFL0954 | 0,4800 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 1.7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 310mohm @ 1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 800 PF @ 25 V. | - - - | 1.76W (TC) | |||||||||||
 | GSBCP54-16 | 0,4300 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 2.500 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | SSF2145CH6 | 0,4300 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 1.7W | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | - - - | 20V | 4,8a (TC), 2,9a (TC) | 55mohm @ 3,6a, 4,5 V, 80MOHM @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 420pf @ 10v | Standard | |||||||||||||
| SSFL0956 | 0,4100 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 120 MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | - - - | 5.2W (TC) | ||||||||||||
| GSFD1550 | 1.9800 | | 2 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 (dpak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 50a (TC) | 10V | 22mohm @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 3450 PF @ 75 V | - - - | 133W (TC) | |||||||||||
 | GSFW0202 | 0,2200 | | 20 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-883 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 1,4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 230mohm @ 550 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 43 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||
 | GSFK0501E | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 P-Kanal | 50V | 180 ma (ta) | 4OHM @ 150 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 530pc @ 10v | 25.2PF @ 25V | Standard | |||||||||||||
 | GS2N7002KW | 0,2400 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 340 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2,5OHM @ 300 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 2,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 18 PF @ 30 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||||
 | GSFK0502 | 0,3800 | | 3 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 N-Kanal | 50V | 300 mA (TA) | 4OHM @ 300 mA, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 0,58 NC @ 4,5 V | 12pf @ 30v | Standard | |||||||||||||
 | GSFC0204 | 0,3300 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,2 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 360 PF @ 15 V | - - - | 1,56W (TC) | |||||||||||
| GSFB0305 | 0,4400 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W (TA), 7,4W (TC) | 6-PPAK (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 P-Kanal | 30V | 4,2a (TA), 8a (TC) | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10nc @ 4,5 V | 820pf @ 15V | - - - | |||||||||||||
 | GSF2301 | 0,2600 | | 2 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 110MOHM @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 12 NC @ 2,5 V. | ± 12 V | 405 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||
| SSF2215 | 0,4100 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 1,25W (TA) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 P-Kanal | 20V | 3a (ta) | 85mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 8nc @ 4,5 V | 510pf @ 15V | Standard | |||||||||||||
| SSFD20N08 | 0,6300 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 (dpak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 8a (TC) | 10V | 300 MOHM @ 4,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 540 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | |||||||||||
| BSS84 | 0,1500 | | 4 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 130 mA (ta) | 5v, 10V | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2v @ 250 ähm | ± 20 V | 30 PF @ 5 V | - - - | 225 MW | ||||||||||||
 | SSFN4903 | 0,5800 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 52W (TC) | |||||||||||
| GSFC0603 | 0,4600 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 95mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 1178 PF @ 30 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||||||||
 | SSFQ6810 | 0,5100 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 2.1W (TC) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 N-Kanal | 60 v | 5a (TC) | 54mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 21nc @ 10v | 1300PF @ 25V | Standard | |||||||||||||
 | S3134K | 0,2200 | | 16 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 8.000 | N-Kanal | 20 v | 750 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 380MOHM @ 650 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | ± 12 V | 120 PF @ 16 V. | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||
| MMBTA92 | 0,2000 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 200 ma | 250na (ICBO) | PNP | 200mv @ 2ma, 20 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 50 MHz | |||||||||||||||
| GSFC02501 | 0,1900 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | P-Kanal | 25 v | 850 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 640MOHM @ 550 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,8 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 58 PF @ 10 V. | - - - | 690 MW (TA) | |||||||||||
| SSFB12N05 | 0,4700 | | 8 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W (TA) | 6-dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 4.000 | N-und p-kanal-krementär | 12V | 5a (ta) | 32MOHM @ 5A, 4,5 V, 74 MOHM @ 4,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,6nc @ 4,5V, 9,2nc @ 4,5 V | 495PF @ 6v, 520pf @ 6v | Standard | |||||||||||||
| BSS138 | 0,1800 | | 1 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 220 Ma (TJ) | 4,5 V, 10 V. | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 2,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 430 MW | |||||||||||
 | GSFP0341 | 0,5400 | | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (5.1x5.71) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17.8mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1650 PF @ 15 V | - - - | 53W (TC) | |||||||||||
 | SSF2320Y | 0,2600 | | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 800 Ma (TC) | 1,2 V, 4,5 V. | 300 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 75 PF @ 10 V. | - - - | 312mw (TC) |
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