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Transistoren (257)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM40N100LD | 0,3800 |  | 7839 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM40N100LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 10V | 17mohm @ 28a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 3400 PF @ 30 V | - - - | 140W (TC) | |||||||||||||||
 | RM70P30DF | 0,2900 | | 1320 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM70P30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 30 v | 70a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7.2Mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 3450 PF @ 25 V. | - - - | 90W (TA) | |||||||||||||||
 | RM1505s | 0,3900 | | 3397 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM1505str | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 150 v | 5.1a (ta) | 10V | 65mohm @ 5.1a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 730 PF @ 75 V | - - - | 3W (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||
| RM12N650LD | 0,5400 | | 1516 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM12N650LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 650 V | 11,5a (TC) | 10V | 360mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 870 PF @ 50 V | - - - | 101W (TC) | |||||||||||||||
| RM35P30LDV | 0,1980 | | 8698 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM35P30LDVTR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 1345 PF @ 15 V | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||
 | RM180N60T2 | 0,7300 | | 2096 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM180N60T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 180a (TC) | 10V | 2,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4500 PF @ 30 V | - - - | 220W (TC) | |||||||||||||||
| RM6N800T2 | 0,8200 | | 9372 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM6N800T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 1320 PF @ 50 V | - - - | 98W (TC) | |||||||||||||||
| RM10N40S8 | 0,2900 | | 1604 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RM10N | MOSFET (Metalloxid) | 2.1W (TC) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM10N40S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 10a (TC) | 15mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 4,5 v | 2000pf @ 20V | - - - | |||||||||||||||
 | RMA7N20ED1 | 0,0290 | | 9077 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RMA7N20ED1TR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 20 v | 700 Ma (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 260 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | ± 8 v | 40 PF @ 10 V | - - - | 550 MW (TA) | |||||||||||||||
| RM10N100LD | 0,1480 | | 2964 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM10N100LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 100 v | 10a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 130mohm @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | ± 20 V | 730 PF @ 50 V | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||
| RM80N80T2 | 0,5200 | | 3910 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM80N80T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 80 v | 80A (TA) | 10V | 8.5Mohm @ 40a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4100 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TA) | |||||||||||||||
 | RM60P04Y | 0,1200 | | 6387 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM60P04YTR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 60 v | 4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 120 MOHM @ 4A, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 930 PF @ 30 V | - - - | 1,5 W (TC) | |||||||||||||||
 | DTC123JUA | 0,0410 | | 9963 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC123 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-DTC123JUATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 24.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 46,2 Kohms | |||||||||||||||
| RM150N30LT2 | 0,2800 | | 9826 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM150N30LT2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 3400 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||
| RM42N200DF | 1.2400 | | 5658 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM42N200DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 200 v | 42a (TC) | 10V | 32mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 1598 PF @ 100 V | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||
 | RM5N650IP | 0,4500 | | 6616 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM5N650IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 650 V | 5a (TC) | 10V | 900mohm @ 2,5a, 10 V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 460 PF @ 50 V | - - - | 49W (TC) | |||||||||||||||
| BSS127 | 0,0390 | | 5738 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-BSS127TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 600 V | 21 ma (ta) | 4,5 V, 10 V. | 500ohm @ 16ma, 10V | 2,6 V @ 8 ähm | ± 20 V | 28 PF @ 25 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||
 | RM2004ne | 0,0900 | | 9814 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | RM2004 | MOSFET (Metalloxid) | 1,25W (TA) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2004netr | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6a (ta) | 24MOHM @ 6a, 10V | 1V @ 250 ähm | 8nc @ 4,5 V | 650pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||
| RM4077S8 | 0,2600 | | 3036 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RM4077 | MOSFET (Metalloxid) | 2,5 W (TC) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM4077S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | N und p-kanal | 40V | 6,7A (TC), 7,2a (TC) | 32mohm @ 5a, 10V, 40Mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 5,6nc @ 4,5V, 16nc @ 4,5 V. | 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||
 | RM50N30DN | 0,2400 | | 1488 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM50N30DNTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 30 v | 50a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 12A, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 1840 PF @ 25 V. | - - - | 3.57W (TA) | |||||||||||||||
| RM130N100T2 | 0,6900 | | 9163 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM130N100T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 130a (TC) | 10V | 5.5Mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4570 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||
| RM30N100T2 | 0,3900 | | 2008 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM30N100T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 30a (TC) | 10V | 28mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | |||||||||||||||
| RM2301 | 0,0420 | | 2341 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2301TR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 110MOHM @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 405 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||
| RM4N700LD | 0,3500 | | 4905 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM4N700LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 700 V | 4a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 2a, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 280 PF @ 50 V | - - - | 46W (TC) | |||||||||||||||
| RM3407 | 0,1200 | | 7167 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM3407TR | 8541.10.0080 | 12.000 | P-Kanal | 30 v | 4.3a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 52mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 700 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||
| RM90N40DF | 0,4100 | | 8078 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM90N40DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 40 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 5400 PF @ 20 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||||
| RM40P40LD | 0,2600 | | 1155 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM40P40LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 10V | 14mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 2960 PF @ 20 V | - - - | 80W (TC) | |||||||||||||||
| RM8205f | 0,0680 | | 8238 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | RM8205 | MOSFET (Metalloxid) | 1.14W (TA) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM8205ftr | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 6a (ta) | 17MOHM @ 1A, 4,5 V, 20MOHM @ 6A, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | - - - | 1035PF @ 20V | - - - | |||||||||||||||
 | RM80N80HD | 0,5200 | | 6436 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM80N80HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 80 v | 80A (TA) | 10V | 8.5Mohm @ 40a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4400 PF @ 25 V. | - - - | 170W (TA) | |||||||||||||||
| RM8N700T2 | 0,6800 | | 4384 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM8N700T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 680 PF @ 50 V | - - - | 80W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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