SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C
RM5N40S2 Rectron USA RM5N40S2 0,0690
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM5N40S2TR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 40 v 5a (ta) 4,5 V, 10 V. 32mohm @ 4a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 593 PF @ 15 V - - - 1,25W (TA)
RM138 Rectron USA RM138 0,0320
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM138TR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 50 v 220 Ma (TA) 4,5 V, 10 V. 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. 1,4 V @ 250 ähm ± 20 V 27 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TA)
RM80N30DF Rectron USA RM80N30DF 0,1600
RFQ
ECAD 3287 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 8-dfn (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM80N30DFTR 8541.10.0080 40.000 N-Kanal 30 v 81a (TC) 4,5 V, 10 V. 5,5 MOHM @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 2295 PF @ 15 V - - - 59W (TC)
RM45N600T7 Rectron USA RM45N600T7 2.9000
RFQ
ECAD 7621 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM45N600T7 8541.10.0080 1.800 N-Kanal 600 V 44,5a (TJ) 10V 90 MOHM @ 15.6A, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 2808 PF @ 100 V - - - 431W
RM120N30T2 Rectron USA RM120N30T2 0,3300
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM120N30T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 30 v 120a (ta) 10V 3,5 MOHM @ 20A, 10V 3v @ 250 ähm ± 20 V 3550 PF @ 25 V. - - - 120W (TA)
RM052N100DF Rectron USA RM052N100DF 0,6500
RFQ
ECAD 7185 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 8-dfn (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM052N100DFTR 8541.10.0080 40.000 N-Kanal 100 v 70a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.5MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm +20V, -12v 9100 PF @ 25 V. - - - 142W (TC)
RM100N65DF Rectron USA RM100N65DF 0,6500
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 8-dfn (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM100N65DFTR 8541.10.0080 40.000 N-Kanal 65 V 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,8 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm +20V, -12v 9500 PF @ 25 V. - - - 142W (TC)
RM2003 Rectron USA RM2003 0,0620
RFQ
ECAD 9948 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 RM200 MOSFET (Metalloxid) 800 MW (TA) SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2003TR 8541.10.0080 30.000 N und p-kanal 20V 3a (ta) 35MOHM @ 3a, 4,5 V, 75MOHM @ 2,5A, 4,5 V. 1,2 V @ 250 UA, 1 V @ 250 µA 5nc @ 4,5V, 3,2nc @ 4,5 V. 260pf @ 10v, 325PF @ 10v - - -
RM80N100AT2 Rectron USA RM80N100AT2 0,5500
RFQ
ECAD 8599 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM80N100AT2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 100 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 8.5Mohm @ 40a, 10V 4v @ 250a ± 20 V 5480 PF @ 50 V - - - 125W (TC)
RM1216 Rectron USA RM1216 0,1200
RFQ
ECAD 9882 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-WDFN Exponierte Pad MOSFET (Metalloxid) 6-dfn (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM1216TR 8541.10.0080 25.000 P-Kanal 12 v 16a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 18mohm @ 6.7a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 12 V 2700 PF @ 10 V - - - 18W (TC)
RM75N60T2 Rectron USA RM75N60T2 0,3600
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM75N60T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 60 v 75a (TC) 10V 11,5 MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 2350 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
2N7002KA Rectron USA 2N7002KA 0,0420
RFQ
ECAD 3372 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-2N7002KATR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 60 v 115 Ma (TA) 5v, 10V 3OHM @ 500 mA, 10V 2v @ 250 ähm ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 225 MW (TA)
RM40N40LD Rectron USA RM40N40LD 0,1450
RFQ
ECAD 4107 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM40N40LDTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 40 v 42a (TC) 4,5 V, 10 V. 11,5 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 1314 PF @ 15 V - - - 34.7W (TC)
RM40N600T7 Rectron USA RM40N600T7 1.3200
RFQ
ECAD 1226 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 RM40N Standard 306 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM40N600T7 8541.10.0080 300 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. 151 ns TRABENFELD STOPP 600 V 80 a 160 a 2v @ 15V, 40a 1,12 MJ (EIN), 610 µJ (AUS) 149 NC 21ns/203ns
RM4N700IP Rectron USA RM4N700IP 0,3500
RFQ
ECAD 1818 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM4N700IP 8541.10.0080 4.000 N-Kanal 700 V 4a (TC) 10V 1,4ohm @ 2a, 10 V. 3,5 V @ 250 ähm ± 30 v 280 PF @ 50 V - - - 46W (TC)
RM12N100S8 Rectron USA RM12N100S8 0,3800
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM12N100S8TR 8541.10.0080 40.000 N-Kanal 100 v 12a (ta) 4,5 V, 10 V. 10mohm @ 12a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 2250 PF @ 50 V - - - 3.1W (TA)
RM5N800LD Rectron USA RM5N800LD 0,6900
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM5N800LDTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 800 V 5a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. 3,5 V @ 250 ähm ± 30 v 680 PF @ 50 V - - - 81W (TC)
RM210N75HD Rectron USA RM210N75HD 0,9200
RFQ
ECAD 2322 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM210N75HDTR 8541.10.0080 8.000 N-Kanal 75 V 210a (TC) 10V 4mohm @ 40a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 11000 PF @ 25 V. - - - 330W (TC)
RM4503S8 Rectron USA RM4503S8 0,1900
RFQ
ECAD 1978 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) RM4503 MOSFET (Metalloxid) 2,5 W (TA) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM4503S8TR 8541.10.0080 40.000 N und p-kanal 30V 10a (ta), 9,1a (ta) 10MOHM @ 10a, 10V, 20MOHM @ 9.1A, 10V 3v @ 250 ähm 13nc @ 4,5v, 30nc @ 10v 1550pf @ 15V, 1600pf @ 15V - - -
RMP3N90LD Rectron USA Rmp3n90ld 0,3300
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RMP3N90LD 8541.10.0080 4.000 N-Kanal 900 V 3a (TC) 10V 3,2OHM @ 1,5A, 10 V 5 V @ 250 ähm ± 30 v 850 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
RM25N30DN Rectron USA RM25N30DN 0,1400
RFQ
ECAD 8606 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 8-dfn-ep (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM25N30DNTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 30 v 25a (TC) 4,5 V, 10 V. 10mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm ± 20 V 1530 PF @ 15 V - - - 25W (TC)
RM70P40LD Rectron USA RM70P40LD 0,3800
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM70P40LD 8541.10.0080 4.000 P-Kanal 40 v 70a (TC) 10V 10Mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 5380 PF @ 20 V - - - 130W (TC)
RM2301E Rectron USA RM2301E 0,0410
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2301etr 8541.10.0080 30.000 P-Kanal 20 v 2.6a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 120 MOHM @ 2A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 10 V 325 PF @ 10 V. - - - 1W (TA)
RM17N800T2 Rectron USA RM17N800T2 1.5300
RFQ
ECAD 9008 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM17N800T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 800 V 17a (ta) 10V 320mohm @ 8.5a, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 2060 PF @ 50 V - - - 260W (TC)
RM3400 Rectron USA RM3400 0,4100
RFQ
ECAD 7462 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM3400TR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 30 v 5.8a (ta) 2,5 V, 10 V. 41mohm @ 5.8a, 10V 1,4 V @ 250 ähm ± 12 V 820 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
RM130N100HD Rectron USA RM130N100HD 0,7000
RFQ
ECAD 4397 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM130N100HDTR 8541.10.0080 8.000 N-Kanal 100 v 130a (TC) 10V 5.5Mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 4570 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
RM120N60T2 Rectron USA RM120N60T2 0,5500
RFQ
ECAD 2318 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM120N60T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 60 v 120a (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 60a, 10V 2,4 V @ 250 ähm ± 20 V 4000 PF @ 30 V - - - 180W (TC)
RM21N650T2 Rectron USA RM21N650T2 1.2500
RFQ
ECAD 7279 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM21N650T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 650 V 21a (TC) 10V 180 MOHM @ 10,5a, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 2600 PF @ 50 V - - - 188W (TC)
RM80N60DF Rectron USA RM80N60DF 0,5500
RFQ
ECAD 2083 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 8-dfn (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM80N60DFTR 8541.10.0080 40.000 N-Kanal 60 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 40a, 10V 2,4 V @ 250 ähm ± 20 V 4000 PF @ 30 V - - - 85W (TC)
RM21N650TI Rectron USA RM21N650TI 1.2500
RFQ
ECAD 1150 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM21N650TI 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 650 V 21a (TC) 10V 180 MOHM @ 10,5a, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 2600 PF @ 50 V - - - 33.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus