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Transistoren (257)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM15N650T2 | 0,9200 |  | 4091 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM15N650T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 260mohm @ 8a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 1360 PF @ 50 V | - - - | 145W (TC) | |||||||||||||||
 | CMBT2907A-T | 0,0240 | | 2763 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-CMBT2907A-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 200 MHz | |||||||||||||||||
 | RM2304 | 0,0450 | | 4923 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2304TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 30 v | 3.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 58mohm @ 3,6a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | ± 20 V | 230 PF @ 15 V | - - - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||
 | RM12N100LD | 0,1600 | | 6776 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM12N100LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 100 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 112mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 1535 PF @ 15 V | - - - | 34.7W (TC) | |||||||||||||||
 | RM25P30S8 | 0,3500 | | 8986 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM25P30S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 30 v | 25a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 3960 PF @ 15 V | - - - | 3,5 W (TA) | |||||||||||||||
| RM2P60S2 | 0,0390 | | 2132 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2P60S2TR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 60 v | 1,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 215mohm @ 1,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 358 PF @ 30 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||
 | Rmd0a8p20es9 | 0,0600 | | 7140 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RMD0A8 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW (TA) | SOT-363-6L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RMD0A8P20ES9TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 800 mA (TA) | 1,2OHM @ 500 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,0018c @ 4,5 V | 87PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||
 | RM5N800IP | 0,6900 | | 4172 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM5N800IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 680 PF @ 50 V | - - - | 81W (TC) | |||||||||||||||
| RM50N60T2 | 0,2400 | | 2291 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM50N60T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 2050 PF @ 30 V | - - - | 85W (TC) | |||||||||||||||
 | RM2A8N60S4 | 0,1100 | | 9497 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2A8N60S4TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 60 v | 2.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 100mohm @ 2,5a, 10 V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 715 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||
| RM140N150T2 | 1.5100 | | 2150 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM140N150T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 150 v | 140a (TC) | 10V | 6,2 MOHM @ 70A, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 5900 PF @ 75 V | - - - | 320W (TC) | |||||||||||||||
| RM75N60LD | 0,2900 | | 6542 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM75N60LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 10V | 11,5 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 2350 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | |||||||||||||||
| RM180N100T2 | 1.5100 | | 5783 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM180N100T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 180a (TC) | 10V | 3mohm @ 100a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 1150 PF @ 50 V | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||
| RM2N650LD | 0,3000 | | 3845 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2N650LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 650 V | 2a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 1a, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 190 PF @ 50 V. | - - - | 23W (TC) | |||||||||||||||
 | DTC123JKA | 0,0410 | | 8984 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-DTC123JKATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 30.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 46,2 Kohms | |||||||||||||||
| RM13P40S8 | 0,2700 | | 7991 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM13P40S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 40 v | 13a (ta) | 10V | 15mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 2800 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||
| RM6N800IP | 0,7000 | | 8536 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM6N800IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 1290 PF @ 50 V | - - - | 98W (TC) | |||||||||||||||
| RM2303 | 0,0450 | | 2195 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2303TR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 30 v | 2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 130MOHM @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 226 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||
 | RMA7P20ED1 | 0,0290 | | 7509 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RMA7P20ED1TR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 20 v | 700 Ma (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 420mohm @ 500 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 8 v | 52 PF @ 4 V. | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||
 | RM35N30DN | 0,2500 | | 1173 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM35N30DNTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 12A, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 1265 PF @ 15 V | - - - | 35W (TC) | |||||||||||||||
 | RM30N250DF | 1.2100 | | 4091 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM30N250DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 250 V | 29a (TC) | 10V | 64mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 1584 PF @ 100 V | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||
| RM50N60IP | 0,2200 | | 1701 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM50N60IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 80W (TC) | |||||||||||||||
| RM42P30DN | 0,1550 | | 4027 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM42P30DNTR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 30 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 2215 PF @ 15 V | - - - | 37W (TC) | |||||||||||||||
| RM100N30DF | 0,3600 | | 1653 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM100N30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 5000 PF @ 15 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||||
 | RM21N650T7 | 1.6000 | | 1597 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM21N650T7 | 8541.10.0080 | 1.800 | N-Kanal | 650 V | 21a (TC) | 10V | 180 MOHM @ 10,5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 1950 PF @ 50 V | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||
| RM100N60T7 | 0,6800 | | 4789 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM100N60T7 | 8541.10.0080 | 1.800 | N-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 10V | 6,5 MOHM @ 40A, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4800 PF @ 30 V | - - - | 170W (TC) | |||||||||||||||
| RM2305b | 0,0390 | | 9804 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2305BTR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta), 4,1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 52mohm @ 4,1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 740 PF @ 4 V. | - - - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||
| RM130N200T2 | 3.8400 | | 4306 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM130N200T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 200 v | 132a (TC) | 10V | 11Mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4970 PF @ 100 V | - - - | 429W (TC) | |||||||||||||||
 | RM8N650TI | 0,5200 | | 1596 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM8N650TI | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 650 V | 8a (TJ) | 10V | 450Mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 680 PF @ 50 V | - - - | 31.7W (TC) | |||||||||||||||
| RM12N650IP | 0,5400 | | 5130 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM12N650IP | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 650 V | 11,5a (TC) | 10V | 360mohm @ 7a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 870 PF @ 50 V | - - - | 101W (TC) |
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