SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max)
RM4N650T2 Rectron USA RM4N650T2 0,4500
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM4N650T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 650 V 4a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. 3,5 V @ 250 ähm ± 30 v 280 PF @ 50 V - - - 46W (TC)
RM11N800T2 Rectron USA RM11N800T2 1.4400
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM11N800T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 800 V 11a (TC) 10V 420mohm @ 5,5a, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 2600 PF @ 50 V - - - 188W (TC)
RM8N650LD Rectron USA RM8N650LD 0,5200
RFQ
ECAD 4458 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM8N650LDTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 650 V 8a (TC) 10V 540Mohm @ 4a, 10V 3,5 V @ 250 ähm ± 30 v 680 PF @ 50 V - - - 80W (TC)
RM6602 Rectron USA RM6602 0,1300
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 RM660 MOSFET (Metalloxid) 1.2W (TA) TSOT-23-6L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM6602TR 8541.10.0080 30.000 N und p-kanal 30V 3,5a (TA), 2,7a (TA) 58mohm @ 3,5a, 10 V, 100MOHM @ 2,7a, 10 V 2,2 V bei 250 UA, 2,5 V @ 250 µA 5nc @ 10v 210pf @ 15V, 199pf @ 15V - - -
RM4P30S6 Rectron USA RM4P30S6 0,0520
RFQ
ECAD 2091 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM4P30S6TR 8541.10.0080 30.000 P-Kanal 30 v 4.2a (TA) 2,5 V, 10 V. 55mohm @ 4.2a, 10V 1,3 V @ 250 ähm ± 12 V 880 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
RM15P55LD Rectron USA RM15P55LD 0,2800
RFQ
ECAD 7424 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM15P55LDTR 8541.10.0080 25.000 P-Kanal 55 v 15a (TC) 10V 75mohm @ 5a, 10V 3,5 V @ 250 ähm ± 20 V 1450 PF @ 20 V - - - 35W (TC)
RM6N800LD Rectron USA RM6N800LD 0,7000
RFQ
ECAD 3906 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM6N800LDTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 800 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4v @ 250 ähm ± 30 v 1290 PF @ 50 V - - - 98W (TC)
RM50N200T2 Rectron USA RM50N200T2 1.2200
RFQ
ECAD 3702 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM50N200T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 200 v 51a (TC) 10V 32mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 1598 PF @ 100 V - - - 214W (TC)
RM4N650LD Rectron USA RM4N650LD 0,3300
RFQ
ECAD 3330 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM4N650LDTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 650 V 4a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. 3,5 V @ 250 ähm ± 30 v 280 PF @ 50 V - - - 46W (TC)
RM2020ES9 Rectron USA RM2020ES9 0,0550
RFQ
ECAD 9570 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RM2020 MOSFET (Metalloxid) 150 MW (TA), 800 MW (TA) SOT-363-6L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2020es9tr 8541.10.0080 30.000 N und p-kanal 20V 750 Ma (TA), 800 Ma (TA) 1,2OHM @ 500 mA, 4,5 V, 380 MOHM @ 650 Ma, 4,5 V. 1 V @ 250 UA, 1,1 V @ 250 µA 0,0018nc @ 10v, 0,75nc @ 4,5 V. 87pf @ 10v, 120pf @ 16v - - -
RM100N60T2 Rectron USA RM100N60T2 0,3500
RFQ
ECAD 6793 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM100N60T2TR 8541.10.0080 4.000 N-Kanal 60 v 100a (TC) 10V 6,5 MOHM @ 40A, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 4800 PF @ 30 V - - - 170W (TC)
RM3401 Rectron USA RM3401 0,0440
RFQ
ECAD 3553 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM3401TR 8541.10.0080 30.000 P-Kanal 30 v 4.2a (TA) 2,5 V, 10 V. 55mohm @ 4.2a, 10V 1,3 V @ 250 ähm ± 12 V 880 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
RM830 Rectron USA RM830 0,2400
RFQ
ECAD 2168 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM830 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 500 V 5a (TC) 10V 1,4OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm ± 30 v 900 PF @ 25 V. - - - 87,5W (TC)
RM3N700S4 Rectron USA RM3N700S4 0,2900
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM3N700S4TR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 700 V 3a (TC) 10V 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. 4v @ 250 ähm ± 20 V 225 PF @ 100 V - - - 6.2W (TC)
RMD7N40DN Rectron USA Rmd7n40dn 0,2400
RFQ
ECAD 1566 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn Rmd7n MOSFET (Metalloxid) 1,9W (TA), 12W (TC) 8-DFN (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RMD7N40DNTR 8541.10.0080 25.000 2 n-kanal (dual) 40V 7a (ta), 20a (TC) 20mohm @ 7a, 10V 3v @ 250 ähm 11nc @ 10v 720PF @ 20V - - -
RM80N60LD Rectron USA RM80N60LD 0,3100
RFQ
ECAD 7058 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM80N60LDTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 60 v 80A (TC) 10V 8.5Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 4000 PF @ 30 V - - - 110W (TC)
RM2309E Rectron USA RM2309E 0,0540
RFQ
ECAD 4943 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2309etr 8541.10.0080 30.000 P-Kanal 30 v - - - 4,5 V, 10 V. 38mohm @ 1a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V - - - - - -
RM30P55LD Rectron USA RM30P55LD 0,3300
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM30P55LDTR 8541.10.0080 25.000 P-Kanal 55 v 30a (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 3500 PF @ 30 V - - - 65W (TC)
RM24N200TI Rectron USA RM24N200TI 0,4400
RFQ
ECAD 3535 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM24N200TI 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 220 V 24a (ta) 10V 80MOHM @ 15a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 45W (TA)
RM3010 Rectron USA RM3010 0,1300
RFQ
ECAD 6757 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM3010TR 8541.10.0080 40.000 N-Kanal 30 v 10a (ta) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm ± 20 V 1550 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA)
RM3401Y Rectron USA RM3401y 0,0460
RFQ
ECAD 5047 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM3401Ytr 8541.10.0080 30.000 P-Kanal 30 v 4.2a (TA) 2,5 V, 10 V. 55mohm @ 4.2a, 10V 1,3 V @ 250 ähm ± 12 V 880 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
RM5N800TI Rectron USA RM5N800TI 0,6700
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM5N800TI 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 800 V 5a (TC) 10V 1,2OHM @ 2a, 10V 4,5 V @ 250 ähm ± 30 v 1320 PF @ 50 V - - - 32.4W (TC)
RM150N100T2 Rectron USA RM150N100T2 0,8400
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM150N100T2 8541.10.0080 5.000 N-Kanal 100 v 150a (TC) 10V 4.2mohm @ 70a, 10 V. 4v @ 250 ähm +20V, -12v 6680 PF @ 50 V - - - 275W (TC)
RM2308 Rectron USA RM2308 0,0690
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM2308TR 8541.10.0080 30.000 N-Kanal 60 v 3a (ta) 4,5 V, 10 V. 105mohm @ 3a, 10V 1,9 V @ 250 ähm ± 20 V 247 PF @ 30 V - - - 1.7W (TA)
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0,2900
RFQ
ECAD 6630 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerwdfn MOSFET (Metalloxid) 8-PPAK (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM80N30DNTR 8541.10.0080 25.000 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 3,8 MOHM @ 24A, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 3190 PF @ 25 V. - - - 66W (TC)
RM35P100T2 Rectron USA RM35P100T2 0,4700
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM35P100T2 8541.10.0080 5.000 P-Kanal 100 v 35a (TC) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 6516 PF @ 25 V. - - - 104W (TC)
RM4N650IP Rectron USA RM4N650IP 0,3300
RFQ
ECAD 6734 0.00000000 Rectron USA - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM4N650IP 8541.10.0080 4.000 N-Kanal 650 V 4a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. 3,5 V @ 250 ähm ± 30 v 280 PF @ 50 V - - - 46W (TC)
RM5A1P30S6 Rectron USA RM5A1P30S6 0,0760
RFQ
ECAD 4647 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM5A1P30S6TR 8541.10.0080 30.000 P-Kanal 30 v 5.1a (ta) 4,5 V, 10 V. 32mohm @ 4a, 10V 2,2 V @ 250 ähm ± 20 V 1280 PF @ 15 V - - - 1,56W (TA)
RM9926 Rectron USA RM9926 0,0840
RFQ
ECAD 7144 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) RM99 MOSFET (Metalloxid) 1,25W (TA) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40.000 2 n-kanal (dual) 20V 6a (ta) 28mohm @ 6a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 10nc @ 4,5 V 640PF @ 10V - - -
RM40P07 Rectron USA RM40P07 0,1450
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Rectron USA - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2516-RM40P07TR 8541.10.0080 40.000 P-Kanal 40 v 6.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm ± 20 V 1750 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus