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Transistoren (257)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM60N75LD | 0,4100 |  | 3866 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM60N75LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 75 V | 60a (TC) | 10V | 8.5Mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4400 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | |||||||||||||||
 | RM3404 | 0,0480 | | 3718 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM3404TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 30 v | 5.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 5a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | ± 20 V | 255 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||
 | 2N7002KD1 | 0,0300 | | 1143 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-2N7002KD1TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 60 v | 350 Ma (TA) | 5v, 10V | 2,8OHM @ 200 Ma, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||||||||
 | RM8810 | 0,0900 | | 4687 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | RM88 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM8810TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 7a (ta) | 20mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14nc @ 4,5V | 1295PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||
 | RM110N82T2 | 0,4400 | | 9356 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM110N82T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 82 v | 110a (TC) | 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 6400 PF @ 40 V | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||
 | Rm11n800ti | 1.4400 | | 3242 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM11N800TI | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 800 V | 11a (TJ) | 10V | 420mohm @ 5,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 2600 PF @ 50 V | - - - | 33.8W (TC) | |||||||||||||||
| RM27P30LDV | 0,1600 | | 2318 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM27P30LDVTR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 30 v | 27a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 930 PF @ 15 V | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||
| RM115N65T2 | 0,4600 | | 7143 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM115N65T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 65 V | 115a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,7 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | +20V, -12v | 5900 PF @ 30 V | - - - | 160W (TC) | |||||||||||||||
 | RM3075S8 (n) | 0,1700 | | 1414 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RM3075 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM3075S8 (n) tr | 8541.10.0080 | 40.000 | N und p-kanal | 30V | 6,8a (TA), 4,6a (TA) | 27mohm @ 6.8a, 10V | 2,3 V @ 10 ähm | 14nc @ 10v, 16nc @ 10v | 383PF @ 15V | - - - | |||||||||||||||
| RM4435 | 0,1400 | | 5534 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM4435TR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 30 v | 9.1a (TA), 11A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 9.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 1600 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA) | |||||||||||||||
 | RM45P20D3 | 0,2500 | | 9074 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM45P20D3TR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 19 v | 45a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 7mohm @ 20a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 3500 PF @ 10 V. | - - - | 80W (TC) | |||||||||||||||
 | RMP3N90IP | 0,3300 | | 8056 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RMP3N90IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 900 V | 3a (TC) | 10V | 3,2OHM @ 1,5A, 10 V | 5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 850 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||
| RM2305 | 0,0490 | | 2178 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2305TR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta), 4,1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 52mohm @ 4,1a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 740 PF @ 4 V. | - - - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||
 | RM3134 | 0,0600 | | 2255 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RM313 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW | SOT-363-6L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM3134TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 750 Ma (TA) | 380MOHM @ 650 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | 0,75nc @ 4,5 V | 120pf @ 16v | - - - | |||||||||||||||
| RM2306E | 0,0550 | | 7571 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2306etr | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 30 v | 5.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 31mohm @ 6.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 370 PF @ 15 V | - - - | 1.39W (TA) | |||||||||||||||
 | DTC123JCA | 0,0410 | | 1173 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-DTC123JCATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 30.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 46,2 Kohms | |||||||||||||||
 | RM002N30DF | 0,3200 | | 9560 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM002N30DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 30 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 4345 PF @ 15 V | - - - | 187W (TC) | |||||||||||||||
| RM120N40T2 | 0,5100 | | 6176 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM120N40T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 5400 PF @ 20 V | - - - | 130W (TC) | |||||||||||||||
 | RM10N30D2 | 0,0720 | | 9869 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | MOSFET (Metalloxid) | 6-PQFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM10N30D2TR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 11a, 10V | 2v @ 250 ähm | ± 20 V | 1415 PF @ 15 V | - - - | 730 MW (TA) | |||||||||||||||
 | RM130N200HD | 3.8400 | | 4700 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM130N200HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 200 v | 132a (TC) | 10V | 10.7mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 4970 PF @ 100 V | - - - | 429W (TC) | |||||||||||||||
| 2N7002DS6 | 0,0480 | | 9024 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | 350 MW (TA) | SOT-363-6L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-2N7002DS6TR | 8541.10.0080 | 30.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 250 mA (TA) | 5ohm @ 500 mA, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
| RM60P60HD | 0,5400 | | 1158 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM60P60HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | P-Kanal | 60 v | 61a (ta) | 6 V, 10V | 22mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 3200 PF @ 25 V. | - - - | 171W (TA) | |||||||||||||||
| RM2309 | 0,0360 | | 2872 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2309TR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 70 Mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 226 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||
| RM150N40DF | 0,5600 | | 3261 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM150N40DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 40 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,8 MOHM @ 75A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | ± 20 V | 7150 PF @ 20 V | - - - | 88W (TC) | |||||||||||||||
| RM21N700T2 | 1.3300 | | 4395 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM21N700T2 | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 700 V | 21a (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 1950 PF @ 50 V | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||
| RM20N150LD | 0,2600 | | 1142 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM20N150LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 150 v | 20a (ta) | 10V | 65mohm @ 10a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 600 PF @ 75 V | - - - | 68W (TA) | |||||||||||||||
| RM80N20DN | 0,2600 | | 3119 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PPAK (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM80N20DNTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 20 v | 80A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 3,5 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 5500 PF @ 10 V. | - - - | 66W (TC) | |||||||||||||||
 | RM2A3P60S4 | 0,1000 | | 2753 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2A3P60S4TR | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 60 v | 2.3a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 180mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 600 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||
| RM12P30S8 | 0,1650 | | 7635 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM12P30S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 1750 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||||||
| RM20N650HD | 1.0400 | | 5912 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM20N650HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 210mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 2600 PF @ 50 V | - - - | 180W (TC) |
2000+
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Standardprodukteinheit
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