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Transistoren (257)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM110N85T2 | 0,5800 |  | 5450 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM110N85T2 | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 85 V | 110a (TC) | 10V | 6mohm @ 55a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 3870 PF @ 40 V | - - - | 145W (TC) | ||
 | RM1A5N30S3AE | 0,0390 | | 6517 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM1A5N30S3Aetr | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (TA), 1,4a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 144mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 10 V | 105 PF @ 15 V | - - - | 400 MW (TA), 500 MW (TC) | ||
| RM140N82T2 | 0,5400 | | 9860 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM140N82T2TR | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 82 v | 140a (TC) | 10V | 6mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 7900 PF @ 40 V | - - - | 220W (TC) | ||
| RM2312 | 0,0440 | | 5226 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2312TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 20 v | 4,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 33mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | ± 12 V | 500 PF @ 8 V. | - - - | 1,25W (TA) | ||
 | RM70P30LD | 0,2800 | | 8708 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM70P30LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 30 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.2Mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 3450 PF @ 25 V. | - - - | 90W (TC) | ||
 | RM6N800HD | 0,7900 | | 3479 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM6N800HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 1320 PF @ 50 V | - - - | 98W (TC) | ||
| 2N7002K | 0,0330 | | 9136 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-2N7002KTR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 1,9 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | |
| RM150N100HD | 0,9500 | | 1451 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM150N100HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 100 v | 150a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 70a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | +20V, -12v | 6680 PF @ 50 V | - - - | 275W (TC) | ||
| RM2333a | 0,0680 | | 4902 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2333atr | 8541.10.0080 | 30.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 1100 PF @ 6 V | - - - | 1,8W (TA) | ||
 | RM30P30D3 | 0,2200 | | 5866 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM30P30D3TR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 30 v | 30a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | ± 20 V | 2150 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TA) | ||
 | Rmd1n25es9 | 0,0600 | | 7475 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-363-6L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RMD1N25ES9TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 25 v | 1.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 600 MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | ± 12 V | 30 PF @ 10 V | - - - | 800 MW (TA) | ||
| RM50N200HD | 1.2200 | | 3890 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM50N200HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 200 v | 51a (TC) | 10V | 32mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 20 V | 1598 PF @ 100 V | - - - | 214W (TC) | ||
| RM48N100D3 | 0,2980 | | 7315 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn-ep (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM48N100D3TR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 100 v | 48a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | +20V, -12v | 3280 PF @ 50 V | - - - | 61W (TC) | ||
 | RM3139K | 0,0360 | | 2553 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM3139Ktr | 8541.10.0080 | 80.000 | P-Kanal | 20 v | 660 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 520mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | ± 12 V | 170 PF @ 16 V | - - - | 150 MW (TA) | ||
 | RM5N150S8 | 0,4000 | | 8016 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM5N150S8 | 8541.10.0080 | 300 | N-Kanal | 150 v | 4.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 75mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 625 PF @ 75 V | - - - | 3.1W (TA) | ||
| RM15P30S8 | 0,2400 | | 4839 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM15P30S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 10V | 12mohm @ 15a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | ± 20 V | 2900 PF @ 15 V | - - - | 3.1W (TA) | ||
| RM8N700LD | 0,4700 | | 1520 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM8N700LD | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 590 PF @ 50 V | - - - | 69W (TC) | ||
 | RM2N650IP | 0,3000 | | 7388 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM2N650IP | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 650 V | 2a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 1a, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 190 PF @ 50 V. | - - - | 23W (TC) | ||
 | RM21N700TI | 1.3300 | | 9246 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM21N700TI | 8541.10.0080 | 5.000 | N-Kanal | 700 V | 21a (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 1950 PF @ 50 V | - - - | 34W (TC) | ||
| RM17N800HD | 1.5300 | | 8118 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM17N800HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 800 V | 17a (ta) | 10V | 320mohm @ 8.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 2060 PF @ 50 V | - - - | 260W (TC) | ||
| RM8N650IP | 0,5200 | | 9897 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM8N650IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-Kanal | 650 V | 8a (TC) | 10V | 540Mohm @ 4a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 680 PF @ 50 V | - - - | 80W (TC) | ||
| RM3010S6 | 0,0640 | | 2549 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM3010S6TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 1550 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||
 | RM50N60DF | 0,5600 | | 3189 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM50N60DFTR | 8541.10.0080 | 40.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 20a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | ± 20 V | 4000 PF @ 30 V | - - - | 75W (TC) | ||
| RM35P30LD | 0,1450 | | 4886 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM35P30LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 30 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 1345 PF @ 15 V | - - - | 34.7W (TC) | ||
| RM78N100LD | 0,4400 | | 1744 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM78N100LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 100 v | 78a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5MOHM @ 39A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | ± 20 V | 5480 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) | ||
| RM18P100HDE | 0,3400 | | 4578 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM18P100HDetr | 8541.10.0080 | 8.000 | P-Kanal | 100 v | 18a (TC) | 10V | 100mohm @ 16a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | ||
| RM15P55LD | 0,2800 | | 7424 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM15P55LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | P-Kanal | 55 v | 15a (TC) | 10V | 75mohm @ 5a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 1450 PF @ 20 V | - - - | 35W (TC) | ||
| RM6N800LD | 0,7000 | | 3906 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM6N800LDTR | 8541.10.0080 | 25.000 | N-Kanal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | ± 30 v | 1290 PF @ 50 V | - - - | 98W (TC) | ||
| RM20N650HD | 1.0400 | | 5912 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM20N650HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-Kanal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 210mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | ± 30 v | 2600 PF @ 50 V | - - - | 180W (TC) | ||
| RM12P30S8 | 0,1650 | | 7635 | 0.00000000 | Rectron USA | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2516-RM12P30S8TR | 8541.10.0080 | 40.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | ± 20 V | 1750 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) |
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