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Transistoren (3861)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Testedingung	Strom - Test	Leistung - Ausgang	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	RAUSCHFIGUR	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Test	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
STW26N60M2	3.7700	RFQ	600	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ M2	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	STW26			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600		N-Kanal						600 V	20A (TC)	10V	165mohm @ 10a, 10V	4v @ 250 ähm	34 NC @ 10 V.	± 25 V	1360 PF @ 100 V	- - -	169W (TC)
STGB20NC60V	- - -	RFQ	8139	Stmicroelektronik	PowerMesh ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	STGB20	Standard			200 w	D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000				390 V, 20a, 3,3 Ohm, 15 V.																- - -	600 V	60 a	100 a	2,5 V @ 15V, 20a	220 µJ (EIN), 330 µJ (AUS)	100 nc	31ns/100ns
STD12NM50N	- - -	RFQ	8190	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ II	Band & Rollen (TR)	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	Std12			MOSFET (Metalloxid)		Dpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal						500 V	11a (TC)	10V	380MOHM @ 5.5A, 10V	4v @ 250 ähm	30 NC @ 10 V	± 25 V	940 PF @ 50 V	- - -	100 W (TC)
STGB8NC60KT4	1.7100	RFQ	1	Stmicroelektronik	PowerMesh ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	STGB8	Standard			65 w	D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000				390 V, 3a, 10ohm, 15 V.																- - -	600 V	15 a	30 a	2,75 V @ 15V, 3a	55 µJ (EIN), 85 µJ (AUS)	19 NC	17ns/72ns
STGB10NB37LZT4	4.1300	RFQ	919	Stmicroelektronik	PowerMesh ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	STGB10	Standard			125 w	D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000				328 V, 10a, 1kohm, 5V																- - -	440 v	20 a	40 a	1,8 V @ 4,5 V, 10a	2,4 MJ (EINS), 5MJ (AUS)	28 NC	1,3 µs/8 µs
STGB14NC60KT4	- - -	RFQ	4327	Stmicroelektronik	PowerMesh ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	STGB14	Standard			80 w	D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000				390 V, 7a, 10ohm, 15 V.																- - -	600 V	25 a		2,5 V @ 15V, 7a	82 µJ (EIN), 155 µJ (AUS)	34.4 NC	22.5ns/116ns
STGB20N45LZAG	2.8100	RFQ	6940	Stmicroelektronik	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	STGB20	Logik			150 w	D²pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000				300 V, 10a, 1kohm, 5 V.																- - -	450 V	25 a	50 a	1,25 V @ 4V, 6a	- - -	26 NC	1,1 µs/4,6 µs
STF18N65M2	2.7200	RFQ	759	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ M2	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	STF18			MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						650 V	12a (TC)	10V	330mohm @ 6a, 10V	4v @ 250 ähm	20 nc @ 10 v	± 25 V	770 PF @ 100 V	- - -	25W (TC)
STGF20V60DF	- - -	RFQ	6075	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Aktiv					STGF20						- - -	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50
STU3N62K3	1.4900	RFQ	55	Stmicroelektronik	Supermesh3 ™	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	STU3N62			MOSFET (Metalloxid)		I-Pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	75		N-Kanal						620 v	2.7a (TC)	10V	2,5OHM @ 1,4a, 10 V.	4,5 V @ 50 µA	13 NC @ 10 V	± 30 v	385 PF @ 25 V.	- - -	45W (TC)
STB20NM60D	6.3500	RFQ	5693	Stmicroelektronik	Fdmesh ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	STB20			MOSFET (Metalloxid)		D2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						600 V	20A (TC)	10V	290MOHM @ 10a, 10V	5 V @ 250 ähm	52 NC @ 10 V	± 30 v	1300 PF @ 25 V.	- - -	192W (TC)
STW26N65DM2	2.1028	RFQ	3259	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ DM2	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	STW26			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600		N-Kanal						650 V	20A (TC)	10V	190mohm @ 10a, 10V	5 V @ 250 ähm	35,5 NC @ 10 V.	± 25 V	1480 PF @ 100 V	- - -	170W (TC)
STD80N10F7	2.1600	RFQ	3	Stmicroelektronik	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	STD80			MOSFET (Metalloxid)		Dpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal						100 v	70a (TC)	10V	10Mohm @ 40a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	45 nc @ 10 v	± 20 V	3100 PF @ 50 V	- - -	85W (TC)
PD85035TR-E	- - -	RFQ	7204	Stmicroelektronik	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	40 v			PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Gebildete-Leads)	PD85035		870 MHz	Ldmos		PowerSo-10RF (Gebildete Blei)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600			8a		350 Ma	15W	17db											- - -										13,6 v
STL65N3llH5	1.1900	RFQ	3	Stmicroelektronik	Stripfet ™ v	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	Stl65			MOSFET (Metalloxid)		Powerflat ™ (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal						30 v	65a (TC)	4,5 V, 10 V.	5.8mohm @ 9.5a, 10V	1V @ 250 ähm	12 NC @ 4,5 V.	± 22 V	1500 PF @ 25 V.	- - -	60 W (TC)
STW56NM60N	- - -	RFQ	5838	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ II	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Stw56n			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal						600 V	45a (TC)	10V	60mohm @ 22.5a, 10V	4v @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.	± 25 V	4800 PF @ 50 V	- - -	300 W (TC)
STF43N60DM2	6.4700	RFQ	1	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ DM2	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	STF43			MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-16344-5	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						600 V	34a (TC)	10V	93mohm @ 17a, 10V	5 V @ 250 ähm	56 NC @ 10 V	± 25 V	2500 PF @ 100 V	- - -	40W (TC)
STGP10NC60KD	1.6600	RFQ	2359	Stmicroelektronik	PowerMesh ™	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STGP10	Standard			65 w	To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-5120-5	Ear99	8541.29.0095	50				390 V, 5a, 10ohm, 15 V.															22 ns	- - -	600 V	20 a	30 a	2,5 V @ 15V, 5a	55 µJ (EIN), 85 µJ (AUS)	19 NC	17ns/72ns
STP160N75F3	- - -	RFQ	3915	Stmicroelektronik	Stripfet ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STP160			MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						75 V	120a (TC)	10V	4mohm @ 60a, 10V	4v @ 250 ähm	85 NC @ 10 V	± 20 V	6750 PF @ 25 V.	- - -	330W (TC)
STB6N52K3	- - -	RFQ	5389	Stmicroelektronik	Supermesh3 ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	STB6N			MOSFET (Metalloxid)		D²pak (to-263)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						525 v	5a (TC)	10V	1,2OHM @ 2,5a, 10 V.	4,5 V @ 50 µA	26 NC @ 10 V	± 30 v	670 PF @ 50 V	- - -	70W (TC)
STY80NM60N	- - -	RFQ	1086	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ II	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Sty80n			MOSFET (Metalloxid)		Max247 ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	497-8466-5	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal						600 V	74a (TC)	10V	35mohm @ 37a, 10V	4v @ 250 ähm	360 nc @ 10 v	± 25 V	10100 PF @ 50 V	- - -	447W (TC)
PD55003TR-E	11.8100	RFQ	7650	Stmicroelektronik	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	40 v			PowerSo-10 Exponierte Bodenpad	PD55003		500 MHz	Ldmos		10-Powerso	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600			2.5a		50 ma	3W	17db											- - -										12,5 v
Let16060c	- - -	RFQ	4617	Stmicroelektronik	- - -	Kasten	Veraltet	80 v			M243	Let16060		1,6 GHz	Ldmos		M243	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	25			12a		400 ma	60W	13.8db											- - -										28 v
STWA48N60M6	6.0597	RFQ	2637	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ M6	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Stwa48			MOSFET (Metalloxid)		To-247 Lange Hinese	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600		N-Kanal						600 V	39a (TC)	10V	69mohm @ 19.5a, 10V	4,75 V @ 250 ähm	57 NC @ 10 V	± 25 V	2578 PF @ 100 V	- - -	250 W (TC)
TIP142T	1,9000	RFQ	745	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	TIP142				80 w	To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50																					100 v	10 a							2ma	NPN - Darlington	3v @ 40 mA, 10a	1000 @ 5a, 4V	- - -
STY100NS20FD	- - -	RFQ	6088	Stmicroelektronik	Mesh Overlay ™	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Sty100			MOSFET (Metalloxid)		Max247 ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-5321-5	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal						200 v	100a (TC)	10V	24MOHM @ 50a, 10V	4v @ 250 ähm	360 nc @ 10 v	± 20 V	7900 PF @ 25 V.	- - -	450W (TC)
STFILED625	- - -	RFQ	1555	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 Full Pack, i²pak	Stufe			MOSFET (Metalloxid)		I2pakfp (to-281)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						620 v	4,5a (TC)	10V	2OHM @ 1,9a, 10V	4,5 V @ 50 µA	23 NC @ 10 V	± 30 v	560 PF @ 50 V	- - -	25W (TC)
RF2L16180CF2	127.0500	RFQ	8896	Stmicroelektronik	- - -	Schüttgut	Aktiv	65 V		Oberflächenhalterung	B2	RF2L16180		1,3 GHz ~ 1,7 GHz	Ldmos		B2	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	497-RF2L16180CF2			120	- - -		1 µA			180W	17.5db											- - -
STH3N150-2	5.6800	RFQ	2672	Stmicroelektronik	PowerMesh ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante	STH3N150			MOSFET (Metalloxid)		H²pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						1500 V	2,5a (TC)	10V	9OHM @ 1,3a, 10V	5 V @ 250 ähm	29.3 NC @ 10 V.	± 30 v	939 PF @ 25 V.	- - -	140W (TC)
STW30NM60nd	- - -	RFQ	6034	Stmicroelektronik	Fdmesh ™ II	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Stw30n			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-8458-5	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal						600 V	25a (TC)	10V	130MOHM @ 12.5A, 10V	5 V @ 250 ähm	100 nc @ 10 v	± 25 V	2800 PF @ 50 V	- - -	190W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3861)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²