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Transistoren (3861)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Test |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STF40N60M2 | 6.2700 |  | 9143 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II Plus | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 25 V | 2500 PF @ 100 V | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STW40N60M2 | 8.7300 | | 600 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II Plus | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 88mohm @ 17a, 10V | 4v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 25 V | 2500 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STI400N4F6 | 5.0400 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | STI400N | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 10V | 1,7 MOHM @ 60A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 377 NC @ 10 V. | ± 20 V | 20000 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STWA20N95K5 | 7.9900 | | 4694 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh5 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Stwa20 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 Lange Hinese | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 950 V | 17,5a (TC) | 10V | 330mohm @ 9a, 10V | 5 V @ 100 µA | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 1500 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STL4N10F7 | 0,8600 | | 5585 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl4 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4,5a (TA), 18a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 2,25A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 7,8 NC @ 10 V | ± 20 V | 408 PF @ 50 V | - - - | 2,9W (TA), 50 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STL18N60M2 | 1.2230 | | 1348 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II Plus | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl18 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (5x6) HV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V | 308mohm @ 4,5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 791 PF @ 100 V | - - - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STGW15H120F2 | 2.1291 | | 4248 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STGW15 | Standard | 259 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 15a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 30 a | 60 a | 2,6 V @ 15V, 15a | 380 µJ (EIN), 370 µJ (AUS) | 67 NC | 23ns/111ns | |||||||||||||||||||||||
 | STD11N50M2 | 1.4900 | | 5653 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II Plus | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Std11 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 530mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 25 V | 395 PF @ 100 V | - - - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STB33N65M2 | 4.2600 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ M2 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB33 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 140 MOHM @ 12A, 10V | 4v @ 250 ähm | 41,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 1790 PF @ 100 V | - - - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STH245N75F3-6 | - - - | | 7491 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q101, Stripfet ™ F3 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | STH245 | MOSFET (Metalloxid) | H2PAK-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 75 V | 180a (TC) | 10V | 3mohm @ 90a, 10V | 4v @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 6800 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STH265N6F6-2AG | - - - | | 5012 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STH265 | MOSFET (Metalloxid) | H2PAK-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 180a (TC) | 10V | 2,1 MOHM @ 60A, 10V | 4v @ 250 ähm | 183 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11800 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STL42P6llf6 | 1.9100 | | 9744 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Stripfet ™ F6 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl42 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15479-1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3780 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | STS5P3LLH6 | 0,9800 | | 27 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ H6 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | STS5P3 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 56mohm @ 2,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 639 PF @ 25 V. | - - - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | STR1P2UH7 | - - - | | 4704 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Stripfet ™ H7 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | STR1 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 700 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,8 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 510 PF @ 10 V | - - - | 350 MW (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | STT4P3LLH6 | 0,6100 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ H6 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | STT4P3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 56mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 639 PF @ 25 V. | - - - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||
| STF12N65M2 | 1.9400 | | 886 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ M2 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15531-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 8a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 535 PF @ 100 V | - - - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
| STW40N65M2 | 6.2500 | | 4759 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ M2 | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW40 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15576-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 32a (TC) | 10V | 99mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 56,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 2355 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||||||||||||||||
| STGB10M65DF2 | 2.2700 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STGB10 | Standard | 115 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 10a, 22ohm, 15 V. | 96 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 20 a | 40 a | 2v @ 15V, 10a | 120 µJ (EIN), 270 µJ (AUS) | 28 NC | 19ns/91ns | ||||||||||||||||||||||
 | STGF30V60DF | - - - | | 2704 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | STGF30 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW48NM60N | 15.6100 | | 2641 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW48 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-11367-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 44a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 124 NC @ 10 V | ± 25 V | 4285 PF @ 50 V | - - - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||
| STW60N65M5 | 11.3600 | | 577 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ v | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW60N | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 59mohm @ 23a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 139 NC @ 10 V | ± 25 V | 6810 PF @ 100 V | - - - | 255W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STW24NM60N | 6.1000 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Stw24n | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 190mohm @ 8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 46 NC @ 10 V | ± 30 v | 1400 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STD96N3llH6 | 1.3200 | | 2983 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STD96 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 80A (TC) | 5,5 V, 10 V. | 4,2mohm @ 40a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STH240N75F3-6 | 6.6600 | | 6752 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | StripFet ™ III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | STH240 | MOSFET (Metalloxid) | H2PAK-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 75 V | 180a (TC) | 10V | 3mohm @ 90a, 10V | 4v @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 6800 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STF28NM50N | 6.3800 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF28 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 21a (TC) | 10V | 158mohm @ 10,5a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 50 nc @ 10 v | ± 25 V | 1735 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Pd85025str-e | - - - | | 4019 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 40 v | PowerSO-10RF exponiert das unteres pad (2 Gerade-Leads) | PD85025 | 870 MHz | Ldmos | PowerSO-10RF (Straight Lead) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 7a | 300 ma | 10W | 17.3db | - - - | 13,6 v | |||||||||||||||||||||||||||
| PD57006str-e | - - - | | 2318 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | PowerSO-10RF exponiert das unteres pad (2 Gerade-Leads) | PD57006 | 945 MHz | Ldmos | PowerSO-10RF (Straight Lead) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 1a | 70 Ma | 6W | 15 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||
 | PD85035C | - - - | | 3106 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Kasten | Veraltet | 40 v | M243 | PD85035 | 945 MHz | Ldmos | M243 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 8a | 350 Ma | 15W | 17.5db | - - - | 13,6 v | |||||||||||||||||||||||||||
| STB7NK80Z-1 | 1.7752 | | 7097 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | STB7NK80 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5.2a (TC) | 10V | 1,8OHM @ 2,6a, 10 V. | 4,5 V @ 100 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30 v | 1138 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| STI14NM65N | - - - | | 9557 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Sti14n | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380Mohm @ 6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 25 V | 1300 PF @ 50 V | - - - | 125W (TC) |
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