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Transistoren (3861)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Testedingung	Strom - Test	Leistung - Ausgang	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	RAUSCHFIGUR	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Test	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
STP9NK65Z	1.7752	RFQ	3727	Stmicroelektronik	Supermesh ™	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STP9NK65			MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						650 V	6.4a (TC)	10V	1,2OHM @ 3,2a, 10 V	4,5 V @ 100 µA	41 nc @ 10 v	± 30 v	1145 PF @ 25 V.	- - -	125W (TC)
STW26N60M2	3.7700	RFQ	600	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ M2	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	STW26			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600		N-Kanal						600 V	20A (TC)	10V	165mohm @ 10a, 10V	4v @ 250 ähm	34 NC @ 10 V.	± 25 V	1360 PF @ 100 V	- - -	169W (TC)
STD80N10F7	2.1600	RFQ	3	Stmicroelektronik	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	STD80			MOSFET (Metalloxid)		Dpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal						100 v	70a (TC)	10V	10Mohm @ 40a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	45 nc @ 10 v	± 20 V	3100 PF @ 50 V	- - -	85W (TC)
STL65N3llH5	1.1900	RFQ	3	Stmicroelektronik	Stripfet ™ v	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	Stl65			MOSFET (Metalloxid)		Powerflat ™ (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal						30 v	65a (TC)	4,5 V, 10 V.	5.8mohm @ 9.5a, 10V	1V @ 250 ähm	12 NC @ 4,5 V.	± 22 V	1500 PF @ 25 V.	- - -	60 W (TC)
STW26N65DM2	2.1028	RFQ	3259	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ DM2	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	STW26			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600		N-Kanal						650 V	20A (TC)	10V	190mohm @ 10a, 10V	5 V @ 250 ähm	35,5 NC @ 10 V.	± 25 V	1480 PF @ 100 V	- - -	170W (TC)
PD85035TR-E	- - -	RFQ	7204	Stmicroelektronik	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	40 v			PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Gebildete-Leads)	PD85035		870 MHz	Ldmos		PowerSo-10RF (Gebildete Blei)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	600			8a		350 Ma	15W	17db											- - -										13,6 v
STGP10NC60KD	1.6600	RFQ	2359	Stmicroelektronik	PowerMesh ™	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STGP10	Standard			65 w	To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-5120-5	Ear99	8541.29.0095	50				390 V, 5a, 10ohm, 15 V.															22 ns	- - -	600 V	20 a	30 a	2,5 V @ 15V, 5a	55 µJ (EIN), 85 µJ (AUS)	19 NC	17ns/72ns
STW56NM60N	- - -	RFQ	5838	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ II	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Stw56n			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal						600 V	45a (TC)	10V	60mohm @ 22.5a, 10V	4v @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.	± 25 V	4800 PF @ 50 V	- - -	300 W (TC)
STF43N60DM2	6.4700	RFQ	1	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ DM2	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	STF43			MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-16344-5	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						600 V	34a (TC)	10V	93mohm @ 17a, 10V	5 V @ 250 ähm	56 NC @ 10 V	± 25 V	2500 PF @ 100 V	- - -	40W (TC)
STL47N60M6	4.0829	RFQ	5978	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ M6	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	Stl47			MOSFET (Metalloxid)		Powerflat ™ (8x8) HV	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal						600 V	31a (TC)	10V	80MOHM @ 15.5a, 10V	4,75 V @ 250 ähm	57 NC @ 10 V	± 25 V		- - -	189W (TC)
STP9NK80Z	- - -	RFQ	6219	Stmicroelektronik	Supermesh ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STP9N			MOSFET (Metalloxid)		To-220	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						800 V	7.5a (TC)	10V	1,2OHM @ 3,75A, 10 V.	4,5 V @ 100 µA	84 NC @ 10 V	± 30 v	1900 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
But90	- - -	RFQ	2147	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Veraltet		200 ° C (TJ)	Chassis -berg	To-204aa, to-3	But90				250 w	To-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	20																					125 v	50 a							- - -	Npn	900mv @ 7a, 70a	- - -	- - -
BULT118	- - -	RFQ	7948	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-225aa, to-126-3	BULT118				45 w	SOT-32-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000																					400 V	2 a							250 µA	Npn	1,5 V @ 400 mA, 2a	10 @ 500 mA, 5 V	- - -
BUV298V	- - -	RFQ	8530	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Isotop	BUV298				250 w	Isotop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10																					450 V	50 a							- - -	Npn	1,2 V @ 6,4a, 32a	12 @ 32a, 5V	- - -
STW16N65M5	- - -	RFQ	9971	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ v	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Stw16n			MOSFET (Metalloxid)		To-247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal						650 V	12a (TC)	10V	279mohm @ 6a, 10V	5 V @ 250 ähm	31 NC @ 10 V	± 25 V	1250 PF @ 100 V	- - -	90W (TC)
STD20NF06LAG	1.5500	RFQ	2909	Stmicroelektronik	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ II	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	STD20			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak (to-252)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-17143-2	Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal						60 v	24a (TC)	5v, 10V	40mohm @ 12a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	13 NC @ 5 V	± 18 v	660 PF @ 25 V.	- - -	60 W (TC)
PD57018-e	30.3600	RFQ	1173	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Aktiv	65 V			PowerSo-10 Exponierte Bodenpad	PD57018		945 MHz	Ldmos		10-Powerso	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			2.5a		100 ma	18W	16.5db											- - -										28 v
STI33N60M6	- - -	RFQ	9436	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ M6	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	STI33			MOSFET (Metalloxid)		I2pak (to-262)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	497 STI33N60M6	Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						600 V	25a (TC)	10V	125mohm @ 12.5a, 10V	4,75 V @ 250 ähm	33.4 NC @ 10 V.	± 25 V	1515 PF @ 100 V	- - -	190W (TC)
STP150N3llH6	3.0300	RFQ	233	Stmicroelektronik	Deepgate ™, Stripfet ™ vi	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STP150			MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						30 v	80A (TC)	4,5 V, 10 V.	3,3 MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	40 NC @ 4,5 V.	± 20 V	4040 PF @ 25 V.	- - -	110W (TC)
SD2933-03W	130.6800	RFQ	3490	Stmicroelektronik	- - -	Tablett	Aktiv				M177	SD2933		- - -	- - -		M177	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25	- - -		- - -			- - -	- - -											- - -
STGW20H60DF	3.1200	RFQ	547	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	STGW20	Standard			167 w	To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30				400 V, 20A, 10OHM, 15 V.															90 ns	TRABENFELD STOPP	600 V	40 a	80 a	2v @ 15V, 20a	209 µj (EIN), 261 µJ (AUS)	115 NC	42,5ns/177ns
BUV27	- - -	RFQ	2956	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Veraltet		175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	BUV27				85 w	To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50																					120 v	12 a							- - -	Npn	1,5 V @ 800 Ma, 8a	- - -	- - -
STLD200N4F6AG	3.5600	RFQ	4603	Stmicroelektronik	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F6	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn	Stld200			MOSFET (Metalloxid)		Powerflat ™ (5x6) Dual -se -Seite	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal						40 v	120a (TC)	6,5 V, 10 V.	1,5 MOHM @ 75A, 10V	4v @ 1ma	172 NC @ 10 V	± 20 V	10700 PF @ 10 V.	- - -	158W (TC)
STF46N60M6	7.3000	RFQ	7452	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ M6	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	STF46			MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-STF46N60M6	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						600 V	36a (TC)	10V	80Mohm @ 18a, 10V	4,75 V @ 250 ähm	53,5 NC @ 10 V.	± 25 V	2340 PF @ 100 V	- - -	42W (TC)
STP13N60M2	2.1700	RFQ	983	Stmicroelektronik	Mdmesh ™ II Plus	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STP13			MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						600 V	11a (TC)	10V	380MOHM @ 5.5A, 10V	4v @ 250 ähm	17 NC @ 10 V	± 25 V	580 PF @ 100 V	- - -	110W (TC)
STL8N80K5	2.9400	RFQ	9482	Stmicroelektronik	Supermesh5 ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	Stl8n80			MOSFET (Metalloxid)		Powerflat ™ (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal						800 V	4,5a (TC)	10V	950mohm @ 3a, 10V	5 V @ 100 µA	16,5 NC @ 10 V.	± 30 v	450 PF @ 100 V	- - -	42W (TC)
STF150N10F7	- - -	RFQ	9209	Stmicroelektronik	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	STF15			MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-15013-5	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						100 v	65a (TC)	10V	4,2 MOHM @ 55A, 10V	4,5 V @ 250 ähm	117 NC @ 10 V	± 20 V	8115 PF @ 50 V	- - -	35W (TC)
STL105N8F7AG	2.4800	RFQ	3056	Stmicroelektronik	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn				MOSFET (Metalloxid)		Powerflat ™ (5x6)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	497-STL105N8F7AGTR	Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal						80 v	95a (TC)	10V	6,5 MOHM @ 25a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 20 V	3475 PF @ 25 V.	- - -	127W (TC)
STP10N65K3	- - -	RFQ	4026	Stmicroelektronik	- - -	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	STP10			MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						650 V	10a (TC)	10V	1ohm @ 3.6a, 10V	4,5 V @ 100 µA	42 NC @ 10 V.	± 30 v	1180 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
STL64N4F7AG	0,5928	RFQ	2152	Stmicroelektronik	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke	8-Powervdfn	Stl64			MOSFET (Metalloxid)		Powerflat ™ (5x6)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	497-STL64N4F7AG	Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal						40 v	64a (TC)	10V	8,5 MOHM @ 32A, 10V	4v @ 250 ähm	9.8 NC @ 10 V.	± 20 V	637 PF @ 25 V.	- - -	65W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3861)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²